
王文广(kdd.wang@gmail.com)
2025年10月9日,国庆长假后第一天上班的9点,商务部发了个公告《商务部公告2025第61号 公布对境外相关稀土物项实施出口管制的决定》,其中第四条的内容如下:
四、最终用途为研发、生产14纳米及以下逻辑芯片或者256层及以上存储芯片,以及制造上述制程半导体的生产设备、测试设备和材料,或者研发具有潜在军事用途的人工智能的出口申请,逐案审批。
这就有点好玩了,在DeepSeek等大模型的协助下,进行了深入的研究,发现有两种稀土元素“镝(Dysprosium, Dy)和铽(Terbium, Tb)“,可能是能够卡先进芯片的关键原料。当然,这个效果可能并非立竿见影,但如果真的能够掐住英伟达最先进的显卡生产的脖子的话,那就真好玩了。从实际上看,中美现阶段的科技战,不仅在于阻止对手获取现有技术,更在于控制生产这些技术的物理手段。西大及其盟友采取了“小院高墙”(small yard, high fence)的战略,精确打击东大在全球半导体供应链中占据主导地位的“咽喉”环节,即技术瓶颈 。然而,东大已经识别并开始利用一个对等的反制点。这个反制点不在于设备本身,而在于制造这些设备所必需的、不可或缺的元素材料。
本文将从宏观层面剖析极紫外光刻(EUV)技术对于延续摩尔定律的独占性地位,然后深入到其核心部件的微观机械和材料科学,揭示其对特定稀土元素的绝对依赖。接着,我将分析这些关键元素的全球供应链现状,最终阐明其在地缘战略博弈中的决定性影响,并探讨潜在的应对路径。
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要理解这场原子战争的背景,我们必须首先认识到半导体制造技术已经走到了一个历史性的十字路口。传统的深紫外(DUV)光刻技术,即便通过多次图形曝光(multi-patterning)等复杂的变通方案,也已在物理上达到了其分辨率的极限,难以经济高效地制造7纳米节点以下的逻辑芯片 。整个行业的技术路线图,无论是用于AI训练和推理的先进逻辑芯片,还是下一代高密度存储芯片,都完全依赖于一项革命性的新技术——极紫外光刻(EUV)。

在这场技术革命中,荷兰公司阿斯麦(ASML)扮演了独一无二的角色。它是全球唯一能够设计、制造和销售EUV光刻机的公司 。这使得ASML不仅仅是一个市场领导者,更成为了延续摩尔定律的地缘政治守门人 。任何国家或企业,如果想进入最先进的芯片制造俱乐部,都必须获得ASML的设备。

EUV技术的不可替代性体现在以下几个层面:
这种控制的深层影响,已经超越了单纯的技术封锁,演变成一种“资本支出武器化”的战略。建设一座先进的晶圆厂需要数百亿美元的投资,而其中最昂贵、最核心、最不可或缺的设备就是EUV光刻机 。西大通过其盟友体系,可以拒绝向特定目标出售这台关键设备。其结果是,围绕这台设备所进行的其他所有投资——包括厂房建设、无尘室、配套设备等高达数百亿美元的资本支出——都将无法实现其预定的战略目标,即生产最先进的芯片。这种策略将出口管制从一种技术限制工具,转变为一种能够直接造成巨大财务损失和战略挫败的武器,其破坏力远不止于扣留一台机器。
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EUV光刻机的核心,并不仅仅在于其能产生13.5纳米波长的光源。同样关键的,是它能够在高真空环境中,以近乎不可能的速度和精度,同步移动硅晶圆和作为电路蓝图的光掩模(reticle)。正是这种极致的机电一体化(mechatronics)能力,构成了ASML技术护城河的另一半。
这套系统的运行参数,已经超出了传统工业工程的范畴,进入了物理学的极限区域:
在如此严苛的条件下,任何形式的机械接触式轴承(如滚珠轴承或空气轴承)都无法胜任。机械接触会产生磨损颗粒,无法满足真空和洁净度的要求;同时,在巨大的加速度下,机械部件的摩擦和振动也无法保证纳米级的定位精度。因此,磁悬浮(magnetic levitation, maglev)成为唯一可行的技术方案 。整个系统利用一套由强大的电磁铁和永磁体组成的复杂阵列,通过精确控制磁场,实现对工作台的无接触悬浮、驱动和定位。
这一系列环环相扣的工程需求,最终指向了一个关键的材料瓶颈。EUV光刻机对工作台的性能要求,已经达到了人类工程能力的极限,这种极端性创造了一个独特的“材料排他性”。要实现目标,不仅仅是需要一块强力磁铁那么简单。它需要的是一种能够在承受巨大且快速变化的电磁场、剧烈的加速冲击力以及真空环境下的高温时,依然能完美保持其磁性的磁体。这种极端的运行环境,像一个严苛的过滤器,筛掉了所有常规工程材料,最终只留下一种特定的材料选择。这个选择,直接将我们引向了稀土永磁体,以及两种不可或缺的重稀土元素。
为了实现磁悬浮工作台所需的巨大推力和精确控制,工程师们选择了目前已知磁性最强的永磁材料——钕铁硼(Neodymium-Iron-Boron, NdFeB)磁体。这类磁体拥有最高的“最大磁能积”($ (BH)_{max} $),这意味着在同等磁力输出下,它的体积可以做到最小,重量可以做到最轻。这对于需要以极高加速度移动的工作台来说至关重要。
然而,标准的钕铁硼磁体有一个致命的弱点:它的耐热性和抗退磁能力较差。其“矫顽力”($ H_{ci} T_c $)相对较低,意味着在较高的温度或强大的反向磁场作用下,它会轻易地丧失磁性。而EUV光刻机的磁悬浮工作台,恰恰就是一个同时存在高温和强反向磁场的恶劣环境。驱动工作台的电磁线圈会产生大量的热量,同时也会产生强大的、不断变化的反向磁场。在这样的环境中,标准钕铁硼磁体根本无法稳定工作。

为了解决这个难题,材料科学家们找到了一个精妙的解决方案:在钕铁硼合金中,添加微量的重稀土元素(Heavy Rare Earth Elements, HREEs),特别是镝(Dy)和铽(Tb)。
在当前的技术水平下,对于EUV光刻机磁悬浮工作台这一特定应用,掺杂镝/铽的钕铁硼磁体并非“最优选择”,而是“唯一选择”。其他永磁材料,如铁氧体或铝镍钴磁体,其磁力强度(剩磁 $ Br $ 和磁能积 $ (BH)_{max} $)远远不足。而不添加重稀土的钕铁硼磁体,虽然磁力强大,但其稳定性又无法满足要求 。一些新兴的无稀土磁体技术,如氮化铁磁体,仍处于实验室研发阶段,其综合性能、稳定性和大规模制造工艺的成熟度,远未达到能够应用于如此精密和关键设备的要求。
因此,这种材料的选择,体现了一种“最优平衡的专制”。它不是在单一维度上追求最强性能,而是在三个关键且相互制约的维度——单位质量下的磁力(高$ (BH){max} H{ci} $)和抵抗高温退磁的能力(高工作温度)——之间,达到了一个独特且不可协商的平衡点。任何一种在其中一个维度上有所欠缺的替代材料,都无法胜任。这种多变量约束下的最优解,将EUV光刻机的命脉,牢牢地与镝和铽这两种重稀土元素捆绑在了一起。
要理解这一依赖性的战略分量,我们必须首先澄清一个普遍的误解:稀土元素在地壳中的储量其实并不“稀有”。真正的瓶颈,不在于矿藏的多少,而在于能否以具备经济性的方式,将其从矿石中分离、提纯并加工成可用的高纯度金属和氧化物。这正东大在全球稀土产业中占据绝对主导地位的关键所在。
东大的稀土霸权,并非简单的资源禀赋优势,而是其对整个产业链中下游的绝对控制:
东大的这种主导地位,是数十年国家主导的产业政策精心布局的结果,而非偶然:
为了更直观地展示这一控制力,下表总结了2024年全球重稀土(HREE)供应链的格局:
表1:全球重稀土(HREE)供应链控制格局(2024年估算)
供应链环节 | 东大全球份额(%) | 世界其他地区份额(%) | 关键瓶颈 |
|---|---|---|---|
HREE矿产储量 | ~37% | ~63% | 储量分布不均,但并非主要瓶颈 |
HREE开采(离子型矿) | >90% | <10% | 离子吸附型矿床主要在东大,开采技术复杂 |
HREE分离与精炼 | ~99% | ~1% | 技术壁垒高,环保成本巨大,西方产能缺失 |
高性能永磁体生产 | ~90% | ~10% | 依赖精炼后的HREE金属,产业链高度垂直整合 |
数据来源: https://www.rff.org/publications/issue-briefs/the-strategic-game-of-rare-earths-why-china-may-only-be-in-favor-of-temporary-export-restrictions/
这表明,从上游的矿产储量到下游的成品磁体,随着价值链的延伸,东大的控制力从显著优势演变为近乎绝对的垄断。问题不在于地下有多少矿,而在于谁有能力将其转化为可用的战略材料。
综合前述分析,一条清晰的依赖链条浮现出来:全球最尖端的数字技术(AI、5G、高性能计算)依赖于用EUV技术制造的芯片;EUV芯片的制造依赖于ASML的EUV光刻机(第一个“卡脖子”环节);EUV光刻机的核心性能依赖于其内部的磁悬浮工作台;磁悬浮工作台的稳定运行依赖于掺杂了镝/铽的钕铁硼永磁体;而镝和铽的全球供应,则被东大牢牢掌控(第二个“卡脖子”环节)。这构成了“卡脖子环节中的卡脖子”。
东大近期针对稀土材料和技术的出口管制,并非孤立事件,而是对西大半导体限制措施的一次精准、对等的战略反制。
这两个“卡脖子”环节在本质上是不同的,呈现出一种非对称性。西大的EUV光刻机瓶颈,是资本和极端技术的密集型产物。它凝聚了数十年、数百亿美元的研发投入,以及全球顶尖科技公司的协作,其技术复杂性极高,难以在短期内被复制。东大的重稀土瓶颈,则是知识和环境成本的密集型产物。它依赖于数十年积累的湿法冶金工艺诀窍,以及在特定历史时期愿意承担巨大环境代价的意愿。
尽管从零开始重建一个ASML的难度,可能高于重建一套重稀土加工体系,但两者在战略博弈中的运用方式却截然不同。东大的反制手段,仅需中央政府的一纸行政命令即可启动,能够迅速对现有供应链造成直接冲击。而西大要实施EUV出口管制,则需要与荷兰、日本、德国等多个盟友进行复杂的外交协调,并处理各大企业间的利益纠葛。因此,东大的战略武器在部署上更为迅速和直接,尽管其底层的主导地位可能相对脆弱一些。
目前来看,主要有两大方向:一是通过技术手段减少对重稀土的需求(技术缓解),二是在东大之外建立新的供应来源(供应链多元化)。
这是短期内最为现实和有效的策略,其核心是提高重稀土元素的使用效率。
这是更为根本但也更为艰难的长期战略。
为了清晰地比较各种技术路径,下表对几种关键的高性能永磁体技术进行了评估:
表2:高性能永磁体技术对比分析
磁体技术 | 关键性能指标 ($ (BH){max} $, $ H{ci} $, 温度稳定性) | HREE依赖度 (% Dy/Tb) | 商业成熟度 (TRL 1-9) | 主要局限性 |
|---|---|---|---|---|
标准烧结钕铁硼 | 优 / 差 / 差 | 5-10% | 9 | HREE依赖度高,性能权衡差 |
GBD增强型钕铁硼 | 优 / 优 / 优 | 1-3% | 8-9 | 仍需少量HREE供应,工艺复杂 |
氮化铁 ($ \alpha''-Fe_{16}N_2 $) | 理论极优 / 优 / 优 | 0% | 4-5 | 稳定性、规模化生产是巨大挑战 |
锰铝碳 (MnAlC) 合金 | 中 / 中 / 中 | 0% | 5-6 | 综合磁性能仍有差距,工艺待成熟 |
这表明,GBD技术是当前应对重稀土依赖风险最关键的近期策略,而无重稀土替代方案则是需要长期投入的研发项目。这为制定务实的战略决策提供了清晰的技术和商业现实依据。
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商务部的这个“反制裁”措施或许真的有效。当然,这个效果未必立竿见影,因为现有的设备以及现有的镝、铽的储量,使得当下的各种高端芯片的生产暂时还不会因为这个问题而中断。但过一段时间,或许效果就显现了。商务部对包含镝和铽在内的重稀土元素的控制,以及含量超过0.1%即需要报备和申请的“长臂管辖”,使得东大有了一个强大的、与西大芯片产业链的“长臂管辖”相匹敌的战略杠杆。
或许,中美之间的芯片战争和科技战正在进入一个新的阶段,此时的西大正面临一个艰难的、需要耗费数年时间才能应对的挑战。所以,中美科技战中,东大从战略防御到战略相持的阶段(战略相持是有来有往,有来有往是战略相持而非反攻)。战略相持不知道需要多久,但终究会来到一个战略反攻的阶段,那时将会是秋风扫落叶一般。
中华民族伟大复兴的完成度,或许已经到了90%。正所谓行百里者半九十!
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