三星再突破，12层！

三星半导体官微发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM：12 层堆叠，容量再突破。

三星于2月27日宣布推出其创新性的12层堆叠HBM3E DRAM产品——HBM3E 12H。这款新产品标志着三星在HBM技术领域的最新里程碑，凭借其36GB的超大容量和出色的性能，满足了当前人工智能服务供应商对于更高容量存储解决方案的迫切需求。

HBM3E 12H展现了出色的性能，其全天候最高带宽达到了惊人的1280GB/s，相较于三星先前的8层堆叠HBM3 8H产品，带宽和容量提升了超过50%。这一突破性的进步为人工智能训练和推理服务提供了强大的动力，预计将使得人工智能训练的平均速度提升34%，同时推理服务的用户数量也可增加超过11.5倍。

三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“随着人工智能行业的快速发展，市场对于更高容量的HBM需求日益迫切。我们的HBM3E 12H正是为了满足这一需求而诞生的。这一全新的存储解决方案不仅体现了我们在多层堆叠HBM核心技术方面的研发实力，也彰显了我们在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力的决心。”

值得一提的是，HBM3E 12H采用了创新的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层堆叠产品的高度与8层堆叠产品保持一致，从而满足了当前HBM封装的要求。该技术通过降低非导电薄膜（NCF）材料的厚度，实现了芯片之间间隙的最小化，达到了7微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些创新举措使得HBM3E 12H的垂直密度相较于HBM3 8H提高了20%以上。

此外，热压非导电薄膜（TC NCF）技术还允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块，从而优化了HBM的热性能。在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种巧妙的设计有助于提高产品的良率，为用户带来更为稳定和可靠的存储体验。

目前，三星已开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并预计在今年下半年开始大规模量产。