2030年3D NAND突破1000层

据闪德资讯获悉，3D NAND闪存技术通过垂直堆叠单元来增加存储容量，目前商用产品层数已超300层，业界计划到2030年实现1000层或更高层数。

随着单元堆叠技术越发复杂，将面临诸多物理限制，如工艺复杂性与制造成本增加，单元间电气干扰以及数据保留特性下降等问题。

其中“Z-Pitch Scaling”是关键技术，但可能导致电气性能下降，还会带来阈值电压降低、编程/擦除电压升高、数据存不久等问题，直接影响3D NAND可靠性和生产良率。

为了解决这些问题，研究机构IMEC开发了两种新技术：气隙集成和电荷陷阱层分离。

这两种技术达成互补作用：一个解决单元间干扰，一个解决电荷扩散。

两者结合后可为1000层以上3D NAND打下基础，能够堆叠更多层数的同时，还能保持性能和可靠性。

高密度3D NAND技术将成为满足云计算、AI和边缘设备快速增长的大规模数据处理需求的关键基础设施。

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