接下来，结合仿真模型（镁光官网提供的 SDRAM 模型）sdr文件，和编写的 testbench 文件验证所设计的控制器是否正确。 testbench如下
完整教程下载地址：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第49章 STM32H7的FMC总线应用之SDRAM 本章
常见的SDRAM控制器代码都是基于连续突发读写模式的，在需要传输连续地址的大批量数据时十分方便。但是需要进行随机的地址读写时，突发读写的控制器便不方便使用。例如将SDRAM作为CPU的内存模块使用时，常常需要访问和修改随机地址的数据，故需要设计SDRAM随机读写控制器。
再者就是通信处理模块，具体的通信设置，发送什么命令是写？什么命令是读？发的什么数据？等等。
前面的三篇文章，我们已经简述了基本的SDRAM的基本操作。这里总结一下SDRAM的几个模块，SDRAM的上电初始化，自刷新、读写模块、顶层仲裁控制。了解了上面的操作，我们已经可以完成SDRAM控制器的代码完成，接下来我们便完善SDRAM控制器的接口，简化该SDRAM控制器设计，使得该SDRAM控制器可以很容易的使用。下面的接口定义如下：
最新教程下载：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=93255 第39章 STM32F429的FMC总线应用之SDRAM 本章
今天给大侠带来基于FPGA的单目内窥镜定位系统设计，由于篇幅较长，分三篇。今天带来第三篇，下篇，话不多说，上货。
工作中使用过SDRAM芯片，型号：IS42/45R86400D/16320D/32160D
同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。SDRAM的特点是需要定期进行刷新操作，这也要求SDRAM需要一个控制器来对SDRAM进行控制，更为详细的SDRAM的知识可以上网进行查找，这里不再做过多的阐述。
SDRAM凭借其极高的性价比，广泛应用于高速数据存储、实时图像处理等设计当中，但是相对于SRAM、FIFO等其他存储器件，SDRAM的控制相对复杂。虽说是复杂，但也不代表没办法实现，仔细梳理一下，发现SDRAM的控制其实也没这么难。本文就SDRAM的基本概念以及其工作流程做简要介绍。
随着嵌入式技术的不断发展，嵌入式芯片的内存也越来越大。从最开始的51单片机，然后是STM32，现在逐渐的跑操作系统，例如Linux等等。这就需要嵌入式工程师掌握RAM相关的知识，如何利用好RAM是一个很大的难题，同时也是嵌入式必备的知识储备。下面就总结一下ram相关的概念。
本文讲述下利用sdram缓存从摄像头处得到的数据，并将图像显示到显示屏上的工程架构。本文不涉及具体的代码讲解，只描述其中的实现思路。
指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有 SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
内存的关键指标包括内存大小，速度，较低的工作电压和更快的访问速度。DDR5支持8Gb至64Gb的内存，并结合了3200 MT / s至6400 MT / s的多种数据速率。DDR5的工作电压从DDR4的1.2V进一步降低到1.1V。
介绍的重点： ·动态随机存储介绍 ·介绍SDARM的工作原理与Verilog的实现方法 ·基本实验：利用基本实例来解释SDRAM控制器顶层模块的设计 ·高级实验：利用高级实例来完整的描述SDRAM控制器顶层模块的修改技巧与注意事项 问题：什么是SDRAM 那？ 回答： 同步动态随机存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory） 目前很多芯片及系统开发，如影像采集或显示系统，都要用到保存容量大、读写速度高的存储器，本次介绍的SDRAM具有价格低、体积小、容量大、速度快特点，是理想的选择 SDRAM的框架：SDRAM是将存储器单元（Memory Cell）利用矩阵的方式来排列，矩阵中有列地址（Row Address）及行地址（Column Address），为了读出或写入某数据，SDRAM控制器会先传送列的地址，此时RAS信号被设定为Active状态，在存取行的地址前还需要几个执行周期，这段时间为RAS至CAS的延迟时间，而CAS信号则需经过几个时钟周期后，才开始稳定的书写数据，这段时间就是CAS延迟时间（CL）。
一：SDRAM SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM的一些参数： （1）容量。SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示。例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit，表明该存储器芯片的容量为16 M字节。或12
完整教程下载地址：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第47章 STM32H7的FMC总线基础知识和HAL库AP
IDLE 状态到WRITE 状态： 1) 在IDLE 状态需要先给ACT 命令激活某一行，此时处于Row Active 状态； 2) 在Row Active 状态之后，给Write 命令则会进入WRITE 状态； 3) 在WRITE 状态后，再给一次Write 命令，就可以继续写入数据。 WRITE 状态到IDLE 状态： 1) 在WRITE 状态给PRE 命令，则SDRAM 将跳出WRITE 状态进入Precharge状态； 2) 在Precharge 状态后，就会自动进入IDLE 状态了。
该文摘要总结：本文介绍了汇编指令中的adr和ldr伪指令，以及它们在ARM体系结构中的使用。其中，adr为相对寻址指令，ldr为加载指令。通过实例讲解了这两种指令的使用方式和作用。
大侠好，欢迎来到FPGA技术江湖。本系列将带来FPGA的系统性学习，从最基本的数字电路基础开始，最详细操作步骤，最直白的言语描述，手把手的“傻瓜式”讲解，让电子、信息、通信类专业学生、初入职场小白及打算进阶提升的职业开发者都可以有系统性学习的机会。
今天给大侠带来基于FPGA的实时图像边缘检测系统设计，由于篇幅较长，分三篇。今天带来第二篇，中篇，话不多说，上货。
如图是S3C2440是个片上系统，有GPIO控制器（接有GPIO管脚）,有串口控制器 (接有TXD RXD引脚)。
在现代数字化时代，服务器的性能和能力变得越来越关键。随着数据处理和存储需求的不断增长，内存（RAM）在服务器性能中扮演着至关重要的角色。在过去的几十年里，内存技术经历了多次革命性的变革，其中包括DDR3、DDR4和DDR5等内存标准的推出。本文将深入探讨这三种内存标准，比较它们在性能、能效、适用场景等方面的差异，帮助您了解如何选择适合您服务器需求的内存。
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经过几天的Sdram项目调试，小编想说简直了~，感触颇深，今天就分享给大家喽~ Sdram项目调试感悟： 1. 首先保证仿真正确，能够完全读写整个sdram model【难点二】 2. 保证板子上的sdram是正常工作的。 3. 时钟：sdram的输入时钟能在数据中间采样（做相移或者output delay）【难点一】 4. 约束：时序约束和物理约束 5. 其他 复位或者VIO：Debug的时候会感受到这个神奇之处 Oddr2的使用，这里有两个坑： （1）如果输出管脚不是时钟引脚，则需要加CLOCK_D
本文主要介绍了如何制作一个简单的U-Boot启动加载程序。首先介绍了U-Boot的架构和主要功能，然后详细描述了如何制作U-Boot的启动加载程序。最后，给出了一个示例代码和相关的工具链。
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早期内存通过存储器总线和北桥相连，北桥通过前端总线与CPU通信。从Intel Nehalem起，北桥被集成到CPU内部，内存直接通过存储器总线和CPU相连。
今天给大侠带来今天带来FPGA 之 SOPC 系列第四篇，NIOS II 外围设备--标准系统搭建，希望对各位大侠的学习有参考价值，话不多说，上货。
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。
在有的项目中我们需要扩展外扩SDRAM，所以需要操作SDRAM，以使用STM32H743主控芯片的FMC外设控制器为例子来说明，可以使用STM32CubeMX生成配置初始化代码，完了后需要添加一些代码才能保证SDRAM正常工作，本篇笔记主要介绍SDRAM的操作和读写。
S3C2440的CPU可以直接给SDRAM发送命令、给Nor Flash发送命令、给4K的片上SDRAM发送命令，但是不能直接给Nand Flsh发送命令
在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM、nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~40
位置无关码 即该段代码无论放在内存的哪个地址，都能正确运行。究其原因，是因为代码里没有使用绝对地址，都是相对地址。 位置相关码 即它的地址与代码处于的位置相关，是绝对地址 BL :带链接分支跳转指令
NAND FLASH本身是连接到了控制器上而不是系统总线上。CPU运行机制为：CPU启动后是要取指令执行的，如果是SROM、NOR FLASH 等之类的，CPU 通过地址线发个地址就可以取得指令并执行，NAND FLASH不行，因为NAND FLASH 是管脚复用，它有自己的一套时序，这样CPU无法取得可以执行的代码，也就不能初始化系统了。
本章节分析基于以太网图像传输工程，其实上周就已经做完，只不过实在是难以总结，代码的理解有时候真的要自己去逐词逐句的分析，不然也就只能理解其过程，无法重新复现，工程下载链接：
本篇作为有关DDR的相关知识的第一篇，先给出DDR的前生SDRAM以及演变DDR/DDR2/DDR3等的总体概念与区别，后面会细分技术细节。文章参考互联网以及国外各大网站以及文献，水平有限，若有疏漏，还请谅解。注：本文首发易百纳技术社区，FPGA逻辑设计回顾（9）DDR的前世今生以及演变过程中的技术差异[1]
今天给大侠带来基于FPGA的单目内窥镜定位系统设计，由于篇幅较长，分三篇。今天带来第二篇，中篇，话不多说，上货。
我们利用局部性原理将计算机存储器组织成为存储器层次结构(memory hierarchy)。存储器层次结构由不同速度和容量的多级存储器构成。 如果存储器需要的数据存放在高层存储器中的某个块中，则称为一次命中。命中率是在高层次存储器中找到数据的存储访问比例，是存储器层次结构性能的重要衡量指标。
在上期，我们提到了，DRAM从FPM，EDO，EDO Burst，SDRAM一路进化，在SDRAM 133MHz时代，每片芯片(16bit)理论上可实现266MBps的吞吐性能。每内存通道64bit理论上最高(burst方式)可提供1066MBps吞吐性能，两个内存通道合计约2GBps。
以Hi3536为例 SDRAM的地址范围： 40000000 – 43FFFFFF （实际DDR是4Gbit，MPP和OS共用） 相应海思的型号DDR范围到此目录寻找：01.software/board/document_cn/Hi3518EV20X／Hi3516CV200 SDK 安装以及升级使用说明.txt Flash型号MX25L25635F（32MB）；block（32k或64k）；
PC端通过串口模块UART_RX发送读写命令以及数据到Cmd_encode模块，由后者分离出数据存入wfifo模块，剩下的读写命令传送到Sdram_top模块对SDRAM进行写操作或者从SDRAM读数据到rfifo模块并通过UART_TX模块将数据送出到PC端。
📚 文档目录 合集-数的二进制表示-定点运算-BCD 码-浮点数四则运算-内置存储器-Cache-外存-纠错-RAID-内存管理-总线-指令集: 特征- 指令集:寻址方式和指令格式 Memory 存储器由一定数量的单元构成，每个单元可以被唯一标识，每个单元都有存储一个数值的能力. 地址:单元的唯一标识符(采用二进制). 地址空间:可唯一标识的单元总数. 寻址能力: 存储在每个单元中的信息的位数 大多数存储器是字节可寻址的,执行科学计算的计算机通常是64位寻址的. 半导体存储器 主存中广泛地运用了半导体芯片.
内存条，全称为Random-Access Memory（RAM），也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
最近AIoT应用大赛正在火热展开，看到许多参赛选手对于NXP工程及IDE接触较少，在此我就以移植一个SDK工程为例，给大家简单介绍移植的过程以及一些注意事项。
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