中国再次发力！国产存储芯片重大突破，网友：助力华为“黑科技”

我国在芯片领域今年遇到了前所未有的难题，不过困难对我们来说也是机遇，美国为了限制华为5G的发展，直接从源头切断了华为芯片的供应，对中国和美国本土的芯片企业，都造成了巨大的影响。

而华为也在这样的条件下展现了自己顽强的生命力，开始了自研自产中国芯片的道路，目前也突破了中国芯片从无到有的大关，前段时间，中国的一个芯片企业也再次发力，成功突破了中国存储芯片的难题，而这一成就将帮助华为完成一项“黑科技”。

目前经过华为的自主研发，华为已经可以做到满足80%的芯片自研了，除了一些高端工艺的芯片，像麒麟9000这5nm级别的芯片，目前还有很多困难需要解决，设备精度不够，关键技术被封锁，这些都是华为目前遇到的问题。

可超越需要时间，进步需要努力，华为能够在如此短的时间里有这么大的突破，已经是非常不容易的了，而且很多国内的芯片制造商也都伸出援手帮助华为，前几天，我国的长江存储在存储芯片领域有了重大的突破，研发出了64层3D NAND闪存技术，此举不仅把中国的存储芯片等级提升到了一个更高的层次，还打破了中国在高等存储芯片一无所有的困境。

之前该技术一直被美日韩三国掌握，都对中国实行了技术封锁，然而这次中国掌握了这项技术，也将帮助中国的手机企业，特别是华为，提高他们在闪存领域的实力，此前，华为的一项独家黑科技SFS 1.0闪存技术被爆了出来，其读写速度提升到了惊人的383M/S和548M/S。

想比与韩国三星的UFS 3.1技术，快了不止1倍，而华为能够在该领域取得这么大的突破，和长江存储的高工艺芯片是分不开的，为了满足国内市场的需要，长江存储下一步也在准备扩产，争取在最短的时间里打破美日韩三国对中国的技术垄断，将中国的市场从他们的手中抢回来。