美光抢先支持佳能纳米半导体压印技术，以降低DRAM生产成本

美商存储大厂美光计划首先支持日本佳能(Canon) 的纳米半导体压印技术，希望借此进一步降低生产DRAM内存的成本。

美光日前举办演讲，介绍纳米半导体压印用于DRAM生产的细节，DRAM制程和沉浸式曝光解析度，也就是Chop层数不断增加，代表必须增加更多曝光步骤，以取出密集内存阵列周围虚假结构（dummy structures）。

由于光学系统特性，DRAM层图案很难用光学曝光画图案，纳米半导体压印可更精细列印图案，且纳米半导体压印成本是沉浸式曝光20%，是颇佳解决方案。但纳米半导体压印并不能在内存生产所有阶段取代传统光刻机，两者并非纯粹竞争关系，但至少降低单技术操作成本。

佳能2023年10月公布FPA-1200NZ2C纳米半导体压印（NIL）设备，社长御手洗富士夫表示，纳米半导体压印问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟新途径。半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米半导体压印是指将有半导体电路图的光罩压印至晶圆，只需一个印记就可在适当位置形成复杂2D或3D电路图，只需改进光罩，甚至能生产2纳米芯片。