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中国DRAM大厂打破全球格局

闪德资讯获悉,据了解,中国存储大厂今年DRAM产能将大幅超出预期。

如果趋势持续,DRAM产量预计将紧随美光,有望达到SK海力士的一半。

未来的全球DRAM市场将从三方格局变为四方格局,供给过剩将成为现实。

三星电子、SK海力士、美光近15年来形成的三足鼎立格局,开始被打破。

虽然中国DRAM市场份额还很低,但正在飞快上升,产生了滚雪球效应。

这也是韩国在存储产业取代日本的发展方式。

知情人透露,该厂商还在HBM研发上大规模投入,正在开发HBM2E(第三代HBM)和HBM3(第四代HBM)。

闪德资讯,一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。

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