旺宏卢志远：逆周期加码研发，192层3D NAND年内试产

集微网消息，据台媒报道，NOR存储半导体大厂旺宏日前举行法说会，公司总经理卢志远表示，尽管存储半导体市况低迷，但公司仍持续投入研发，将部分产能调配给研发人员使用，以加快新产品研发脚步。

卢志远透露，3D NAND的开发进度方面，96层产品送样客户已完成测试，正等待客户下单；192层产品进度超前，预计今年中之后可望进入量产，至于3D NOR则要到明年。

卢志远还展望称，这波半导体行业景气下行预估将会以U型反转，但U的底部会比较久，景气将会慢慢回升。公司目前主营的NOR存储产品属于高品质产品，价格维持平稳，而且在需求疲弱时，多数客户无法透过降价而刺激出订单量，因而旺宏的售价维持平稳。