电平转换芯片使用_i2c电平转换芯片

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芯片表面SiO2薄膜

功能：1、完成所确定的功能 2、作为辅助层 方式：氧化(Oxidation) 化学气相淀积(ChemicalVapor Deposition) 外延(Epitaxy) 氧化 Ø 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质 uB、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi> Dsio2 uSiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。

表达芯片数据分析2

db) ls("package:hgu133plus2.db") #列出R包里都有啥 ids <- toTable(hgu133plus2SYMBOL) #把R包里的注释表格变成数据框}# 方法2 k1 = ids2$symbol! str_detect(ids2$symbol,"///");table(k2) ids2 = ids2[ k1 & k2,] # ids = ids2 #使用方法二需要将42行F改为T，55行取消注释 ', getGPL = F)#网速太慢，下不下来怎么办#1.从网页上下载/发链接让别人帮忙下，放在工作目录里#2.试试geoChina,只能下载2019年前的表达芯片数据class(eSet)length p) { s = intersect(rownames(pd),colnames(exp)) exp = exp[,s] pd = pd[s,]}#(4)提取芯片平台编号，后面要根据它来找探针注释

聊聊苹果的M2芯片

我们还将对 Apple 在 Locuza 的帮助下发布的 M2 图像芯片面积（die area）进行分析。如果你喜欢听而不是阅读，可以看我们制作的 YouTube 视频[2]。 Apple 展示了 M1 和 M2 的未标记图像。这表明 M2 为 141.7mm2，但我们认为 Apple 修改了芯片图像。这不是苹果第一次这么做了。 苹果提供的图片似乎与实际的 M2 不相称。SRAM 单元和 PHY在不同芯片上应该是一样的，我们可以基于这个来辨别，然后看到 M2 似乎比它实际的要小。 晶圆价格的小幅上涨、更大的芯片从 118.91mm2 到 155.25mm2 以及更昂贵的内存的组合是造成这种情况的主要原因。 最后一个我们没有评估的 IP 块是更大的媒体引擎，用于增强媒体功能。 Apple 的 M 系列是迄今为止最适合专业创作人士的芯片。这是毋庸置疑的。如果你使用 Adobe 套件，M 系列芯片是最好的。

2nm芯片为什么特别？

今年5月，蓝色巨人IBM公司宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。 核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。 在下图IBM公布的显微镜下2nm芯片照片，里面一个个排列整齐的锯齿状凸起，就是芯片中负责运算的最基础结构单元 —— 晶体管的横截面。 ▲IBM公布显微镜下的2nm芯片照片 不过细心的同学可能会注意到，照片里面芯片最重要的微观结构，也就是晶体管中电子流动的通道宽度是12nm，跟说好的2nm不一样！这是为什么呢？ 而这一次IBM的2nm芯片，在每一平方毫米的面积上，可以制造3.3亿枚晶体管，这个密度差不多是苹果手机里5nm芯片的2倍，小米、三星等等手机里5nm芯片的3倍，确实有比较明显的提高。

2nm 芯片技术，2nm 真的来了？

雷锋网消息，IBM最近宣布推出全球首个 2nm 芯片制造技术，相比于 7nm 的技术，预计带来 75% 的能耗降低或45% 的性能提升。 该芯片每平方毫米大约有 1.73 亿个晶体管，而三星的 5nm 芯片每平方毫米大约有 1.27 亿个晶体管。IBM的 晶体管密度达到了台积电 5nm 的 2 倍。 这是极大的进步。 但是每平方毫米有 3.33 亿个晶体管的 2nm 芯片，可不是好生产的。 IBM 表示，他们采用的 2nm 工艺制造的测试芯片甚至能够在一块指甲大小的芯片中塞进 500 亿个晶体管， 要知道，2nm甚至比我们 DNA 单链的宽度还小。 有媒体表示，IBM 此次发布的 2nm 芯片制程正是在这个研发中心设计和制造的。 2015 年，IBM 研发出了 7nm 原型芯片，2017 年，IBM 又全球首发了 5nm 原型芯片。

DshanMCU-R128s2芯片简介

芯片简介 R128是一颗专为“音视频解码”而打造的全新高集成度 SoC，主要应用于智能物联和专用语音交互处理解决方案。 芯片应用场景 芯片实物图 芯片框图 芯片特性简介 - XuanTie 64 bit RISC V C 906 CPU , up to 480 MHz - HiFi5 Audio DSP up to 400 - Up to 2 SPI controllers (SPI0, SPI1) - Up to 2 TWIs - One CIR RX and one CIR TX - Up to 8 the external intelligent control LED lamp - Package - QFN80, 0.35 mm pitch, 8 mm x 8 mm body 不同版本芯片的区别 ，而 R128-S3 与R128-S1、R128-S2是不同的

2a锂电池充电管理芯片_锂电池电压检测芯片

1.1 名称：兼容PD和QC快充充电器输入单节锂电池2A充电板 1.2 应用：便捷充电设备等 1.3 电池组：3.7V锂电池组，多并或单串，充满4.2V 输入电压：5V-12V （充电亮灯 ，充满转灯，不接电池是闪灯） 1.5 Max充电电流：2A 1.6芯片功能简介： 1，锂电池充电电路：PW4052 PW4052锂电池充电管理芯片，可达2.5A充电电流，开关式高效率，支持1节锂电池充电 2，DC-DC同步降压电路：PW2303 PW2303 同步降压芯片，输入9V-5V，输出5V，可达3A，特点降压压差很低，效率高。 3，USB C口 PD快充协议芯片：PW6605 PW6605 是PD/QC快充协议芯片，SINK端，负责协议通讯PD充电器使输出其指定的电压。

【AI系统】谷歌 TPUv2 训练芯片

这些步骤都是在训练过程中，特别是反向传播中经常遇到的矩阵相关场景，TPU v2 因此对于这一部分进行了特殊优化。芯片互联方式在搭建现代超级计算机的时候，芯片之间的互联就变成了至关重要的一件事情。 而 TPU v2 不同，在下图中我们可以看到，谷歌在板上设计了一个 Interconnect 的模块用于高带宽的规模化，在加强了 TPU v2 芯片间互联的能力，在此基础上搭建了 TPU v2 Supercomputer 每个芯片有四个自定义的核间互联（ICI）链接，每个链路都运行在 TPU v2 中，每个方向的带宽能达到 496 Gbit/s。 以上内容都是围绕着一个 TPU 模块来讲的，实际上本篇第一张图就展示了 TPU v2 模块一共是由多个芯片组成的，而这些芯片间的交互也就是给予上面我们讲到的互联模块完成的。 芯片架构平面图下面是 TPU v2 的平面布局图，我们可以看到大部分区域都是用于蓝色的计算核心，内存系统和互连占据了剩下的一大半。

DshanMCU-R128s2芯片参数

芯片特性 - XuanTie 64 bit RISC V C 906 CPU , up to 480 MHz - HiFi5 Audio DSP up to 400 MHz - Arm M33 Star TWI1-SDA IR-TX UART2-CTS PWM3 NCSI-VSYNC PB-EINT1 PB2/ADC2 GPIOB I/O PWM2 SPI1-MISO<DBI-SDI/DBI-TE/ PB2/ADC2 GPIOB I/O PWM2 SPI1-MISO<DBI-SDI/DBI-TE/DBI-DCX> TWI1-SCL SIM-RST UART1-RX UART2-RTS LCD-D23 RTS UART2 Data Request to Send I/O UART2-CTS UART2 Data Clear to Send I/O UART2-RX UART2 Data Receive I2S-LRCLK I2S sample rate clock I/O I2S-BCLK I2S Bit Rate Clock I/O I2S-DIN I2S Serial Data Input

GEO数据分析流程之芯片2

require(hgu133plus2.db))BiocManager::install("hgu133plus2.db")#安装library(hgu133plus2.db)#加载ls("package :hgu133plus2.db")#看这个R包中有那些数据ids <- toTable(hgu133plus2SYMBOL)#提取R包中有用的信息，tablehead(ids)# 方法2 读取GPL网页的表格文件 = b[,c("ID","Gene Symbol")] colnames(ids2) = c("probe_id","symbol") k1 = ids2$symbol! ="";table(k1) k2 = ! str_detect(ids2$symbol,"///");table(k2) ids2 = ids2[ k1 & k2,] # ids = ids2#如果不用修改上面的内容，就直接ids=ids2

2 年乱世，安防 AI 芯片未见英雄

“没人知道能以什么价格买到芯片，2020年8月海思3559A芯片刚开始上涨的时候，我们给经销商打款当天就被退款，因为芯片涨价钱不够了。一周不到的时间，芯片从480元一片涨到了680元。” “那时候的市场彻底疯了，不止主控芯片在涨，周边的小芯片也在涨价，为了抢购一包电源芯片，不顾18倍的价格涨幅，连夜订机票从北京去上海，出发的路上就被人用更高价格买走了。” 安防芯片是一个每年出货3-4亿颗，芯片单价2-10美元，市场规模30-50亿元的大市场。 不过，2020年8月之前数年时间里，绝大部分的视觉芯片公司都只能仰望海思。 市场越疯狂，就越给视觉芯片公司趁机进入安防市场的机会。 “海思安防芯片被禁之后，国内二三十家芯片公司都想在这个市场分一杯羹。” 2年动荡，3大受益者，无一黑马 从2020年8月至今，两年多之间过去，4年前海思推出的AI算力达4TOPS的高端3559A依旧紧俏，价格比暴涨之前还高一倍左右，而中端低端的安防芯片的价格已经回归正常，

2月全志芯片开源项目分享合集

双USB接口以及通过PH2.0扩展了2个串口，几乎用上了T113的全部引脚。 2、项目名称：赛博魔杖 这是一个万全的解决方案！只需要花80元再动动手，就可以将哈利波特的魔杖与人工智能结合到一起！它就是用全志V851s做的赛博魔杖！ 4、项目名称：全志V3S M.2模块开发板 作者为方便快速扩展和适配自己的创作需求，做了一款m2接口的V3S核心板，以方便后期制作底板时无需考虑核心布线，只要注重需求变更开发功能适配的底板即可。 开发板板载无线模块、TF卡、Flash、串口芯片、USB并引出了除WiFi引脚之外的所有引脚，方便使用spi、进行单板调试、使用usb扩展芯片扩展usb接口等需求场景。

I2C电平转换电路_i2c电平转换芯片

电平转换电路 左侧位从机器件，后侧为单片机（主器件） 完整的应用电路图电路图 参考文档 ADS1x15V2EVM-PDK 用户指南 特此记录 anlog 发布者：全栈程序员栈长，转载请注明出处

IBM推出全球首个2nm芯片制造技术

IBM新型2nm芯片每平方毫米具有约3.33亿个晶体管。 ” 作者 | 王金旺 雷锋网消息，5月6日，IBM官方宣布推出全球首个2nm芯片制造技术，该技术与当前主流的7nm技术相比，预计将带来45%的性能提升或75%的能耗降低。 IBM研究部高级副总裁DaríoGil表示：“这种新型2 nm芯片所体现的IBM创新对整个半导体和IT行业至关重要，这也是IBM应对严峻技术挑战的产物。” 据外媒报道，IBM新型2nm芯片每平方毫米具有约3.33亿个晶体管。 按投产进度来看，台积电目前计划在今年年底开工投产的4nm芯片工艺，大批量生产要等到2022年；3nm芯片技术投产进程预计更晚，要到2022年下半年；2nm芯片技术更是仍处于相对早期的开发阶段。

DshanMCU-R128s2芯片外设支持列表

芯片封测：BGA芯片封装？BGA芯片测试？BGA芯片测试座

以上；性能优势：锡球阵列布局缩短信号路径，寄生电感≤5nH、寄生电容≤2pF，高频信号传输损耗降低 30%（适配 1GHz 以上芯片）；底部裸露焊盘可直接接触 PCB 散热，散热效率较 QFP 提升 50%，适配高功率芯片（如 CPU、电源管理芯片）；可靠性提升：锡球具备一定弹性，可吸收 PCB 热膨胀产生的应力，减少焊点开裂风险，长期工作可靠性（MTBF）较传统封装提升 2-3 倍。 ≤5mm×5mm）极致小型化（如 UBGA25，4mm×4mm）功率承载能力低（≤2W）微型传感器、低功耗 IoT 芯片MBGA金属外壳 + 锡球阵列抗电磁干扰（EMI）、抗振动封装成本高、体积略大汽车电子 高频信号优化，保障测试精度座体内部采用 “短路径布线”，射频通路长度≤3mm，寄生电感≤2nH、寄生电容≤0.3pF，适配 1GHz 以上高频芯片测试，插入损耗≤0.3dB，相位偏移≤3°，确保高频信号传输完整性 ；内置电磁屏蔽腔（屏蔽效能≥85dB@1GHz），隔离外界电磁干扰，避免高频测试时的信号串扰，使相位偏移测试误差从 ±2° 降至 ±0.5°。

台积电将率先安装2纳米芯片生产设备

根据最新报告，台积电（TSMC）2024年的支出可能处于其历史高位，即320亿美元，因为该公司对未来非常乐观，提前部署2纳米芯片技术。 报告称，台积电正在积极支出，以加强2纳米芯片制造 芯片行业是高度周期性的，制造商根据订单预测来决定产能。在AMD和英特尔等公司完成产品升级后，像台积电这样的工厂就可以喘口气，准备下一代技术。 图片来源：台积电 该报告还表明，台积电的资本支出是由其对2纳米芯片生产的投资推动的。台积电计划明年开始2纳米的大规模生产，但该公司在部署设备方面比计划提前。 这建立在早些时候的谣言称台积电可能会将2纳米的生产扩展到遍布台湾各地。 如上所述，台积电的收入增长也是因为对其当前3纳米和5纳米工艺技术的强劲需求。 与其他芯片公司一样，台积电在新冠后长达一年的紧缩后，其收入飙升。AI订单，特别是来自NVIDIA的订单帮助了该公司，其美国存托凭证（ADR）迄今增长了71%。

全志芯片Tina Linux 修改 UART 引脚、UART端口 (2)

sys_config.fex 的路径是 device/config/chips/t113/configs/evb1/sys_config.fex 中的 uart_debug_port

蓝牙芯片----BK3431开发笔记------快速入门（2）

2.编译工程 编译成功后在目录\output\app下，会生成几个bin文件，用联机下载器烧录带CRC的bin文件，如图的bin 三、烧录 1.烧录接口 硬件SPI接口 2.烧录程序 打开联机下载器上位机软件 LVL_VAL] = {ATT_USER_SERVER_CHAR_FFF2,PERM(WRITE_COMMAND, ENABLE), PERM(RI, ENABLE), FFF0_FFF2_DATA_LEN 以GATT工程为例，FFF0的服务中，FFF2为write属性，用write从手机发数据到蓝牙设备 函数接口fff2_writer_req_handler接收数据后，并打印出来 static int fff2 value[i]); } UART_PRINTF("\r\n"); return (KE_MSG_CONSUMED); } 10.如何打开芯片的sleep模式 打开芯片的sleep模式 ，可以大大降低芯片的功耗，但是由于芯片频繁休眠，可能对某些外部响应不及时，比如GPIO中断响应慢，按键检测不及时，UART数据漏数据等等。