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南京观海微电子---残影原理和调试方法简介

，黑格子区域液晶不旋转。...图c：切换灰阶画面，因白格区域的预倾角较黑格区域的预倾角已经发生偏转，在相同灰阶电压下，已发生角度偏转区域的液晶更易偏转到理论角度，其透过率增大，从而导致残像。...②DC偏置吸引屏内离子型不纯物，导致离子聚集从而形成残留DC偏置；③切换显示画面时，由于残留DC作用，液晶分子受离子影响不能正确保持设计所要求的状态，导致在离子聚集处与其他区域显示亮度出现差异→形成残影不良...Flicker数值越小越好3.重现扫一遍gamma，然后观察是否还有残影非对称gamma一般我们调试的都是对称gamma，即每个灰阶对应的正负电压的绝对值是相等的。...VT曲线：是液晶电压和透过率的一种关系曲线非对称一般分两种情况：1.某一个极性整体偏移，这种状态需要调整VSPR/VSNR2.某一阶或者数阶偏移，这种状态需要调整gamma曲线中所对应的绑点的电压。

23310
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    白光干涉仪在晶圆干法刻蚀工艺后的 3D 轮廓测量

    白光干涉仪凭借非接触、纳米级精度、大面积三维成像的特性，成为干法刻蚀后轮廓测量的核心工具，为等离子体功率优化、刻蚀气体配比调整提供关键数据支撑。...（周期 区域，确保深度均匀性 3σ3σ离子体损伤检测，需识别刻蚀过程中因离子轰击导致的表面损伤层...例如，对 500nm 深的硅沟槽，可识别等离子体刻蚀导致的侧壁周期性波纹（振幅 调整射频功率提供依据。...结合机器学习算法，能自动识别刻蚀缺陷（如底部残留、侧壁锥度突变），统计缺陷密度并关联等离子体分布不均区域。软件支持多批次晶圆的参数对比，量化刻蚀工艺的长期漂移（如每日深度偏差 区域（如深度偏差 > 3nm 的区域

    22510

    未来AI计算的方向，是「水芯片」？

    神经网络计算的未来可能比我们预计的要糟糕一些——不是用电的固体芯片，而是泡在水里。...不过此前的很多研究集中在单个离子二极管和晶体管，而不是包含许多此类设备的电路。 当前对算力需求极高的神经网络严重依矩阵乘法运算，其中涉及多次乘法。...在每个离子晶体管中，施加的电压 Vin 的电流 Iout 由 Ig 门控，我们可以找到 Vin 的一个区域，其中 Iout = W × Vin，比例常数或权重 W 可以通过 Ig 调整，即在该区域中，离子晶体管在权重和输入电压之间进行物理乘法...当然，这项技术目前还存在很大的局限性，其中包括操作必须按顺序执行，而不是同时执行，这大大减慢了方法的速度。 然而，研究团队认为下一步的工作不是提高速度，而是在系统中引入更广泛的分子。...研究团队指出：这项研究最终的目标不是用离子技术与电子产品竞争或取代电子产品，而是以混合技术的形式让二者取长补短。

    80920

    干货|当无线充电遇上AGV小车

    自动充电则是通过系统总控发出指令，AGV自动运行至充电桩，AGV车载充电器自动连接到充电桩并开始充电，还可根据工业应用需要设置充电百分比，完成充电后自动脱离充电桩。...在供电、充电闭合回路中，电池管理系统的作用是能够实时监测锂离子电容器模组的电压状态，并与接收装置中的电压进行比较，如低于接收电压，系统将根据电压差值调整充电电流大小，开始快速充电，当电压相等或AGV小车驶离无线电能接收范围...（3）磁耦合谐振式电能传输技术是以电磁场为载体，利用磁耦合式谐振电路的固有谐振频率能量传递特性来实现电能的传递，即特定频率的电能信号通过发射线圈和接收线圈后将产生谐振从而进一步产生感应电动势。...由于电池管理系统实时监测锂离子电容器模组的电压状态，如发现其电压低于接收端电压，则根据电压差以及磁耦合谐振线圈的区域范围来调节电流，并对锂离子电容器模组进行快速充电，当两端电压相等时，通过充电端子对锂离子电容器模组进行恒压充电直至充满...，当AGV小车驶离发射区域，磁耦合谐振线圈将自动断开连接，充电结束。

    2.1K30

    负氧离子监测站：守护清新空气的科技卫士

    采样系统负责从周围环境中采集空气样本，确保样本能够真实反映监测区域的空气状况。当空气中的负氧离子进入电场后，会被收集器捕获，从而产生微弱的电流信号。...检测系统通过对这个电流信号进行放大和处理，根据电流大小与负氧离子浓度的对应关系，就能准确计算出空气中负氧离子的浓度。...例如，在大型生态旅游区，通过对各个监测站数据的分析，管理者可以更好地规划旅游路线，引导游客前往负氧离子浓度高的区域，提升游客的旅游体验。...比如，当监测到负氧离子浓度过低时，系统可以自动联动周边的空气净化设备或增加绿化灌溉频次，以改善空气质量。...通过长期监测负氧离子浓度的变化，研究人员可以评估生态修复项目的效果，为保护和改善生态环境提供科学指导。康养产业：高负氧离子浓度的区域对人体健康有益，越来越受到康养产业的青睐。

    27910

    启示AGI之路:神经科学和认知心理学大回顾

    例如，基于文本的对话代理展示了生成一致且与上下文相关的回应的能力。另一方面，图像生成模型展示了根据文本描述生成高质量图像的能力。...这就是为什么神经元的静息膜电位约为-70 mV（图2.3中的状态1），而不是零。 当神经元接收到传入信号时，Na+离子通过配体门控Na+通道进入细胞。这些通道在特定神经递质结合后打开。...因此，Na+离子迅速流入细胞，使细胞膜的电荷反转。这个过程称为去极化（图2.3中的阶段3），并且它引发了动作电位的生成。去极化沿着细胞膜传播，促使电信号在轴突上传输。...Na+/K+泵是存在于所有动物细胞膜上的一种酶，其作用是将Na+从细胞内排出并吸收K+离子。在一个功能周期内，它交换3个Na+离子以获得2个K+离子（Byrne, 2023）。...x3k+1, x3k+2, x3k+3具有相同的值，则为1； 如果ℝ+中长度为1的每个区间最多包含3个输入xi的值，则为0； 否则为任意值。

    72110

    AI无法颠覆化学？谷歌DeepMind论文被爆重大缺陷，伦敦大学教授建议撤回Nature

    这篇文章旨在证明，自主智能体可以根据文本挖掘的历史合成数据和ab initio热化学数据（如MaterialsProject），就如何合成给定材料做出决策。...我们要澄清的是，我们工作的目的是展示自主实验室能够实现的成果，而不是展示人类A-Lab外部能够做到的最好的成果。我们同意，自循环在这方面具有挑战性，我们期待与科学界合作，进一步改进自动化方法。...较小的离子（如Fe3+）导致较少的膨胀，但仍与已知的参考相Sb2Pb2O7有很大不同。...一个离子（In3+）似乎偏离了这一趋势，但这只是因为它在靶材结构InSb3Pb4O13中的浓度低于涉及M4+靶材的离子（例如Zr2Sb2Pb4O13）。...合成化合物的新颖性：MnAgO2和Mg3Ni3MnO8 Palgrave教授指出，MnAgO2和Mg3Ni3MnO8并不是「新的」化合物。 研究人员同意这一评估。

    35910

    PLC（光分路器）技术以及制作工艺大全

    1) 离子交换 离子交换工艺的原理，是将含有A+离子的玻璃材料浸泡在含有B+离子的溶液中，利用离子会从高浓度区域向低浓度区域扩散的性质，以溶液中的B+离子将玻璃中的A+离子交换出来。...由于含A+离子的玻璃材料比含B+离子的玻璃材料具有更高的折射率，从而在发生离子交换的区域获得高折射率，作为光波导的芯层，未发生离子交换的区域作为光波导的包层，得到所需的光波导结构。...通过离子交换制备光波导的大致工艺流程如图1所示： 1）通过蒸镀或者溅射工艺，在玻璃基底上覆盖一层掩模层； 2）通过光刻和腐蚀工艺，在掩膜层开出一个波导结构的窗口； 3）将制备好掩模层并开窗口的玻璃材料，...实际工艺中，为了更好的保证离子交换效果，上述3-4两步需要同时进行，这有赖于具体的工艺设计。...3) 化学气相沉积 化学气相沉积CVD工艺也是半导体行业中的一种标准工艺，CVD工艺制备光波导的流程如图3所示，它是在硅基片（或者石英基片）上相继沉积具有不同掺杂层的光波导层，比如芯层通过掺磷、硼来提高折射率

    2.1K10

    「人造太阳」精准放电！DeepMind实现AI可控核聚变新突破

    奖励组件还可以是多模态的，例如鼓励智能体远离状态空间中不理想或模拟器建模较差的区域。...3....在这里，研究人员尝试了两种不同的三块设置：所有参与者（actor）被平均分为相同大小的组（3_chunks_eq_weights）；与每个其他块相比，整个episode使用三倍更多的参与者。...在第一个实验中，研究人员考察当参考等离子体电流调整到新的参考水平时的迁移学习。...研究人员还发现，某些类型的任务变化比其他任务更容易进行迁移学习，在他们的实验中，相对较大的等离子体电流变化似乎更适合于迁移学习，而不是大的位置变化，这在考虑到任务的相对复杂性时是可以理解的。

    68730

    脑机接口基础之神经科学(更新)

    而且，突触后电位主要局限于树突和细胞体之间，而不是以固定速率沿着轴突传递的，因此有了这些因素，在一定条件下，就允许突触后电位累加而非相互抵消。...上图为ERPs产生原理图，如果皮层锥体细胞的顶树突释放一种兴奋性神经递质，则电流就会从细胞膜外流入细胞内，于是在顶树突区域的细胞膜外部就带负电；同时，电流会从细胞体与基树突流出，造成这个区域带正电。...如下图，折叠的皮层小片包含很多锥体细胞，当该区域受刺激时，来自各个神经元的偶极子聚会累加。 ?...在一个传导介质中，偶极子两极之间的电传导不是直接进行的，而是通过容积导体进行扩散的，其结果就是ERPs在脑内扩散。另外，电活动倾向于走最小阻抗的通路。...以上两种因素会大大模糊头皮表面的电位分布，大脑某一区域所产生的电位可以导致相距很远的另一部分头皮区域的电位变化。

    1.5K10

    观海微电子---线路腐蚀的起因与对策

    线路腐蚀的原理：在线路表面的污染物中含有金属元素的离子或金属化合物，在潮湿的空气中这些污染物与线路之间的冷凝水连成微电池，引发电化学反应，产品通电的情况下反应进行得更快，耗损线路导致线路腐蚀形成断线。...腐蚀的3个必要条件：只有3个必要条件都满足的时候才会产生线路腐蚀，从中我们可以从产品的洁净度和产品的防潮湿方向着手减轻腐蚀的发生。...②绑定位置上线前需酒精擦拭、等离子清洗或丙酮擦拭，等离子的喷枪走线速度≤80mm/s，等离子清洗后绑定位置的水滴角测试角度需≤25°，绑定清洗后必须在≤2H绑定否则清洗效果会失效,等离子清洗完与ACF绑定工序之间的停顿时间需...，ACF贴覆不良的产品需重新酒精擦拭或等离子清洗④取放产品需戴指套且避免触碰线路区域和绑定区域避免脏污污染线路和绑定区域⑤绑定使用的硅胶带或铁氟龙压头上升后需离压头≥5mm⑥线路裸露区域（TP绑定下端线路裸露区域...、盐雾测试确认密封区域是否进液或染色、线路腐蚀

    17810

    提前 300 毫秒预测等离子体撕裂风险，普林斯顿大学发布 AI Controller

    一个平衡拟合 (equilibrium fitting, EFIT) 算法处理低级控制任务，调整磁线圈电流和束流功率，从而满足 AI 的控制命令与用户预设的约束条件，例如维持特定的安全系数 (q95)...基于深度神经网络和强化学习，研究人员开发了能够实时响应等离子体状态变化的智能控制系统，对等离子体未来状态进行预测，并相应调整控制动作，使得托卡马克操作遵循理想路径，在维持高压力的同时避免撕裂不稳定性。...强化学习的优势在于能够通过多执行机构（束流和形状）和多目标（低撕裂度和高 βN）控制器进入更高 βN 区域，同时维持可容忍的撕裂度。 DIII-D 中的防撕裂控制：传统 vs....阈值较高的控制器 (k = 0.7) 在实验的早期阶段 (t 离子体后续进入更不稳定的区域。...3.能量捕获与转换： 如何高效地从聚变反应中捕获能量，并将其转换为电能，也是目前研究的重点。高效率的热电转换系统对于实现经济可行的聚变能源至关重要。

    39310

    【Mol Cell】分子和细胞生物学中的冷冻电子显微镜（Cryo-EM）（三）

    分割被用来识别密度的子区域并帮助解释。这通常需要大量的手动输入，但机器学习的自动化方法正在发展中（例如，在EMAN2中，陈等人，2017年）。...这主要取决于地图的分辨率，因为分辨率决定了可以拟合的刚体的大小，从低分辨率的整个亚单位或领域，到中等分辨率的二级结构，再到高分辨率的侧链转子，水分子和离子（图7）。...如前所述，拟合方法取决于分辨率，而这在电子显微镜地图中通常不是均匀的。因此，通常需要对结构的不同部分使用不同的策略。...如上所述，这些系统通常对于直接使用冷冻电子显微镜进行检查太厚，需要使用冷冻切片或者离子束磨削等变薄方法以制作适合电子层析的样品。为了定位感兴趣的区域，需要对荧光和电子显微镜进行相关性分析。...然而，已经开发了一些冷冻超分辨率光学方法，使得3D目标定位和精确定位在100-300nm范围内成为可能（Tuijtel等人，2019；Moser等人，2019）。

    81220

    白光干涉仪在感性耦合等离子体刻蚀法 (ICP) 后的 3D 轮廓测量

    摘要：本文探讨白光干涉仪在感性耦合等离子体刻蚀法（ICP）后的 3D 轮廓测量中的应用，分析其工作原理及适配 ICP 刻蚀特征的技术优势，通过实际案例验证其测量效能，为 ICP 刻蚀工艺的质量控制与优化提供技术支持...关键词：白光干涉仪；感性耦合等离子体刻蚀；ICP；3D 轮廓测量一、引言感性耦合等离子体刻蚀法（ICP）是微纳制造中高精度刻蚀的核心技术，凭借等离子体密度高、刻蚀速率快、各向异性好等特点，广泛应用于半导体芯片...ICP 刻蚀后的表面 3D 轮廓（如刻蚀深度、侧壁陡直度、线宽精度）直接影响器件性能，但等离子体分布不均易导致局部形貌偏差。...采用白光干涉仪配置 50× 物镜（视场 0.5mm×0.5mm）与高速扫描模式，测量结果显示：实际刻蚀深度为 198±3nm，线宽偏差最大 8nm，局部区域因等离子体耦合强度不均出现深度超差 5nm 的缺陷...基于测量数据调整 ICP 射频功率与气体流量比例后，刻蚀深度一致性提升至 99.5%，线宽偏差控制在 5nm 以内，器件漏电率降低 30%。

    13110

    ABB SA811F 高度复杂和专业化的步骤系列

    掺杂和离子注入掺杂和离子注入是制造过程中的关键步骤，因为它们允许在器件内创建 n 型和 p 型半导体区域。掺杂涉及将杂质或掺杂剂引入半导体材料中，这会显着改变其电气特性。...注入扩散层、加热半导体材料和离子注入是引入掺杂原子的常用方法。离子注入是最常见的掺杂技术，涉及用离子束轰击晶圆。此外，这些离子嵌入半导体材料中，形成所需的 n 型或 p 型区域。...ABB 5SXE08-0167ABB 408368B IAM MODULEABB 3HAC025562-001/06ABB 3HNA023093-001ABB 5SHY3545L0016ABB 3BHB019719R0101ABB...GVC736BE101ABB 5SXE06-0160ABB CP430T-ETHABB 1SBP260196R1001ABB CI855ABB PP836 3BSE042237R1ABB 3BSE042237R1ABB...AO801ABB HIEE300024R4 UAA326A04ABB HIEE300024R4ABB UAA326A04ABB 3BHE023784R1023ABB UFC760BE1142ABB 3BHE004573R1142ABB

    29120

    大气负氧离子监测站技术方案

    风向传感器：采用超声波原理，测量范围 0 - 360°，精度 ±3°，分辨率 1°。...传感器具备自动校准功能，确保测量数据的准确性。数据采集与控制模块：采用工业级嵌入式处理器，主频≥1GHz，内存≥512MB，存储容量≥8GB，支持本地数据存储≥3 个月。...用户可自定义监测指标和数据刷新频率，实时掌握监测区域的环境状况。...数据统计与分析：系统具备强大的数据统计分析功能，可自动生成日、周、月、年统计报表，计算各项参数的平均值、最大值、最小值、超标率等统计指标。支持多区域、多时段数据对比分析，为环境评估和决策提供数据支持。...六、应用场景与价值本大气负氧离子监测站可广泛应用于生态旅游景区、森林公园、城市公园、自然保护区等区域的环境监测，为景区环境质量评价、生态旅游资源开发提供数据支撑；也可应用于城市空气质量监测网络，补充完善空气质量监测指标

    27410

    硅波导加工中的几个小问题

    (图片来自文献1） 硅材料通过反应离子刻蚀(reaction ion etching, 以下简称RIE)的方法进行刻蚀，其基本原理如下图所示， ?...，F离子会与Si发生化学反应。...上图中的5区域是希望下方的硅材料保留，形成波导。因此用mask或者光刻胶保护住相应的区域，而未被保护区域内的硅被刻蚀掉。...（图片来自文献5） 刻蚀的速率与开口区域的大小有关，并直接影响最终波导的形貌。以下图中的微环为例，b区域中两根波导靠得比较近，最终波导的宽度和间距会与设计值发生偏离。...（图片来自文献3） 因为刻蚀的不均匀性以及SOI厚度的变化，导致波导的宽度和高度与设计值发生偏离，导致折射率变化，影响器件的性能。

    4K23

    揭秘碳化硅芯片的设计和制造

    •防止离子迁移，JTE技术可以用于抑制移动离子的漂移，从而提高SiC MOSFET的可靠性和稳定性。...具体来说，JTE技术可以在SiC MOSFET的边缘区域形成一些深度掺杂的控制区域，这些区域可以有效地抑制移动离子的漂移。...此外，JTE技术还可以在控制区域中引入一些特殊的物质，例如氮、硼等，这些物质可以与移动离子发生化学反应，从而减少其在MOSFET中的积累和漂移。...开关单元(Active Cell) ·电流导通和关闭的路径 ·所有的开关单元是并联 ·固定的单元特性下，单元的数量决定了整个芯片的导通电阻大小和短路电流能力。...如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻，需要调整开关单元的间距，pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系，pitch值变小，Wg也相应变小，这个对于栅极的可靠性是有一定好处的，在SiC MOSFET

    60820

    低能离子束芯片编辑技术实现高效设计

    聚焦离子束电路编辑(FIB-CE)是一种通过离子流蚀刻新结构或沉积新材料来修改微器件的技术。...传统方法需要30keV高能离子束和牺牲参考区域，而新方法采用5keV低能离子束，具有三大突破：无牺牲区域：消除传统工艺所需的参考标记区域，避免破坏功能性电路大特征尺寸：支持创建更大尺寸的修改结构，改善电子特性精度提升...：增强的二次电子信号使显微镜信噪比提高20%技术验证采用动态环形振荡器(DRO)阵列测试：5keV离子束刻蚀绝缘沟槽后，DRO仅出现轻微频率偏移透射电镜显示30keV束仅保留17nm鳍片结构，而5keV...研究团队正在探索将该方法扩展到3D芯片堆叠等新型封装技术领域。

    11600
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