三星或在平泽2号工厂规模生产128层3D NAND

日前，在举行的Samsung SSD Forum 2019 Tokyo上，三星电子存储器部门产品规划团队高级董事总经理Jinman表示，三星128层第六代V-NAND已实现了512Gb TLC容量的量产，计划于2020年投入市场应用，且正在针对5年内达到500层或更多层的堆栈进行研究。

三星V-NAND技术规划

三星第六代V-NAND技术

三星早在6月份就推出了第六代V-NAND（128层256Gb 3D TLC NAND），8月份宣布基于该技术已批量生产250GB SATA SSD，如今实现了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产，将加快导入到SSD和eUFS的应用。

128层3D NAND，三星与SK海力士公开展开竞争

128层3D NAND是96层下一代技术，除了三星，SK海力士也是在6月份宣布推出首款128层TLC 4D NAND，11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品，并较预期提前量产，基于该技术将推出1TB UFS 3.1、2TB客户端cSSD、16TB企业级eSSD，计划于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

SK海力士128层4D NAND

SK海力士基于128层4D NAND的产品

在128层3D NAND技术上，三星和SK海力士发展的时间进程大体一致，西部数据/铠侠、美光等虽有128层3D NAND技术，但尚未公开发布基于该技术的产品，所以与三星公开展开竞争的是SK海力士。

根据Jinman介绍，三星第六代V-NAND实现的是128层堆叠，1200Mbps的IO速率，量产的是256Gb、512Gb容量。值得注意的是，与SK海力士128层4D NAND量产1Tb相比，就目前而言三星128层量产的256Gb、512Gb在容量上略逊一筹，这是关键的竞争要素，因为将直接影响到产品的成本竞争力。

不过，三星基于128层3D NAND技术也会量产1Tb，这是毋庸置疑的，只是时间问题而已。

两“虎”相争，良率和量产规模备受关注！

当然，产品市场竞争力也不能仅仅从3D层数、容量等角度单一衡量，当今的NAND Flash设计更需要综合考虑层数、存储单元间距、单元厚度、功耗、整体性能、投资效益等诸多因素，还有量产的良率等等，也是市场竞争的要素。

据悉，三星新建成的平泽2号工厂首先建设的是一条NAND Flash生产线，然后会再投资建设DRAM产线，与平泽一期工厂的规划将大体一致。之前，有报道称三星平泽2号工厂（P2）设备投资减缓，但近期有相关行业人士表示，三星要求平泽2号工厂的设备交货日期不变。三星也在最新季度财报电话会议上表示，计划在2020年运营平泽2号工厂，但尚未确定大规模生产的时间。

平泽工厂外貌图

根据三星目前128层3D NAND技术发展，以及工厂进度规划，预计2020上半年投产的计划不变，且将可能量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段，新工厂除了已经运营的M15，正在新建的M16工厂将在2020年底完工，这使得业内人士对2020年NAND Flash供应增加表示担忧。

据各原厂技术发展，2020年96层3D NAND才是主流技术，128层3D NAND占比不会太高，而且原厂新工厂是为了3D NAND技术顺利过渡，产出也会视需求而定。至于市场需求，均看好5G手机，物联网、人工智能、车联网等带来的大数据存储需求，对2020 存储产业看法持乐观的态度。