佳能推出纳米压印半导体制造设备 纳米压印未来或将追赶光刻技术

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。

纳米压印是将光刻胶(PR)涂在晶圆上，然后压上印有特定图案的印模以形成电路。因为它不使用镜头，所以可以以比现有曝光工艺更低的成本实现精细工艺。纳米压印替代的是光刻环节，只有光刻的步骤被纳米压抑技术代替，其他的刻蚀、离子注入、薄膜沉积这些标准的芯片制造工艺是完全兼容的，能很好的接入现有产业，不用推翻重来。根据相关资讯，佳能等国际厂商拟试图通过纳米压印技术在部分集成电路领域替代EUV光刻设备实现更低成本的芯片量产。佳能的NIL技术使图案的最小线宽为14nm，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望使电路图案化的最小线宽为10nm，这对应于2nm节点。市场分析指出，未来当光学光刻真正达到极限难以向前时，纳米压印技术或将是一条值得期待的路线，而那时，芯片制造或许也会迎来全新的范式，一切都会被颠覆。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

美迪凯控股子公司在纳米压印制程领域，具有自主知识产权及核心技术，公司采用灰度光刻、纳米压印及晶圆封装工艺成功开发了一种无基材晶圆级压印光学模组技术。

晶方科技控股公司荷兰Anteryon早在2008年就开发了包括微透镜在内的晶圆级镜头工艺，公司控股子公司晶方光电在苏州的纳米压印产线从2019年开始也将此工艺应用在车用照明产品中。

（财联社）