首页
学习
活动
专区
圈层
工具
发布
社区首页 >专栏 >GM4500 精密 OP:有源滤波器“圣体”

GM4500 精密 OP:有源滤波器“圣体”

作者头像
云深无际
发布2026-01-15 14:30:02
发布2026-01-15 14:30:02
970
举报
文章被收录于专栏:云深之无迹云深之无迹

今天来看老朋友共模的两颗运放(分为上下):

先速览一下:

GM4xxx 是 op

先看这个 GM4500,大致看了几篇 datasheet,我有点迷惑,这个东西到底算不算精密 OP 呢?友商是放到普通 OP 的,但是标题里面又有精密,看参数也蛮不错的:

那我就暂且认为它属于精密 OP
那我就暂且认为它属于精密 OP

那我就暂且认为它属于精密 OP

那这颗运放是什么定位

GM4500/GM45002 是精密、低噪声、轨到轨输入输出(RRIO)的 CMOS 电压反馈运放,主打“低噪声 + 低失调 + 高带宽”的组合:典型 2.7 nV/√Hz@10 kHz、最大失调 270 µV(全共模范围)、GBW 28 MHz,供电 2.7–5.5 V 或 ±1.35–±2.75 V,温度覆盖 −40°C~+125°C。

GM4500:单运放(MSOP-8)。

GM45002:双运放(MSOP-8 或 SO-8),引脚为 OUTA/INA、OUTB/INB。

关键直流指标怎么理解(精密测量/ADC 相关)

失调电压 VOS、漂移 ΔVOS/ΔT

在 5V(或 ±2.5V)条件下,表 5 给出:

VOS:典型 86 µV,最大 270 µV(全共模 0~5V)

漂移:典型 0.4 µV/°C,最大 2.3 µV/°C

因为失调会在闭环放大后按噪声增益放大到输出(一般同闭环增益,非反相时为 1+Rf/Rg)。而且这个漂移决定温度变化带来的零点漂:例如温度变化 50°C,按最大漂移 2.3 µV/°C,输入等效零漂可到 115 µV 量级(再乘噪声增益到输出)。

输入偏置电流 IB / IOS(为什么手册还强调“漏电流”)

表 5 给出 IB 典型 5 pA、最大 250 pA(全温) ,这已经非常小;因此实际电路里经常是PCB 漏电流主导,而不是运放本身。

手册明确提醒:比如板上等效 100 GΩ 的泄漏,在 1 V 电位差下就有 10 pA,已经能与器件偏置电流同量级,必须用保护环(guard ring)、清洁、低吸收材料等手段控制。

如果做高阻源/电荷/微弱电流测量,这段“漏电流”比很多电气参数更关键。(但是做微弱积分,这个 OP 参数又不够豪华)

CMRR / PSRR / 开环增益

CMRR:典型 107 dB(5V 条件)

PSRR:典型 108 dB(2.7~5.5V)

开环增益:典型 101 dB

这些指标决定共模变化、电源纹波、输出负载变化是否会“渗透”进你测量值/ADC 输入。

关键交流指标怎么理解(低噪声与高速并存的代价)

噪声密度 en:2.7 nV/√Hz@10 kHz(怎么换算到带宽噪声)

表 5:en=4 nV/√Hz@1 kHz,2.7 nV/√Hz@10 kHz

工程上常用的第一步估算是“白噪声积分”:

若把它当作 2.7 nV/√Hz 的白噪声,用到 1 MHz 带宽,则(再按闭环噪声增益放大到输出);这对于“ADC 缓冲器/有源滤波器前级”很直观。

THD+N(音频/低失真缓冲场景)

在 G=1、RL=1 kΩ、1 kHz、2 Vpp 下,THD+N 典型 0.0007% ,手册也提示 THD 与共模电压、配置、布局有关。

带宽、压摆率、建立时间(高速信号链是否“跟得上”)

表 5(5V/±2.5V):

GBW 28 MHz

SR 11 V/µs

0.1% 建立时间 500 ns(0→2V step,G=1)

相位裕量 69°(CL=0pF)

这组数说明它不仅适合低噪声精密,也能做一定的高速缓冲/滤波(但稳定性设计会更敏感,见第 5 节)。

注意:同一颗器件在不同供电条件下“像两颗不同的运放”

手册给了第二套条件(VS=2.7V 或 ±1.35V)对应表 6,很多参数明显变差:

本来就算低压运放了,还放电压下去,用不起不用
本来就算低压运放了,还放电压下去,用不起不用

本来就算低压运放了,还放电压下去,用不起不用

GBW 变成 10 MHz

相位裕量只有 40°(CL=0pF)

en@1 kHz 变成 6 nV/√Hz,但 @10 kHz 仍标 2.7 nV/√Hz

低频噪声给了 0.1–10 Hz:2 µVpp

VOS 典型 200 µV、最大 450 µV

如果追求“28 MHz + 高相位裕量”那一档性能,就应尽量在 5V/±2.5V附近工作;在 2.7V 单电源下要更谨慎对待闭环稳定性与容性负载(因为相位裕量先天更小)。

输入过压与电容性负载稳定性

输入过压保护:能扛但不建议长期这么用

器件允许输入超过电源,但手册明确:不建议超过电源轨 ±0.3 V;若必须更高,需要串联电阻限流,输入电流 < 5 mA。 这对外部传感器插拔、ESD、或前级滤波网络导致的瞬态都很关键:使用的时候要把“异常时的输入电流”算清楚,而不仅是正常工作点。

输入电容/寄生电容会在噪声增益里造“断点”,引起峰化甚至振荡

手册讲得很直接源电容、管脚杂散电容、运放输入电容都会改变噪声增益曲线,通常需要在反馈电阻并联电容做补偿,否则会出现峰化/振荡。;并且对 >200 pF 的电容性负载,需要“额外输入阻抗”帮助稳定。

驱动电容性负载:500 pF 不振荡 ≠ 不振铃

虽然可不振荡地驱动到 500 pF,但当输入频率高于 100 kHz 时会出现大量振铃,尤其在单位增益(最坏情况)下。 手册给的“实用办法”是:在负载端并联一个 RC 吸收器(snubber),可显著减少过冲和振铃,但不能恢复容负载导致的带宽损失

算算噪声

对于我来说,用的时候也没有特别的讲究,但是会看噪音和带宽。而且由于手册给了两套典型条件(5V/±2.5V 与 2.7V/±1.35V),我会分开说——这点非常关键,因为带宽与稳定裕量差异很大。

噪声情况评估

宽带噪声密度(白噪声区)

VS=5V 或 ±2.5V: = 4 nV/√Hz @ 1 kHz2.7 nV/√Hz @ 10 kHz

VS=2.7V 或 ±1.35V: = 6 nV/√Hz @ 1 kHz2.7 nV/√Hz @ 10 kHz

这说明它在 中高频段(~10 kHz 以上)噪声做到很低(2.7 nV/√Hz 级),但在 1 kHz 附近(含更低频),低电压供电时噪声密度会偏大一些(6 nV/√Hz vs 4 nV/√Hz)。

如果做“低频精密测量/低频噪声仪”,更该关注 1 kHz 和 0.1–10 Hz;做“高速 ADC 缓冲/宽带放大”,更看 10 kHz~MHz 的白噪声区。

低频噪声(0.1–10 Hz)

手册只在低电压表格里明确给出:

0.1–10 Hz:2 µVpp(输入等效)

2 µVpp(0.1–10 Hz)属于“精密但不是超低漂/超低 1/f 的极限等级”。如果你要做 µVpp 级别以下的低频噪声测量(比如参考源/慢速噪声分析仪前端),你可能需要更强的低频策略(斩波/自稳零/JFET+大电阻网络等),否则低频区会成为噪声预算的主导项。

把噪声密度换成“带宽内 RMS 噪声”

对“白噪声主导”的频段,常用:

2.7 nV/√Hz 粗估(更偏向 10 kHz 以上的宽带):

BW = 100 kHz:

BW = 1 MHz:

这还是输入等效;输出噪声再乘以噪声增益(非反相≈闭环增益;反相则≈1+Rf/Rg)。

真实结果会受 1/f、闭环带宽、以及前级/电阻热噪声影响;但这对“量级”判断很实用;因为没有仿真数据,手算变得很珍贵。

可用带宽评估(GBW、闭环带宽、压摆率、建立时间)

小信号带宽(由 GBW 决定)

VS=5V 或 ±2.5V:GBW = 28 MHz

VS=2.7V 或 ±1.35V:GBW = 10 MHz

对电压反馈运放,粗略闭环 −3 dB 带宽:

其中 是噪声增益(非反相约等于闭环增益;反相为 1+Rf/Rg)。

举例(假设噪声增益=闭环增益):

5V 供电,G=1:约 28 MHz

5V 供电,G=10:约 2.8 MHz

2.7V 供电,G=1:约 10 MHz

2.7V 供电,G=10:约 1 MHz

大信号可用带宽(由压摆率 SR 限制)

当幅度不小,带宽往往不是 GBW 限,而是 SR 限

手册给:

5V:SR = 11 V/µs

2.7V:SR = 4.5 V/µs

举两个典型幅度直观感受(输出正弦):

Vpk = 1 V

5V:

2.7V:

Vpk = 0.1 V(200 mVpp)

5V:约 17.5 MHz

2.7V:约 7.2 MHz

要做 MHz 级大幅度输出,主要看 SR;那做 小幅度高速(比如 ADC 缓冲小信号),更接近 GBW 限制。

“可用带宽”还受稳定裕量影响(尤其 2.7V 很敏感)

相位裕量:

5V:69°(CL=0pF)

2.7V:40°(CL=0pF)

40° 意味着:在 2.7V 下,如果再遇到 容性负载、较高噪声增益断点、ADC 动态输入电容,很容易从“可用带宽”变成“带宽还在但有峰化/振铃/噪声增大”。

因此在 2.7V 下我会更保守地定义“可用带宽”:

G=1、轻容负载(几十 pF 内)、布局良好:可用到“数 MHz~接近 10 MHz”

如果存在明显容负载/ADC 采样电容(等效上百 pF 甚至更糟)通常需要串阻/RC 隔离后,实际“平坦可用”的带宽会显著低于 GBW 推算值

建立时间(对 SAR ADC 驱动尤其重要)

5V:0.1% 建立时间 500 ns(0→2V step,G=1)

2.7V:0.1% 建立时间 1 µs(同条件)

这说明 5V 条件下用于“快速阶跃/采样保持充电”的能力更强;2.7V 下更容易在“高采样率 SAR 驱动”场景里出现 settling 不足(表现为 THD/SFDR 下降或码型相关误差)。

要“低噪声 + 高带宽”同时成立**:尽量用 **5V/±2.5V 条件(28 MHz、11 V/µs、69° PM),它的“可用带宽”更接近规格表推算值。 ;如果只能 2.7V 供电:噪声在 1 kHz 附近更差、GBW 降到 10 MHz、PM 仅 40°,实际“平坦可用带宽”更依赖你的负载与补偿手段,尤其是 ADC 输入电容与走线寄生。

后记

我觉得这 OP 参数没啥大问题,就是做首级不太行;但是这个带宽做个有源滤波器那可太香了。

本文参与 腾讯云自媒体同步曝光计划,分享自微信公众号。
原始发表:2026-01-07,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

本文分享自 云深之无迹 微信公众号,前往查看

如有侵权,请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。

本文参与 腾讯云自媒体同步曝光计划  ,欢迎热爱写作的你一起参与!

评论
登录后参与评论
0 条评论
热度
最新
推荐阅读
目录
  • 那这颗运放是什么定位
  • 关键直流指标怎么理解(精密测量/ADC 相关)
    • 失调电压 VOS、漂移 ΔVOS/ΔT
    • 输入偏置电流 IB / IOS(为什么手册还强调“漏电流”)
    • CMRR / PSRR / 开环增益
  • 关键交流指标怎么理解(低噪声与高速并存的代价)
    • 噪声密度 en:2.7 nV/√Hz@10 kHz(怎么换算到带宽噪声)
    • THD+N(音频/低失真缓冲场景)
    • 带宽、压摆率、建立时间(高速信号链是否“跟得上”)
  • 注意:同一颗器件在不同供电条件下“像两颗不同的运放”
  • 输入过压与电容性负载稳定性
    • 输入过压保护:能扛但不建议长期这么用
    • 输入电容/寄生电容会在噪声增益里造“断点”,引起峰化甚至振荡
    • 驱动电容性负载:500 pF 不振荡 ≠ 不振铃
  • 算算噪声
  • 噪声情况评估
    • 宽带噪声密度(白噪声区)
    • 低频噪声(0.1–10 Hz)
    • 把噪声密度换成“带宽内 RMS 噪声”
  • 可用带宽评估(GBW、闭环带宽、压摆率、建立时间)
    • 小信号带宽(由 GBW 决定)
    • 大信号可用带宽(由压摆率 SR 限制)
    • “可用带宽”还受稳定裕量影响(尤其 2.7V 很敏感)
    • 建立时间(对 SAR ADC 驱动尤其重要)
  • 后记
领券
问题归档专栏文章快讯文章归档关键词归档开发者手册归档开发者手册 Section 归档