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从卷积拆分和分组角度看CNN模型演化

写在前面 如题,这篇文章将尝试从卷积拆分角度看一看各种经典CNN backbone网络module是如何演进,为了视角统一,仅分析单条路径上卷积形式。...\times K ] 网络演化 总览SqueezeNet、MobileNet V1 V2、ShuffleNet等各种轻量化网络,可以看成对卷积核(M \times K \times K) 进行了各种拆分或分组...(同时引入激活函数),这些拆分和分组通常会减少参数量和计算量,这就为进一步增加卷积核数量(N)让出了空间,同时这种结构上变化也是一种正则,通过上述变化来获得性能和计算量之间平衡。...拆分:卷积核是个3 D tensor,可以在不同维度上进行拆分,行列可拆分,高也可拆分,还可以拆分成多段串联(类似SVD)。...分组:如果多个卷积核放在一起,可以构成4Dtensor,增加这一数量维上可以分组group。 不同拆分和分组方式排列组合就构成了各种各样module。

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国庆节换头像热潮:国旗渐变微信头像和微信头像加上国旗!制作教程来了,你会了吗???

基于这个思路,结合PIL库,我们大致可以将实现步骤拆分为如下几步: 读取国旗和头像照片 open 截取国旗部分区域 crop 从左到右透明度渐变 putpixel 将区域粘贴到头像 paste+resize...截取区域 由于这里我头像是正方形,为了方便在粘贴透明渐变国旗时更方便,需要截取正方形区域。...粘贴到头像并保存 需要注意粘贴时候要保留透明背景,否则就不好玩了,等于直接全覆盖 touxiang.paste(quyu,(0,0),quyu) touxiang.save('五星红旗半透明渐变头像....基于这个思路,我们大致可以将实现步骤拆分为如下几步: 1. 读取进头像和国旗图片 2. 根据头像和国旗长宽,我们计算下图案需要缩放多少比例 3....通过像素替换,将缩放后国旗图案添加到头像图片右下角 6.实现步骤 大家记得实现准备国旗和自己头像照片到本地哦,路径写对啊!(你可以将其他样式国旗加到你头像中)。

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    把大脑「复制-粘贴」到芯片上,三星、哈佛大胆设想登上Nature子刊

    如何把这些能力迁移到人工智能设备上是一个终极难题。 为了挑战这一难题,三星联合哈佛大学提出了这么一个大胆想法:把人脑结构「复制 - 粘贴」到芯片上。...粘贴则是指将复制连接图粘贴到一个固态存储器高密度三维网络上。 三星表示:「大脑是由大量神经元组成,它们线路图负责大脑功能。因此,对线路图了解是对大脑进行逆向工程关键。」...接下来,研究者可以把复制神经元线路图「粘贴」到非易失性存储网络中,比如我们日常生活中使用固态硬盘(SSD)中商业闪存或可变电阻式内存(RRAM)等。...我们可以对每种存储进行编程,利用其电导率表示神经元连接强度。 这项研究进一步提出了一种将神经元线路快速粘贴到存储网络上策略。...当直接受细胞内记录信号驱动时,经过专门设计非易失性存储器网络可以学习并表达神经元连接图。这是一种将大脑神经元连接图直接下载到存储芯片方案。

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    ASML揭秘High NA EUV:8nm分辨率,晶圆台加速度最高32g!

    △根据瑞利公式可以看到,光刻分辨率(R)主要由三个因数决定,分别是光波长(λ)、光可穿过透鏡最大角度(镜头孔径角半角θ)正弦值(sinθ)、折射率(n)以及系数k1有关。...但更大镜子会增加光线照射到刻线角度,刻线上有要打印图案。在较大角度下,掩模版会失去反射率,因此图案无法转移到晶圆上。...这个问题本来可以通过将图案缩小 8 倍而不是 NXE 系统中使用 4 倍来解决,但这需要芯片制造商改用更大掩模版。 相反,EXE 采用了巧妙设计:变形光学。...该系统镜子不是均匀地缩小正在打印图案,而是在一个方向上将其缩小 4 倍,在另一个方向上缩小 8 倍。该解决方案减少了光线照射十字线角度并避免了反射问题。...因此,对单个晶圆进行图案化需要两倍曝光次数。 两倍曝光次数可能意味着晶圆光刻时间延长一倍。那么怎么来解决这个问题呢?更快晶圆和掩模版台移动速度。

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    3D机房效果图制作|创建步骤过程分步简述

    大家好,又见面了,我是你们朋友全栈君。...机房整体鸟瞰角度效果图案例 C:打开三维软件,用脚本粘贴刚才图纸,一键归零合并冻结。...D:确定好角度,这个需要反复测试几十次,看了网上很多案例,发现几乎80%以上效果图角度都不好,几乎都是扭曲,视觉上是不对。千万不要随便一个视图就作为渲染角度。对客户认真负责是必须。...单排与双排机房冷通道效果图案例 E:角度确定好后开启捕捉,开始根据角度搭建模型,特别要注意角度之外模型无需搭建,不要浪费时间,徒增工作量。...F:剩下灯光和材质非常重要,因为效果图就是根据光感和质感体现。模型当然也很重要,一般用高精度模型效果才好。 机房冷通道电池间俯视图案例 G:最后一步,就是出小样了,和客户沟通微调。

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    真实激光器中横向模式重要性

    对于激光器重要性体现在以下几方面: 1) 模式形状会控制器件远场图案。 如上图,不做脊型波导设计a芯片和窄脊型波导芯片b。...远场图案对相干光源而言,实质就是近场图案(器件中模式形状)傅里叶变换。...单模远场图案对于脊形波导器件是一个适中30°发散角较远光束,大面积器件远场图案则拉很长,面内发射几度,面外非常发射。对于后期耦合到光纤是是非困难。...对于TE和TM模式,只有某些离散角度可以成为导引模式,从而沿波导传播。...在波导分析中,典型做法是固定波长,而自然选择其传播角度,理由是一样,假设腔体中平面波源自底部边缘上所有点,如果往返行程不是波长整数倍的话,相消干涉将最终导致该光波消失。

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    ps日式风景画

    作为背景2副本 阀值20; 这一步背景副本建议,一个一个添加编辑。...回到背景副本 ,新建一个图层蒙版,之后呢回到斑马线图案,我们定义图案,选中背景副本图层蒙版,我们用油漆桶工具,属性栏菜单下拉,选择图案,找到刚刚定义图案。之后用油漆桶工具点击 房子墙壁。...之后我们来到编辑菜单下填充。...使用50% 灰色填充这个图层;;我们再来更改 滤镜-杂色-添加杂色(数量10%);滤镜-模糊-动感模糊 (角度40 距离166);图层混合模式 滤色 不透明度49左右;色阶0.7; 新建一个背景,用画笔擦拭污点...shift alt 中心点 放大;图层混合模式 正片叠底;ctrl m打开曲线 调整颜色; 移动 对话框 过来,右键单击 删格化图层;双击这个图层-描边5px -颜色叠加 颜色改为白色; 打开日语,复制文字,粘贴到原图

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    用for循环语句实现在屏幕上打印特殊图案编程题目的解法

    “*”组成菱形图案。...正方形图案 KiKi学习了循环,BoBo老师给他出了一系列打印图案练习,该任务是打印用“*”组成正方形图案。...反斜线形图案 KiKi学习了循环,BoBo老师给他出了一系列打印图案练习,该任务是打印用“*”组成反斜线形图案。...语句跳过这一列,但我学艺不精,没搞定,呜呜呜,孩子哭了,还请看到大佬帮我改一下 //方法1:套模板(有个bug) //这个题可以拆分成上下左右四大部分,每一部分再分成三小部分,也就是需要12个printf...​ 做到后面两题时候我发现,图案很难分割成有规律三角形图案,所以我发现此模版适用范围只能是“由连续”三角形排列“或者可以分割成连续“三角形”图案题目,其他还是得找规律。

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    应用材料推全新EUV图案化技术:产线可减少2.5亿美元投资,每片晶圆成本可降低50美元!

    3月6日消息,半导体设备大厂应用材料 (Applied Materials)近日发布了一项突破性图案化(patterning)技术,可协助芯片制造商以更少EUV光刻步骤生产更高性能晶体管和互联布线...应用材料指出,为了使芯片面积和成本更优化,越来越多客户运用极紫外光双重图案化技术(EUV double-patterning),来制造比 EUV光刻本身分辨率极限更小芯片特征(chip features...基于 EUV 双重图案化技术,芯片制造商需要将高密度图案分成两个步骤,并产生两个符合 EUV 分辨率极限光罩,再将这两个图案在中间图案化薄膜上结合,然后蚀刻到晶圆上。...虽然双重图案化能有效提高芯片特征密度,但这不但会提高设计和图案复杂性,也增加了消耗时间、能源、材料和水制程步骤,造成晶圆厂和晶圆生产成本增加,同时还可能会让两种掩模之间对准出现误差风险,降低芯片性能和功率效率...现在,芯片制造商可以转印单一 EUV 图案,然后利用 Sculpta 系统在任何选定方向拉长形状,以减少特征之间空隙并提高图案密度。

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    Kong 优雅实现微服务网关鉴权,登录场景落地实战篇

    目录 登录实现 B 端登录之后,浏览器存 cookie 登录代码实现细节,cookie设计 网关介绍 API 网关是什么 为什么需要网关 从技术角度来看,什么是Kong?...原本一个庞大单体应用(All in one)业务系统被拆分成许多微服务(Microservice)系统进行独立维护和部署,服务拆分带来变化是 API 规模成倍增长,API管理难度也在日益增加,...微服务划分可能随着时间变化,微服务难以重构。如果合并两个服务,或者将一个服务拆分成两个或更多服务,这类重构就非常困难了。...从技术角度来看,什么是Kong? ❝这一段摘自KONG官方介绍文档 您可能已经听说过Kong基于Nginx,利用了其稳定性和高效率。但这究竟是怎么实现呢?...(ngx.ERR, "theSign:", theSign, "sign:", sign, "uid:", uid) end ngx.log(ngx.ERR, "get x-user-id

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    ASML High-NA EUV困境!

    但是,我们光刻模型表明,尽管降低了复杂性,但对于即将到来技术节点(包括1.4nm/14A),High-NA EUV单次图案成本明显高于使用现有Low-NA EUV光刻机双重图案化。...不幸是,不能在不引起其他问题情况下使透镜尺寸更大,这主要是由于EUV光掩模技术局限性,因为它与主光线角度有关。这迫使在High-NA架构中进一步妥协。...这意味着掩模布局和芯片尺寸规划必须考虑到半场和全场成像。考虑到即使没有半场额外复杂性,尽管管芯尺寸很小,但优化不力掩模布局也会导致高成本,这肯定会成为未来芯片设计一个问题。...Low-NA双图案 事实证明,对于High-NA EUV,有一种现成替代方案:Low-NA EUV双重图案化。...推动这一趋势是从几何缩放到堆叠范式转变——芯片性能、功耗和面积提高是通过垂直堆叠功能来实现,而不是水平缩小功能。

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    三星拷贝粘贴大脑:设想制造一种类似大脑计算特性存储器芯片(论文发布在《自然》杂志)

    论文提出了一种方法,使用Ham和Park开发纳米电极阵列来复制大脑神经元连接图,并将这张图粘贴到固态存储器芯片高密度三维网络上。...通过这种复制粘贴方法,研究人员设想制造一种类似大脑计算特性存储器芯片,比如低功耗、易于学习、可适应环境、自主性和认知能力等特性,这些特性是现有技术所无法实现。...然后,通过对每个存储器芯片进行编程,以便其电导表示复制线路图中每个神经元连接强度,可以将复制神经元图粘贴到非易失性存储器芯片网络上,比如日常生活中使用固态硬盘中商用闪存,或新存储器技术,比如电阻式随机存取存储器...这篇论文则更进一步,提出了一种快速将神经元线路图粘贴到存储器网络上策略。在细胞内所记录信号直接驱动下,特殊设计非易失性存储器网络可以学习和表达神经元连接图。...这种方案直接将大脑神经元连接图下载到存储器芯片上。 由于人类大脑估计有1000亿个左右神经元,以及多出1000倍以上突触连接,最终神经形态芯片将需要容纳100万亿个虚拟神经元和突触能力。

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    基于硅光芯片光学扫描器

    光耦入进芯片后,通过光开关阵列(optical switch array)选择不同路径。光场最终通过光栅耦合器阵列(grating array)耦出芯片。光栅耦合器位于透镜焦平面上。...光场从不同位置耦合器射出,决定了最终光束出射角度芯片版图结构如下图所示,大部分面积被金属覆盖。 ? 该扫扫描器光学分辨率由透镜焦距f和相邻光栅耦合器间隔p决定, ? ?...光学扫描器可扫描最大角度由透镜焦距f和最外侧光栅耦合器距离l_dev决定,如下图所示, ? ? 他们所采用波导截面图如下图所示, ?...可通过heater来调节微环共振波长,从而决定该路光通断与否。 ? 最终扫描器原型机如下图所示,左侧为光纤,光芯片贴在PCB板上。 ?...实验中,他们实现了6度扫描角,0.3度扫描分辨率, ? 此外,他们也验证了两维光学扫描器,结构如下图所示, ? 其远场成像图案如下图所示, ?

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    「Adobe国际认证」Adobe PS软件,内容识别修补和移动

    结构输入一个 1 到 7 之间值,以指定修补在反映现有图像图案时应达到近似程度。如果输入 7,则修补内容将严格遵循现有图像图案。如果输入 1,则修补内容将不必严格遵循现有图像图案。...若要完美地扩展建筑对象,请使用在平行平面(而不是以一定角度)拍摄照片。 1.在工具栏中,按住污点修复画笔 并选择内容识别移动工具 。...如果输入 7,则修补内容将严格遵循现有图像图案。如果输入 1,则修补内容将不必严格遵循现有图像图案。...注意:“透明”选项非常适用于具有清晰分明纹理纯色背景或渐变背景(如一只小鸟在蓝天中翱翔)。 5。若要控制粘贴区域以怎样速度适应周围图像,请调整扩散滑块。...3.如果需要,请完成上述第 3-4 步,以调整选区并应用具有透明背景图案纹理。 4.从选项栏图案”面板中选择一个图案,并单击“使用图案”。

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    自学cad 零基础_零基础自学吉他步骤

    高手课专注帮你学习,   13.图案填充 图案填充是指使用预定义填充图案填充图形区域,可以使用当前线型定义简单线图案,也可以创建更加复杂填充图案。...图案填充选项卡用于设置实体填充,该选项卡包括6个选项组:类型、角度和比例、图案填充和比例、图案填充原点、边界、选项和继承特性。...③角度和比例: 主要是控制填充疏密程度和倾斜程度。 角度是设置填充图案角度,双向复选框是设置当填充图案选择用户自定义时采用线型和线条布置是单向还是双向。 比例是设置填充图案比例值。...角度:下拉文本框控制颜色渐变方向。 其余选项功能与图案填充一样。   ...可以将一个或者多个对象平移到新位置,相当于删除源对象复制和粘贴。   ②旋转图形: 选择修改/旋转,单击旋转按钮,或在命令行中输入rotate来执行。

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    背面入射光栅耦合器

    尽管角度方向容差有所降低,但是仍然在可控范围内。 当光从光栅耦合器衍射到硅衬底后,其在硅衬底中自由传播时,光斑尺寸变大。接着通过微透镜对光束进行准直,最终入射到大MFD光纤中,如下图所示。...(图片来自文献1) 从上图中可以看出,系统中比较关键几个参数有: 1) 初始MFD, W_start 2) 硅衬底厚度 t_Si 3) 光在衬底中传播角度 theta_Si 4) 透镜中心偏移...接着进行光刻,必须保证正面和背面图案对准精度达到1um以上。对剩余光刻胶进行回流和烘烤,形成微透镜形状光刻胶。接着进行RIE刻蚀,得到硅微透镜。最后清洗掉正面的光刻胶。...)技术中,电芯片将会堆叠在光芯片上表面,这会对正面入射光栅耦合封装带来很大挑战,而从芯片背面做文章,则可以较好地回避该问题。...从加工角度看,涉及到工艺都比较成熟,难点是保证正面和背面mask对准精度。此外,系统耦合效率目前实验值不是很高,有待进一步优化。 参考文献: 1. N.

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    深入探讨芯片制程设备:从原理到实践

    在现代科技领域,芯片制程设备是不可或缺工具。这些设备充当着制造半导体芯片关键角色,为我们日常生活提供了无数便利。...本文将深入探讨芯片制程设备原理、功能和实际应用,以揭示这一领域复杂性和重要性。 1. 芯片制程设备背后:原理 芯片制程设备原理基于微电子学和半导体物理学基本概念。...CMP使用旋转平坦研磨器来去除不平整部分,使晶圆表面光滑。 1.2 光刻 光刻技术是芯片制程设备中一个关键步骤,用于定义晶圆上图案。这个过程使用掩膜和紫外光照射来将所需图案传输到光敏胶层上。...然后,通过化学溶液去除未曝光胶层,形成芯片图案。 1.3 刻蚀 刻蚀是将图案转移到晶圆上下一个关键步骤。这是通过将晶圆暴露于特定化学气体等离子体中,以去除不需要材料来实现。...刻蚀选择取决于所使用材料和图案要求。 1.4 沉积 在芯片制程中,还需要添加新材料层。这是通过化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)来实现

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