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Nokia Bell Labs:可编程光子锁存器

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光芯
发布2025-04-08 21:29:05
发布2025-04-08 21:29:05
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文章被收录于专栏:光芯前沿光芯前沿

原文链接:https://doi.org/10.1364/OE.536535

在现代科技领域,电子平台长期以来支撑着计算和通信资源的需求增长,但随着发展,其在吞吐量和能源效率方面的提升愈发困难,例如电传输线的固有损耗使数据传输成本高昂,数字处理器的时钟频率限制了计算吞吐量。而光学技术凭借大带宽、低损耗传输、多种复用方案以及芯片集成和封装的进步,展现出解决这些问题的潜力。不过,光学技术在数据存储方面进展缓慢,目前光学处理器中的数据存储主要依赖电子存储器,这涉及光 - 电、模拟 - 数字转换以及数据在处理器和存储器间的传输,降低了能源效率,增加了处理延迟,还使系统集成和封装变得复杂。因此,开发能直接在光域存储和检索数据的光学随机存取存储器(RAM)至关重要。

◆ 基于通用逻辑门的光子锁存存储单元

该研究提出了一种基于通用光逻辑门(UOLGs)的可扩展集成光子置位 - 复位锁存器(SR latch)作为光学静态存储单元,UOLGs采用NOR和NAND门 。

◆光学NOR和NAND门的架构与原理

光学NOR门的实现基于微环调制器(MRM)的非线性电光响应,其架构如图2(a)所示。两个波长为λ0的光输入A和B分别耦合到MRM A和MRM B,初始时,MRMs的谐振波长对称分布在λ0两侧。每个MRM后会分出一小部分光信号到光电探测器(PD),产生的两个光电流相减,电流差Idiff =IA-IB经限幅放大器1(LA1)放大后驱动MRM A和MRM B。剩余光信号经Y分支结合并,根据输入A和B的逻辑状态,MRM A和MRM B的谐振波长会发生偏移。

当Idiff>0(即A为高电平,B为低电平)时,MRM B的谐振波长与λ0对齐,MRM A失谐,导致B进一步衰减;反之,Idiff<0时,A衰减。

当两个输入均为高电平或低电平时,Y分支输出也相应为高电平或低电平,这就实现了光逻辑OR操作。

为实现NOR功能,需进行逻辑NOT操作,通过带有独立光源(波长为λ0)的MRM C来完成。当OR输出为高电平时,MRM C的谐振波长与λ0对齐,信号发生大幅衰减,输出低电平;OR输出为低电平时,MRM C谐振波长不变,输出高电平,从而实现NOR功能。

光学NAND门的架构与NOR门类似,如图2(c)所示。不同之处在于,MRMs A和B初始时谐振波长均与λ0对齐,且是将两个光电流相加Isum=IA+IB。当两个输入都为高电平时,Isum最大,使MRMs A和B失谐,Y分支输出高光功率;其他输入情况下,Isum不足以使MRMs失谐,Y分支输出跟随输入的最小值,实现逻辑AND操作。再通过类似的NOT门对AND输出取反,得到NAND输出。

◆SR锁存器的形成与功能

通过使用两个NOR或NAND门,可形成SR锁存器存储单元,图2(e)展示了其顶层示意图和真值表。在本研究中,采用两个NOR门来展示锁存器功能,图2(f)为基于两个NOR门的光学SR锁存器架构,其置位、复位以及两个互补输出Q和Q*均在光域完成。锁存器的响应时间取决于MRM和PD的电光和光电带宽。

◆可编程光子平台上的光存储器

为验证概念,研究使用了iPronics SmartLight处理器这一商用平台,对光子NOR和NAND门进行实验验证,并利用其逼真模拟器对SR锁存器存储单元进行模拟。

◆NOR/NAND门的实验实现

在可编程MZI网格硬件(硅光子芯片)上实现光学NOR/NAND门,如图3(a)所示。每个2×2 MZI由两个50/50定向耦合器和两个热相移器组成,可通过Python编写的控制软件编程为0到1之间的任意分光比。MZI长811μm,平均插入损耗约0.5dB。实验中,激光源设置在1550nm,耦合到网格输入端口的光功率约为 -5dBm。输入光经分光器1分成两部分,70%作为NOT功能的信号光(红色信号路径),其余用于生成逻辑输入(绿色信号路径)。分光器2用于生成逻辑输入A和B,通过编程分光比可产生各种逻辑输入组合。实验结果如图3(b)所示,垂直轴表示归一化输出光功率,水平轴表示输入数据索引,NOR/NAND输出的峰值光功率约为 -10.5dBm。通过在输入信号中添加任意幅度变化,验证了UOLG操作的稳健性,即便存在变化,两个门在所有输入场景下都能生成正确的逻辑输出。

◆ SR锁存器的模拟实现

由于当前可用硬件网格尺寸限制,只能容纳一个UOLG,因此使用SmartLight处理器提供的具有更大网格尺寸(MZI数量是硬件的两倍多)的逼真模拟器来实现SR锁存器。在模拟器中,使用一个光输入实现锁存器,如图4(a)所示。分光器1 - 3生成供应光1、2以及置位和复位信号,置位和复位状态由两个可变衰减器控制。MRMs C1和C2执行NOT功能,MRMs A1、B1、A2和B2生成OR1和OR2输出。通过监测MRM C1和C2后的分光器得到锁存器输出Q和Q*。图4(b)展示了锁存器的模拟结果,生成了十一种不同的输入组合来设置、复位和保持锁存器输出,相应的互补锁存器输出(归一化)显示,置位、复位和锁存/保持状态分别用蓝色、红色和绿色阴影表示。结果表明,该可编程光子存储单元能准确执行置位、复位和锁存/保持功能,即便在置位和复位信号中添加幅度变化,锁存器输出仍能保持准确的逻辑电平。

◆研究总结与展望

与以往光存储器相比,该研究提出的光子锁存器在多个方面具有优势。从架构可扩展性来看,它与硅光子平台兼容,无需额外材料系统和后处理,可低成本大规模制造,且电子和光子组件的单片集成工艺能进一步减小尺寸、提高可扩展性和效率。在响应时间和能耗方面,使用高速电光调制器和探测器可实现数十皮秒的存储响应时间,且激光每比特能量消耗可忽略不计,整体功耗效率主要由电子电路决定,约为400fJ/bit(四个驱动器),相比之下,电子存储器的数据转换和传输会带来至少3.5pJ/b的能量开销。

虽然该锁存器的电子和光子芯片面积大于典型数字电子锁存器,但皮秒级响应时间以及减少数据转换和传输的优势,使其成为直接临时光数据存储的有前景的互补存储器。此外,每个存储单元独立的供应光可维持特定光功率范围,有利于大规模系统构建;MRMs的波长选择性使其与波分复用(WDM)方案兼容,可实现并行处理,通过多个不同谐振波长的MRMs,能在单个锁存单元中存储多个数据位。

这项研究提出并演示了基于通用光逻辑门的光子SR锁存器作为光存储单元,在iPronics SmartLight可编程硅光子平台上实验演示了光子NOR和NAND门,并在模拟器中展示了锁存器的所有功能。光数据存储是光处理系统面临的主要挑战之一,该研究为可扩展的解决方案迈出了重要一步,有望与现有和未来的集成光子处理器协同设计和集成,推动光处理系统的进一步发展。

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原始发表:2025-02-12,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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