Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...SliceM算是SliceL的升级版,除了具有SliceL的功能之外还可以配置成64bit分布式RAM(64bit Distributed RAM)或16/32位的移位寄存器。...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元...,要一块一块的使用,不像分布式RAM那样用多少bit都可以。...Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。...但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。...6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。否则,就可以用Distributed RAM。
4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类: 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,...另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM...DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读和写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。...另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。
以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。...从而,从输出到输出的最大Latency为2。采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。...(图片来源:ug573,figure 1-5) 这两个18Kb的Block RAM可形成如下图所示的4种配置方式。 ?...结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗
在RAM中,单端口RAM(Single-port RAM)和双端口RAM(Dual-port RAM)是两种常见的类型,双端口RAM又分为真双端口(True dual-port RAM)和伪双端口RAM...伪双端口RAM可以提供并行读写操作,避免了传统单端口RAM的等待时间,因此有更快的访问速度和响应时间。...实际上FIFO可由伪双端口RAM例化而成。 RAM和FIFO中的深度(Depth)和宽度(Width)指的是什么? 除了弄清单端口与双端口的区别,还得理解存储器最重要的两个参数——位宽、深度。...所以双口RAM两个端口都分别带有读写端口,可以在没有干扰的情况下进行读写,彼此互不干扰。 3.2 verilog代码 实现一个深度为16、位宽为4的真双端口RAM。...图片 B端写入的数据与A端不同,A是连续的数据输入,B是间隔的数据输入(即是在自身的基础上不断+2得到的),整个RAM写入的数据如上所示。
设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ?...还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。...其中,第4种实现方式同时使用了cascade_height和ram_decomp两个综合属性。 ? 相比下来,第4种实现方式可获得性能和功耗的折中。第1种和第3种实现方式是一致的,均获得较低的功耗。...结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是,当要实现两个独立的单端口RAM模块时,首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...(2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。...这种简单双端口RAM 模式也支持同时的读写操作。 块RAM 支持不同的端口宽度设置,允许读端口宽度与写端口宽度不同。这一特性有着广泛地应用,例如:不同总线宽度的并串转换器等。...一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!...函数的局部变量过多,越界 出现的问题:程序跑错乱,重启 / 死机 因为STACK是往下增长,所以会占用 Heap 的地方 解决方法:1,确定程序没有问题 2,增大Stack 不能够使用malloc
Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。...不同版本的VxWorks提供的API略有不同,今天来看看Vx55和Vx69
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
在刷新模式中死时间应试是连续的不能进行存取操作的时间。...RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为...3、另外异步式刷新,在异步刷新里,相当于把刷新周期内所有的存取周期等长的分成了N段,在每段的末尾只会有一个存取周期用来刷新,而等其结束后又可进行存取操作,虽然在最大刷新间隔2ms内总的刷新时间是一样的,...但因为连续的不能进行读取操作的时间为2us,只能说死区是2us, 比 集中式小很多。...这种情况下他们的效率有很大的差别。
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。...例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式,1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM,这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...事实上,此时每个BRAM有一半的资源闲置。这里,采用另一种方式:将BRAM配置为1Kx18的双端口RAM,其中端口A和端口B均为1Kx18的模式。具体配置方式如下图左边区域所示。...二者地址空间没有重叠,因此互相独立,从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外,端口A和端口B的位宽可以不一致(但不是随意的),如上图的右半区域所示。...二者地址空间依然没有重叠,仍相互独立,从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下: 对于URAM是否可以这么配置?
1.介绍 本文主要针对如何合理的使用STM32的RAM角度入手,对STM32的RAM进行分配与计算。目的是降低RAM的使用率,将RAM的使用情况都弄清楚,从而合理的规划及分配内存。...这种情况下,堆栈占用的内存就是上面说的:如果没有初始化数组,或者数组的初始化值为0,堆栈就是占用的RAM的ZI-data部分;如果数组初始化值不为0,堆栈就占用的RAM的RW-data部分。...(2)就是把编译器没有用掉的RAM部分拿来做内存分配,也就是除掉RW-data+ZI-data+编译器堆+编译器栈后剩下的RAM内存中的一部分或者全部进行内存管理和分配。...在这块RAM中,合理的估算每个线程的栈大小可以有效的对该大小进行规划。...3.3 操作系统RAM的使用情况 在操作系统中,使用RAM的情况可以通过对每个线程栈的最大深度来进行计算。
对于 分布式 RAM,支持简单双口 RAM 和双口 RAM,不能配置成真双口 RAM。 问题在于:Xilinx 给出的 DRAM(分布式 RAM)支持双口,我把双口认为包含真双口了,不对。...对于 BRAM(Block RAM,块 RAM) 在 BRAM Controller 控制器下,支持单口 RAM、真双口 RAM、单口 ROM 和双口 ROM; 在不使用 AXI 的控制器情况下...真双口 RAM: 和简单双口的区别: 简单双口是一个口专门读,一个口专门写; 真双口是 2 个口都可以读写; 真双口可以看成是 2 个单口拼起来的,且 2 个单口共享存储器。 ?...ROM 给地址,出对应地址的数据,没有时钟 ? RAM:支持单口、简单双口、双口。 (注意!这里的双口和真双口不同,DRAM 不支持真双口 RAM) ?...四口 RAM:1 个通道共享读写,3 个通道只读; 单口: WE = 1 写入,使用的实际上是 WA[6:1] 地址,写入发生在时钟的上升沿,时序逻辑; WE = 0 读出,使用的是 A[6:1]
定义与功能内存条,全称为Random-Access Memory(RAM),也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。...CPU完全依赖内存条来执行各种操作,因为所有外存(如硬盘、光盘等)上的内容必须通过内存才能发挥作用。内存条起到了连接CPU和其他设备的通道的作用,起到了缓冲和数据交换的作用。...历史发展在个人电脑历史上,内存条曾经是主内存的扩展。但随着电脑软硬件技术的不断发展,内存条已成为读写内存的整体。早期的电脑主板上有主内存,而内存条是主内存的扩展。...内存参数与性能指标内存条的容量是衡量其性能的一个重要指标,常见的容量级别有256MB、512MB、1G、2G、8G、16G等。...知名品牌如金士顿(Kingston)、光威(Gloway)等生产的内存条在市场上广受欢迎,具有较高的可靠性和稳定性。总之,内存条是电脑中不可或缺的组成部分,它对于电脑的性能和稳定性有着至关重要的影响。
首先出现的设备具有6GB,然后是8GB,然后是10GB,然后是12GB,未来是多少.... 手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。...如果进程需要更多的RAM且RAM可用,则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是,当资源稀缺时,事情就会变得复杂。如果CPU繁忙,手头的工作仍会完成,但不会那么快。RAM不同。...当您没有更多的内存时,等待更长的时间可能不会导致释放更多的RAM。这时,内核需要主动获取一些RAM。 Linux和Android以两种方式处理此问题。首先,使用zRAM进行交换。...压缩内存不是直接可读的,因此,如果需要,必须将其解压缩并写回。这与换入相同。 当进程请求更多RAM且RAM不可用时,内核将尝试通过交换释放一些RAM。...设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush,但不喜欢其他东西,那么您将使用刚超过1GB的RAM。
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。...解决办法是DMA,让设备直接通过北桥访问RAM,而不需要CPU的介入。如今挂到任一bus的所有高性能设备都能利用DMA。虽然DMA减少了CPU的工作量,但是争用了北桥的带宽 北桥到RAM的瓶颈。...老的系统里只有一条通往所有RAM芯片的bus。现在的RAM类型要求有两条独立的bus,所以倍增了带宽(DDR2里称为channel)。北桥通过多个channel交替访问内存。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。
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