今天来看老朋友共模的两颗运放(分为上下):

先速览一下:

GM4xxx 是 op
先看这个 GM4500,大致看了几篇 datasheet,我有点迷惑,这个东西到底算不算精密 OP 呢?友商是放到普通 OP 的,但是标题里面又有精密,看参数也蛮不错的:

那我就暂且认为它属于精密 OP
GM4500/GM45002 是精密、低噪声、轨到轨输入输出(RRIO)的 CMOS 电压反馈运放,主打“低噪声 + 低失调 + 高带宽”的组合:典型 2.7 nV/√Hz@10 kHz、最大失调 270 µV(全共模范围)、GBW 28 MHz,供电 2.7–5.5 V 或 ±1.35–±2.75 V,温度覆盖 −40°C~+125°C。
GM4500:单运放(MSOP-8)。
GM45002:双运放(MSOP-8 或 SO-8),引脚为 OUTA/INA、OUTB/INB。

在 5V(或 ±2.5V)条件下,表 5 给出:

VOS:典型 86 µV,最大 270 µV(全共模 0~5V)
漂移:典型 0.4 µV/°C,最大 2.3 µV/°C
因为失调会在闭环放大后按噪声增益放大到输出(一般同闭环增益,非反相时为 1+Rf/Rg)。而且这个漂移决定温度变化带来的零点漂:例如温度变化 50°C,按最大漂移 2.3 µV/°C,输入等效零漂可到 115 µV 量级(再乘噪声增益到输出)。
表 5 给出 IB 典型 5 pA、最大 250 pA(全温) ,这已经非常小;因此实际电路里经常是PCB 漏电流主导,而不是运放本身。
手册明确提醒:比如板上等效 100 GΩ 的泄漏,在 1 V 电位差下就有 10 pA,已经能与器件偏置电流同量级,必须用保护环(guard ring)、清洁、低吸收材料等手段控制。
如果做高阻源/电荷/微弱电流测量,这段“漏电流”比很多电气参数更关键。(但是做微弱积分,这个 OP 参数又不够豪华)
CMRR:典型 107 dB(5V 条件)
PSRR:典型 108 dB(2.7~5.5V)
开环增益:典型 101 dB
这些指标决定共模变化、电源纹波、输出负载变化是否会“渗透”进你测量值/ADC 输入。

表 5:en=4 nV/√Hz@1 kHz,2.7 nV/√Hz@10 kHz
工程上常用的第一步估算是“白噪声积分”:
若把它当作 2.7 nV/√Hz 的白噪声,用到 1 MHz 带宽,则(再按闭环噪声增益放大到输出);这对于“ADC 缓冲器/有源滤波器前级”很直观。
在 G=1、RL=1 kΩ、1 kHz、2 Vpp 下,THD+N 典型 0.0007% ,手册也提示 THD 与共模电压、配置、布局有关。
表 5(5V/±2.5V):
GBW 28 MHz
SR 11 V/µs
0.1% 建立时间 500 ns(0→2V step,G=1)
相位裕量 69°(CL=0pF)
这组数说明它不仅适合低噪声精密,也能做一定的高速缓冲/滤波(但稳定性设计会更敏感,见第 5 节)。
手册给了第二套条件(VS=2.7V 或 ±1.35V)对应表 6,很多参数明显变差:

本来就算低压运放了,还放电压下去,用不起不用
GBW 变成 10 MHz
相位裕量只有 40°(CL=0pF)
en@1 kHz 变成 6 nV/√Hz,但 @10 kHz 仍标 2.7 nV/√Hz
低频噪声给了 0.1–10 Hz:2 µVpp
VOS 典型 200 µV、最大 450 µV
如果追求“28 MHz + 高相位裕量”那一档性能,就应尽量在 5V/±2.5V附近工作;在 2.7V 单电源下要更谨慎对待闭环稳定性与容性负载(因为相位裕量先天更小)。
器件允许输入超过电源,但手册明确:不建议超过电源轨 ±0.3 V;若必须更高,需要串联电阻限流,输入电流 < 5 mA。 这对外部传感器插拔、ESD、或前级滤波网络导致的瞬态都很关键:使用的时候要把“异常时的输入电流”算清楚,而不仅是正常工作点。
手册讲得很直接源电容、管脚杂散电容、运放输入电容都会改变噪声增益曲线,通常需要在反馈电阻并联电容做补偿,否则会出现峰化/振荡。;并且对 >200 pF 的电容性负载,需要“额外输入阻抗”帮助稳定。
虽然可不振荡地驱动到 500 pF,但当输入频率高于 100 kHz 时会出现大量振铃,尤其在单位增益(最坏情况)下。 手册给的“实用办法”是:在负载端并联一个 RC 吸收器(snubber),可显著减少过冲和振铃,但不能恢复容负载导致的带宽损失。
对于我来说,用的时候也没有特别的讲究,但是会看噪音和带宽。而且由于手册给了两套典型条件(5V/±2.5V 与 2.7V/±1.35V),我会分开说——这点非常关键,因为带宽与稳定裕量差异很大。
VS=5V 或 ±2.5V: = 4 nV/√Hz @ 1 kHz;2.7 nV/√Hz @ 10 kHz
VS=2.7V 或 ±1.35V: = 6 nV/√Hz @ 1 kHz;2.7 nV/√Hz @ 10 kHz
这说明它在 中高频段(~10 kHz 以上)噪声做到很低(2.7 nV/√Hz 级),但在 1 kHz 附近(含更低频),低电压供电时噪声密度会偏大一些(6 nV/√Hz vs 4 nV/√Hz)。
如果做“低频精密测量/低频噪声仪”,更该关注 1 kHz 和 0.1–10 Hz;做“高速 ADC 缓冲/宽带放大”,更看 10 kHz~MHz 的白噪声区。
手册只在低电压表格里明确给出:
0.1–10 Hz:2 µVpp(输入等效)
2 µVpp(0.1–10 Hz)属于“精密但不是超低漂/超低 1/f 的极限等级”。如果你要做 µVpp 级别以下的低频噪声测量(比如参考源/慢速噪声分析仪前端),你可能需要更强的低频策略(斩波/自稳零/JFET+大电阻网络等),否则低频区会成为噪声预算的主导项。
对“白噪声主导”的频段,常用:
以 2.7 nV/√Hz 粗估(更偏向 10 kHz 以上的宽带):
BW = 100 kHz:
BW = 1 MHz:
这还是输入等效;输出噪声再乘以噪声增益(非反相≈闭环增益;反相则≈1+Rf/Rg)。
真实结果会受 1/f、闭环带宽、以及前级/电阻热噪声影响;但这对“量级”判断很实用;因为没有仿真数据,手算变得很珍贵。
VS=5V 或 ±2.5V:GBW = 28 MHz
VS=2.7V 或 ±1.35V:GBW = 10 MHz
对电压反馈运放,粗略闭环 −3 dB 带宽:
其中 是噪声增益(非反相约等于闭环增益;反相为 1+Rf/Rg)。
举例(假设噪声增益=闭环增益):
5V 供电,G=1:约 28 MHz
5V 供电,G=10:约 2.8 MHz
2.7V 供电,G=1:约 10 MHz
2.7V 供电,G=10:约 1 MHz
当幅度不小,带宽往往不是 GBW 限,而是 SR 限:
手册给:
5V:SR = 11 V/µs
2.7V:SR = 4.5 V/µs
举两个典型幅度直观感受(输出正弦):
Vpk = 1 V
5V:
2.7V:
Vpk = 0.1 V(200 mVpp)
5V:约 17.5 MHz
2.7V:约 7.2 MHz
要做 MHz 级大幅度输出,主要看 SR;那做 小幅度高速(比如 ADC 缓冲小信号),更接近 GBW 限制。
相位裕量:
5V:69°(CL=0pF)
2.7V:40°(CL=0pF)

40° 意味着:在 2.7V 下,如果再遇到 容性负载、较高噪声增益断点、ADC 动态输入电容,很容易从“可用带宽”变成“带宽还在但有峰化/振铃/噪声增大”。
因此在 2.7V 下我会更保守地定义“可用带宽”:
G=1、轻容负载(几十 pF 内)、布局良好:可用到“数 MHz~接近 10 MHz”
如果存在明显容负载/ADC 采样电容(等效上百 pF 甚至更糟)通常需要串阻/RC 隔离后,实际“平坦可用”的带宽会显著低于 GBW 推算值
5V:0.1% 建立时间 500 ns(0→2V step,G=1)
2.7V:0.1% 建立时间 1 µs(同条件)
这说明 5V 条件下用于“快速阶跃/采样保持充电”的能力更强;2.7V 下更容易在“高采样率 SAR 驱动”场景里出现 settling 不足(表现为 THD/SFDR 下降或码型相关误差)。
要“低噪声 + 高带宽”同时成立**:尽量用 **5V/±2.5V 条件(28 MHz、11 V/µs、69° PM),它的“可用带宽”更接近规格表推算值。 ;如果只能 2.7V 供电:噪声在 1 kHz 附近更差、GBW 降到 10 MHz、PM 仅 40°,实际“平坦可用带宽”更依赖你的负载与补偿手段,尤其是 ADC 输入电容与走线寄生。
我觉得这 OP 参数没啥大问题,就是做首级不太行;但是这个带宽做个有源滤波器那可太香了。