Block RAM与Distributed RAM，简称为BRAM与DRAM， 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构： FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...SliceM算是SliceL的升级版，除了具有SliceL的功能之外还可以配置成64bit分布式RAM（64bit Distributed RAM）或16/32位的移位寄存器。...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器，Distributed RAM需要使用SliceM，所以要占用CLB中的逻辑资源，而Block RAM是单独的存储单元...，要一块一块的使用，不像分布式RAM那样用多少bit都可以。...Block RAM是单独的RAM资源，一定需要时钟，而Distributed RAM可以是组合逻辑，即给出地址马上给出数据，也可以加上register变成有时钟的RAM，而Block RAM一定是有时钟的
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间，dram浪费LUT资源 1.物理上看，bram是fpga中定制的ram资源，dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用，建议用bram；零星的小ram，一般就用dram。...但这只是个一般原则，具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。 5.dram可以是纯组合逻辑，即给出地址马上出数据，也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。...6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高，就用BlockRAM。否则，就可以用Distributed RAM。
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM，和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
以UltraScale芯片为例，每个Block RAM为36Kb，由两个独立的18Kb Block RAM构成，如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出，Block RAM本身会对输入控制信号（addr, we, en）和输入数据（din）进行寄存（这些寄存器是可选的且在Block RAM内部），同时对输出也可寄存（该寄存器也是可选的）。...从而，从输出到输出的最大Latency为2。采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时，可按照Block RAM的架构描述。...（图片来源：ug573,figure 1-5） 这两个18Kb的Block RAM可形成如下图所示的4种配置方式。 ?...结论： -在使用Block RAM时，为便于时序收敛，最好使用Embedded Registers 上期内容： 查找表用作分布式RAM 下期内容： Block RAM的性能与功耗
4、DRAM（Dynamic RAM）动态RAM 5、DDR SDRAM （Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类： 一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，...另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM...DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线，因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时，需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM，只有一套地址总线，读和写是分开（至少不能在同一个周期内完成）。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read doutram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
在RAM中，单端口RAM（Single-port RAM）和双端口RAM（Dual-port RAM）是两种常见的类型，双端口RAM又分为真双端口（True dual-port RAM）和伪双端口RAM...伪双端口RAM可以提供并行读写操作，避免了传统单端口RAM的等待时间，因此有更快的访问速度和响应时间。...实际上FIFO可由伪双端口RAM例化而成。 RAM和FIFO中的深度（Depth）和宽度（Width）指的是什么？ 除了弄清单端口与双端口的区别，还得理解存储器最重要的两个参数——位宽、深度。...所以双口RAM两个端口都分别带有读写端口，可以在没有干扰的情况下进行读写，彼此互不干扰。 3.2 verilog代码 实现一个深度为16、位宽为4的真双端口RAM。...图片 B端写入的数据与A端不同，A是连续的数据输入，B是间隔的数据输入（即是在自身的基础上不断+2得到的），整个RAM写入的数据如上所示。
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
设计中如果大量使用Block RAM，可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例，目标芯片为UltraScale，通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度，如下图所示。 ?...还有一个综合属性ram_decomp，可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例，采用如下图所示的四种实现方式。...其中，第4种实现方式同时使用了cascade_height和ram_decomp两个综合属性。 ? 相比下来，第4种实现方式可获得性能和功耗的折中。第1种和第3种实现方式是一致的，均获得较低的功耗。...结论： -使用大深度的RAM时，可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式，以获得性能与功耗的折中 上期内容： Block RAM的基本结构 下期内容： UltraRAM
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!...函数的局部变量过多,越界 出现的问题:程序跑错乱,重启 / 死机 因为STACK是往下增长,所以会占用 Heap 的地方 解决方法:1,确定程序没有问题 2,增大Stack 不能够使用malloc
单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是，当要实现两个独立的单端口RAM模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...（2）简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示，图中上边的端口只写，下边的端口只读，因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM（Pseudo Dual Port RAM）。...这种简单双端口RAM 模式也支持同时的读写操作。 块RAM 支持不同的端口宽度设置，允许读端口宽度与写端口宽度不同。这一特性有着广泛地应用，例如：不同总线宽度的并串转换器等。...一般来讲，在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中，能达到的最宽数据位为36比特*512，但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
Ram Disk，顾名思义，就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了，比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储，都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时，本来就不依赖文件系统，因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着，别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大，而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk，它还只是一个Device，一般在使用时，还要在Disk上创建块设备，并将这个块设备格式化。...不同版本的VxWorks提供的API略有不同，今天来看看Vx55和Vx69
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core，但从资源角度来看，可能会造成浪费。...例如，需要2个512x18的单端口RAM，若直接采用单端口RAM的配置方式，1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM，这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...事实上，此时每个BRAM有一半的资源闲置。这里，采用另一种方式：将BRAM配置为1Kx18的双端口RAM，其中端口A和端口B均为1Kx18的模式。具体配置方式如下图左边区域所示。...二者地址空间没有重叠，因此互相独立，从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外，端口A和端口B的位宽可以不一致（但不是随意的），如上图的右半区域所示。...二者地址空间依然没有重叠，仍相互独立，从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下： 对于URAM是否可以这么配置？
在刷新模式中死时间应试是连续的不能进行存取操作的时间。...RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内（2ms），先让存储器读写，然后集中刷新，这样就存在死区问题，如果是存取周期为2us的话，这样对于64*64的存储矩阵来说，集中刷新为128us，死区时间也为...3、另外异步式刷新，在异步刷新里，相当于把刷新周期内所有的存取周期等长的分成了N段，在每段的末尾只会有一个存取周期用来刷新，而等其结束后又可进行存取操作，虽然在最大刷新间隔2ms内总的刷新时间是一样的，...但因为连续的不能进行读取操作的时间为2us,只能说死区是2us， 比 集中式小很多。...这种情况下他们的效率有很大的差别。
1.介绍 本文主要针对如何合理的使用STM32的RAM角度入手，对STM32的RAM进行分配与计算。目的是降低RAM的使用率，将RAM的使用情况都弄清楚，从而合理的规划及分配内存。...这种情况下，堆栈占用的内存就是上面说的：如果没有初始化数组，或者数组的初始化值为0，堆栈就是占用的RAM的ZI-data部分；如果数组初始化值不为0，堆栈就占用的RAM的RW-data部分。...（2）就是把编译器没有用掉的RAM部分拿来做内存分配，也就是除掉RW-data+ZI-data+编译器堆+编译器栈后剩下的RAM内存中的一部分或者全部进行内存管理和分配。...在这块RAM中，合理的估算每个线程的栈大小可以有效的对该大小进行规划。...3.3 操作系统RAM的使用情况 在操作系统中，使用RAM的情况可以通过对每个线程栈的最大深度来进行计算。
balance），C为当前未释放的RAM容量，X为购买投入EOS数量，RAMCORE为X单位EOS转换后的RAMCORE数量，RAM为对应RAMCORE转换为RAM的数量。...并不存在一个直接的利用Bancor Protocol的EOS-RAM交易对，而是通过交易传递产生了EOS-RAM交易对。经过简单代入推导，最后得出RAM的购买公式是： 公式8 image 这说明什么？...翻译成人话就是说，每新出一个块，增加1kb RAM内存。直观的理解就是在公式7中，C的值在接近连续的匀速变大，定量EOS换成的RAM变多，即RAM价格降低。这种连续的缓慢扩容机制，也被后来者锁学习。...曾经有过建议，为什么RAM不按照EOS持有比例直接分配给所有人，但由于RAM的直接使用者是开发者，同时又是稀缺资源，平均分发机制并不给持有者提供卖出RAM的动力，随着主网生态繁荣，很可能陷入开发者无RAM...可用但却有大量RAM闲置的状态。
随着硬件配置的不断提升，RAM的大小从之前的几百兆提升到了现在的几十G的情况，特别是在消费级智能手机上，最大的运行内存几乎每年都能刷新最高值。...同时针对低RAM的设备，Google也早就推出了Android Go的系统，去除了很多不必要的功能，使得低RAM的设备也能运行流畅。如何查看可用存储在Android中，查看剩余存储的大小有很多种方式。...在可分配RAM不够的时候或者触发kswapd阈值的时候，kswapd会负责回收缓存页来确保RAM，当kswapd回收还是无法满足时候，还会触发LMK来杀死常驻进程来获取内存。...，经常会用之前的项目去评估新项目情况下的可用RAM的情况。...屏幕分辨率对可用存储的影响非常的大，高分辨率意味着系统中用的是更高清的图片资源，自然会占用更多的RAM。
对于 分布式 RAM，支持简单双口 RAM 和双口 RAM，不能配置成真双口 RAM。 问题在于：Xilinx 给出的 DRAM（分布式 RAM）支持双口，我把双口认为包含真双口了，不对。...对于 BRAM（Block RAM，块 RAM） 在 BRAM Controller 控制器下，支持单口 RAM、真双口 RAM、单口 ROM 和双口 ROM； 在不使用 AXI 的控制器情况下...真双口 RAM： 和简单双口的区别： 简单双口是一个口专门读，一个口专门写； 真双口是 2 个口都可以读写； 真双口可以看成是 2 个单口拼起来的，且 2 个单口共享存储器。 ?...ROM 给地址，出对应地址的数据，没有时钟 ? RAM：支持单口、简单双口、双口。 （注意！这里的双口和真双口不同，DRAM 不支持真双口 RAM） ?...四口 RAM：1 个通道共享读写，3 个通道只读； 单口： WE = 1 写入，使用的实际上是 WA[6:1] 地址，写入发生在时钟的上升沿，时序逻辑； WE = 0 读出，使用的是 A[6:1]
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口（port） CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈： 为设备去访问RAM的瓶颈。...解决办法是DMA，让设备直接通过北桥访问RAM，而不需要CPU的介入。如今挂到任一bus的所有高性能设备都能利用DMA。虽然DMA减少了CPU的工作量，但是争用了北桥的带宽 北桥到RAM的瓶颈。...老的系统里只有一条通往所有RAM芯片的bus。现在的RAM类型要求有两条独立的bus，所以倍增了带宽（DDR2里称为channel）。北桥通过多个channel交替访问内存。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...DRAM物理结构：若干RAM chip，RAM chip下有若干RAM cell，每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟（等待电容充放电），但DRAM便宜，容量大。
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