半导体设备巨头厂商东京电子近日发布消息,宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术,这项创新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的蚀刻,与此前的技术相比时间大大缩短。
据称,该技术的应用有助于制造更高容量的3D NAND,可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。
据了解,研究团队开发的新工艺,首次将电蚀刻应用带入低温范围,并开创性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。东京电子表示,开发这项技术的团队,将于近期日本京都举办的2023年超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。
此外,在闪存技术发展上,SK海力士于上周宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
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