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    随机访问存储器的动态原理

    随机访问存储器(Random-Access Memory,RAM)分为两类:静态RAM (SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM比DRAM更快,但也贵得多。SRAM用来作为高速缓存存储器,一般只有几兆。DRAM用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区(显存),一般有几G。   静态存储器SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。由于这种双稳态特性,只要有电,它就会永远保持他的值,即使有干扰。例如电子噪音,来扰乱电压,当消除干扰时,电路就会恢复稳定值。   动态存储器DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小,通常只有30*10^-15法拉。 DRAM存储器可以造的十分密集。 每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是,DRAM存储器对干扰非常敏感。当电容电压被扰乱后,就永远不会恢复。很多原因会导致漏电,使得DRAM单元在10~100毫秒时间内失去电荷。幸运的是,计算机的时钟周期以纳秒衡量,这个保持时间也相当长。存储器系统必须周期性地读出,然后重写来刷新存储器的每一位。

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    单片机结构_单片机原理读书笔记

    ​ 用途:① 作通用寄存器R0~R7 ② R0与R1可作间址寄存器使用。 ​ 32个单元的寄存器区分为四组,使用时只能选其中一组寄存器。 ​ 寄存器的选组由程序状态字PSW的RS1和RS0位定。 ​ RS1 RS0 选寄存器组 ​ 0 0 0组 ​ 0 1 1组 ​ 1 0 2组 ​ 1 1 3组 ​ **初始化时或复位时,自动选中0组。**一旦选中一组,其它三组只能作为数据存储器使用,而不能作为寄存器使用。设置多组寄存器可以方便保护现场。 (2)20H~2FH:可位寻址区 ​ 共16个单元,每单元有八个位,每位有一个位地址,共128位,位地址范围为00H~7FH,该区既可位寻 址,又可字节寻址。 ​ 如 MOV 20H,C (这里C是Cy进位标志位),该指令是将Cy内容送20H位,如果Cy=1,位20H值为“1”。 (3)30H~7FH:通用存储区。

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    领券