长江存储申请一种半导体器件及其制备方法专利，提供半导体器件及其制备方法

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN 120614866 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极层；在所述栅极层上形成第一掩膜层；利用所述第一掩膜层对所述栅极层进行刻蚀，形成栅极；对所述衬底进行离子掺杂，以在所述栅极两侧形成源/漏区；去除所述第一掩膜层；形成覆盖所述栅极侧面的栅极侧墙。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1416次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

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来源：市场资讯