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    Qualcomm《Pseudo-Capless LDO设计指南》解读

    类目 说明 Pseudo-Capless LDO 允许输出电容离LDO本体较远,靠负载端电容和布局设计保障稳定性。 稳定性控制三要素 最大输出电流、负载电容大小、电感 (ESL)。...我来解读,LDO根据应用中是否需要电压调节(Voltage Scaling),分成不同情况讨论: 场景 特性 支持Pseudo-Capless?...总结一下: 大电流跳变(>400mV)不适用Pseudo-Capless!低电流、稳压或小幅度动态调节特别适合采用。 文章里面有个重要的前提是 PMOS 管才可以!...为什么Pseudo-Capless LDO一定选PMOS?我觉得主要是: 特点 PMOS结构 快速响应 PMOS直接从高电位拉到负载,瞬态响应快,适合远端加电容。...出现Pseudo-Capless这种远端去耦结构时,NMOS结构更容易震荡。

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    【机器学习】伪标签(Pseudo-Labelling)的介绍:一种半监督机器学习技术

    本文将介绍一种称为伪标签(Pseudo-Labelling)的技术。我会给出一个直观的解释,说明伪标签是什么,然后提供一个实际的实现。 内容 什么是半监督学习? 不加标签的数据有何帮助?...第一步:使用标签数据训练模型 第二步:使用训练的模型为不加标签的数据预测标签 第三步:同时使用pseudo和标签数据集重新训练模型 在第三步中训练的最终模型用于对测试数据的最终预测。...the pseudo-labels to the test set pseudo_data = self.unlabled_data.copy(deep=True) pseudo_data[self.target...] = pseudo_labels # Take a subset of the test set with pseudo-labels and append in onto # the training...set sampled_pseudo_data = pseudo_data.sample(n=num_of_samples) temp_train = pd.concat([X, y], axis

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    CURAND Libaray--Host API--(1)

    2.1.1 伪随机数触发器 CURAND_RNG_PSEUDO_XORWOW,(基于异或移位算法XORWOW) CURAND_RNG_PSEUDO_MRG32K3A,(基于Combined Multiplie...有三种伪随机序列顺序可以选择: CURAND_ORDERING_PSEUDO_DEFAULT(默认的) CURAND_ORDERING_PSEUDO_BEST CURAND_ORDERING_PSEUDO_SEEDED...目前,CURAND_ORDERING_PSEUDO_DEFAULT 和 CURAND_ORDERING_PSEUDO_BEST对于所有的伪随机触发器产生的结果都是相同的。...关于产生顺序,每种触发器的做法如下: XORWOW伪随机触发器: CURAND_ORDERING_PSEUDO_BEST   目前版本同CURAND_ORDERING_PSEUDO_DEFAULT的输出顺序是相同的...MRG32K3A 伪随机触发器 CURAND_ORDERING_PSEUDO_BEST   跟下面的DEFAULT一样 CURAND_ORDERING_PSEUDO_DEFAULT   当offset=

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