我国的钽酸锂集成“芯片”有多高级，美国看到也惊呼，太牛逼！

近年来，我国在微电子领域的研究和投入不断增加，尤其是在光子芯片等前沿技术领域取得了显著进展。钽酸锂集成芯片的制造无疑是我国在微电子领域取得的一项重要突破。然而，关于具体的制造时间，由于涉及到科研项目的保密性和复杂性，目前并没有确切的公开信息。

钽酸锂作为一种具有优异性能的材料，在微电子领域具有广泛的应用前景。因此，我国科研人员在钽酸锂集成芯片的制造方面进行了大量的研究和探索。

虽然具体的制造时间尚不得而知，但我们可以肯定的是，这一成果的取得离不开我国科研人员的辛勤付出和持续努力。他们通过不断的研究和试验，攻克了一个又一个技术难题，最终实现了钽酸锂集成芯片的制造。这一成果的取得，不仅提升了我国在微电子领域的国际地位，也为我国的信息产业发展注入了新的动力。

至于美国对于我国钽酸锂集成芯片制造的态度，我们可以从多个角度进行分析。

1.美国作为全球科技领域的领先者，对于任何可能威胁到其科技霸主地位的技术突破都会保持高度关注。因此，我国在钽酸锂集成芯片制造方面取得的进展，无疑会引起美国的注意。

2.美国对于我国芯片产业的发展一直持有一定的警惕和限制态度。这主要体现在技术输出、市场准入以及国际市场竞争等方面。

3.美国担心我国在芯片领域的快速发展会对其自身的科技产业和国家安全构成威胁。因此，对于我国在钽酸锂集成芯片制造方面的突破，美国可能会采取一些措施来限制或打压。

我们也应该看到，科技领域的竞争是全球性的，任何国家都希望在这一领域取得领先地位。我国在钽酸锂集成芯片制造方面的突破，不仅是我国科技实力的体现，也是全球科技发展的必然趋势。因此，我们应该以开放、合作的态度面对国际竞争，推动全球科技事业的共同进步。

我国钽酸锂集成芯片的制造时间虽然尚未公开，但我们可以肯定的是，这一成果的取得是我国科研人员不懈努力的结果。