今(10)日意法半导体宣布推出了第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶体管,推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
意法半导体汽车和分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli预计 2024 年意法半导体SiC营收将达到 10 亿美元。
值得注意的是,今年8月,ST瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片。
意法半导体的首批8英寸SiC晶圆片性能良好,缺陷率较低,主要源于其收购的Norstel公司在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累。除了晶圆片满足严格的质量标准外,SiC晶圆升级到8英寸还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换,因此意法正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。(化合物半导体市场Amber整理)
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