目前可以实现10/10um 的铜线/间距，此时对应的最大Cavity深度可以到140um，支持多层RDL。...假如RDL层数比较少，Cavity深度不用那么大的话(＜50um)，可以实现5um的Cu线宽间距。TGV的开窗宽度100um，最窄的地方为45um，pitch可以做到150um。...50×50mm，一块150mm(6寸)的玻璃晶圆上可以切割出4个玻璃封装基板。...当前先做了一块单层RDL的测试基板，有18821个焊盘用来给asic芯片bonding，每个pic给了800个焊盘来倒贴。不过目前先只用了无源的氮化硅波导loop来验证耦合插损，通了一个可见光。...还没有光电链路的演示。SC24上Ayar Labs和他们的联合演示看起来也还只是用到光学部分的连接。
基于RDL的中介层PoP的3D示意图顶部RDL中介层设有凸块下金属（UBM）焊盘阵列，用于与移动内存封装或如电容器和电感器等无源组件建立电气连接。...顶部RDL中介层的信号路径通过连接两层之间的CCSBs扩展到底部RDL层。360个CCSBs的间距为250 μm。底部RDL基板由三层金属层和四层介电有机钝化层构成。...(a) 顶部RDL中介层的制备 (b) 底部RDL基板的制备顶部RDL中介层由一层铜金属线和用于CCSBs的凸块下金属（UBM）焊盘组成。有机钝化材料封装了金属互连线。...每个顶部RDL中介层随后被单独切割，以便以倒装芯片方式附着到底部RDL基板晶圆上。底部RDL基板有多层金属线，各层金属线之间使用了相同的有机材料。硅芯片以倒装芯片方式键合到底部RDL晶圆上。...然后，通过激光解粘工艺移除每个单独的顶部RDL层上的晶圆片。为了进行基板载体分离和BGA附着工艺，一个临时载体被键合到顶部RDL层上。
此时，关于Chiplet的讨论开始出现——通过基板紧密连接的芯片，其核心在于细间距、近距离的封装技术，目标是缩小片上与片外互连的差距，简化芯片间信号传输，使高性能多芯片系统成为可能。...这不仅包括本报告重点阐述的2.5D集成，也可能涉及3D集成，并支持在同一基板上混合不同技术的异构性。 先进集成的核心优势包括： 1....突破单芯片尺寸限制：通过小芯片集成在大型基板上构建超大规模系统，例如从800mm²的单芯片（SOC）扩展到1.5倍、2倍、3倍晶圆尺寸的封装，甚至未来50倍晶圆尺寸的“晶圆级系统”（已有企业展示相关技术...UCLA的晶圆级系统实践 鉴于高校条件限制，本工作调整架构，设计面向随机图应用的低功耗系统（内存密集型，计算相对简单）： ◆ 架构设计：每个小芯片包含14个低功耗ARM核心（处理器小芯片）或标准...因基板不支持片上电容，约1/3芯片面积用于去耦电容（后续基板技术可集成高密度电容）。 ◆ 代价：功率传输损耗高达15%-20%，但设计简单，适合实验室验证。
用于小芯片和多芯片集成的先进基板 2. 键合间距缩放和组装工艺 3....b) 有机、硅和玻璃基板（聚合物构建层和RDL） 封装基板传统上用于将IC连接到PCB主板、为一个或多个有源和无源元件提供稳定的基础、提供保护、通过热通孔和铜平面散热以及将电源从主板路由到...2.2.3 键合间距缩放与组装 蓝图的这一部分涵盖了芯片到芯片、芯片到中介层以及芯片到基板互连的键合间距缩放。...使用一层或多层 RDL 将集成电路上的输入 / 输出 “扇出” 到更大的间距，以便直接进行球栅阵列（BGA）组装到主板上。...芯片上的光子输入/输出（IO）将要求光纤间距从现今的250微米（对于直径125微米的包层光纤）减小到下一代由直径80微米包层光纤实现的140或125微米间距。
制造和组装的复杂性与成本增加 封装要求变高，如果将互连组件移到基板上，会使得基板的制造和组装过程变得更加复杂和昂贵。需要尽量一次性做对，避免在基板上进行多次焊接。...因为基板上的焊接回流次数有限，超过一定次数后基板可能需要被丢弃并更换，封测厂也不乐意。 2....Twinax电缆一直延伸到接触面，提供了平滑、一致的通道阻抗，连接器四周做了360度无死角的完整电磁屏蔽，串扰非常低。接触面有一个小的弹性压块，保证信号完整性和提升抗振动性能。...如果表面被刮擦，可以简单地更换弹性压块。整个连接器布局非常紧密，高度只有19.25mm，线缆之间的水平和垂直间距只有1.9mm和1.7mm。...实验上也做了测试，测试链路中包含了VNA、Twinax线缆、两组CPC连接器、基板等，整个链路的射频插损仅有22dB，分解出来的各部件损耗跟仿真的匹配度非常高。
COB即ChiponBoard，LED芯片直接打在基板上，再进行整体封装；POB即PackageonBoard，行业内俗称的满天星方案，首先将LED芯片封装成单颗的SMDLED灯珠，再把灯珠打在基板上。...在PCB背板方案中，LED产生的热能需要借由基板上的基材协助散热，因此高散热基材可以有效地进行大面积扩散降温，而低散热基材无法有效散热，将导致基板温度过高的情况。...因此单体PCB尺寸一般不超过24寸，大尺寸的背光往往需要多块PCB板拼接。 玻璃背板将逐步取代PCB背板，成为MiniLED背板的新方案。随着MiniLED制程的逐渐缩小，转移的过程将变得更加困难。...巨量转移主要是指以吸附、贴合等方式将大批量的微型LED晶粒进行转移至基板上，核心在于转移的效率以及良率。市场上拥有较多转移技术方案。...COB技术是将LED芯片直接封装到模组基板上，在对每个单元进行整体模封。IMD技术则是将多组（两组、四组或六组）RGB灯珠集成封装在一个小单元中。
按照集成电路的发明者杰克·基尔比（JackKilby）自己的话来说，集成电路是一块半导体材料，其中电子电路的所有部件都完全集成在一起。...用一定的工艺将电路中所需的晶体管、电阻、电容、电感等元器件和布线相互连接起来，制作在一块或几块小的半导体晶片或介质基板上，然后将它们封装在一个封装中，已成为具有所需电路功能的微结构；所有的元件都被构造成一个整体...集成电路所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。IC可以在一块豌豆大小的材料上包含数十万个单独的晶体管。...这定义了一个矩形封装，相邻引脚之间的间距为2.54毫米（0.1英寸），引脚排之间的间距为0.1英寸的倍数。因此，0.1"x0.1"间距的标准“网格”可用于在电路板上组装多个芯片并使它们保持整齐排列。...3 制作方式不同 集成电路采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。
纳米压印制备硅基 OLED 微型显示器的方法工艺原理纳米压印技术基于模板复制原理，通过将带有微纳图案的模板与涂覆在基板上的软质材料紧密接触，在一定压力和温度下，使软质材料填充模板图案的凹陷区域，随后脱模...，将模板图案转移至软质材料上，从而实现高精度图形的复制。...待介质固化后，小心脱模，将模板图案完整转移至基板上。之后，以压印形成的图案为掩模，通过刻蚀等工艺对基板进行处理，形成所需的微纳结构，如阳极像素阵列、阴极结构等。...根据干涉条纹的形状、间距等信息，结合光程差与表面高度的关系，可精确计算出光刻图形的高度、轮廓等参数。...其测量速度快，可实现实时在线检测，配合专业软件能对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形质量，便于及时调整制备工艺。
在2025年IEEE第75届电子元件与技术会议（ECTC）上，康宁公司的两个研究团队及其合作伙伴（Fraunhofer IZM等）发表了2篇关于玻璃基板先进封装的研究成果，聚焦CPO技术中的板级光互连与...每组内侧16条波导采用250 μm间距（兼容标准MPO-16连接器），其余波导最小间距50 μm以提升密度。...腔体与TGV制造 - 腔体加工：结合机械加工与湿法化学蚀刻（HF基溶液），在6英寸玻璃基板上制备盲孔腔体（深度75-85 μm）。...- 图案化与蚀刻：通过LDI曝光优化（调控剂量、焦距）实现腔体内间距的图案，经蚀刻形成Cu电极，尺寸与设计图案偏差极小。...3D玻璃基板通过腔体、TGV与的高密度集成。
两种BGA封装技术的特点 BGA封装内存：BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；...用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形，如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形，露出电极和焊区。为提高生产效率，一条基片上通常含有多个PBG基板。...二、FC-CBGA的封装工艺流程 1、陶瓷基板 FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板，它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多，以及基板的共面性要求较高等。...它的主要过程是：先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。在CBGA的组装中，基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。...BGA封装流行的主要原因是由于它的优势明显，封装密度、电性能和成本上的独特优点让其取代传统封装方式。
这种混合设计在需要CPO的功率效率和可插拔模块的灵活性时，便于CPO的应用。例如，在TOR应用中就是如此。 概念验证（POC）平台考虑了可维护性，8个光引擎可从基板上拆卸。...◆光引擎 光引擎由单片L - EPIC芯片、MCU和通过双面SMT工艺组装在引擎基板上的支持组件组成。引擎基板包括一个400 µm间距的LGA阵列，用于与高性能插座中介层配合使用。...AOE封装组件通过间距为400 µm的27×19 mm LGA插座与下一级有机基板进行电气互连。选择该基板尺寸是为了便于未来扩展到12.8 Tbps的容量。...需要外部压力和PCBA或基板下方的加强件来连接LGA插座并保持良好的电气接触。 2....关键设计如下： ◆ 双面LGA接口 底部900 μm间距LGA连接主板，顶部8组400 μm间距LGA连接OE，通过弹性压缩机构（工作范围70 μm）确保信号完整性（图2.3）。
MCM 技术的基板的Gerber文件。...如果是用重氮片曝光，由于重氮片拷贝时镜像，所以其镜像应为底片药膜面不贴基板铜表面。如果光绘时为单元底片，而不是在光绘底片上拼版，则需多加一次镜像。 2，确定阻焊扩大的参数。...因为上板面有溶液的堆积，减弱了蚀刻反应的进行。可以通过调整上下喷嘴的喷啉压力来解决上下板面蚀刻不均的现象。...更进一步的改善可以通过使板中心和板边缘处的喷淋压力不同，板前沿和板后端间歇蚀刻的办法，达到整个板面的蚀刻均匀性。 4....上，以刮刀(长条状大小约10cm ×5cm，可用基板边料裁制而成)沾银胶后于板面有孔区域来回移动将银胶刮进孔内，一面完成之后进行另外一面。
要制造EMIB，首先必须在Si晶圆上构建RDLs（包括接触焊盘）。制作RDL的方法取决于RDL的导线线宽/间距。最后，将非RDL侧的Si晶圆附着到芯片附着膜上，然后切割Si晶圆。...较小线宽和间距的焊盘用于C2焊点，而较大线宽和间距的PAD则用于C4焊点。...这种结构的优点是：（1）更高的密度，（2）更好的性能，以及（3）普通的封装基板。可以有两种形式，一种在封装基板上做C4 bump，另一个在芯片晶圆上做C4 bump。...5.9.1 封装基板上带有C4 bump的混合键合桥 图5.27显示了封装基板上带有C4凸点的混合键合桥接的流程。...对于封装基板，通过网板印刷的方式将焊膏涂抹到基板上，然后回流形成C4 bump。对于最终组装，将桥+芯片模块拾取并放置在封装基板上，然后回流C4 bump。
光纤阵列（Fiber Array，简称FA），利用V型槽（V-Groove）基片，把一束光纤或一条光纤带按照规定间隔安装在基片上，所构成的阵列。 光通信中的光纤阵列主要包括基板、压板、和光纤。...通常在基板的基底切割出多个凹槽，将压板压紧和固定插入凹槽的光纤。光纤阵列对材料和制造工艺的要求非常高。 光纤阵列主要依靠精密刻化的V型槽来实现定位。...V型槽需要使用特殊的切割工艺来实现精确的光纤定位，将除去光纤涂层的裸露光纤部分置于V型槽中，此过程需要通过超精密加工技术将光纤芯精确地定位在V型槽内，以减少连接损耗，再通过加压器部件加压并用粘合剂固定，...基板材料会影响光纤阵列的光学性质，需要使用膨胀系数较小的材质来保证光纤阵列无应力、高可靠性以及高温下无光纤移位。玻璃和硅是常用的材质，此外也有陶瓷、导电基板以及塑料基板。...图片1.png V型槽的槽与槽之间距离、光纤通道数、以及研磨角度都是根据需求定制化的，但彼此相邻的凹槽之间的中心到中心尺寸的精确度在± 0.5μm，相邻的槽之间的槽长度方向的平行度在± 0.1度以内。
◆ CPO技术背景下的光互连需求 共封装光学（CPO）技术通过将光收发器与交换ASIC集成于同一基板，实现下一代数据中心低功耗高容量的交换功能。...高密度集成：玻璃基板因低介电常数（高频传输优势）、低翘曲（基板之一，需适配其边缘的多通道光连接。...◆ 连接器核心设计：准直光束与磁力耦合机制 ① 结构特点：采用12通道、250μm间距接口，通过准直光束耦合和磁力连接实现。玻璃基板中的波导和光纤阵列（FA）通过类似MT连接器的定位部件连接。...◆ 实验结果 ① 高密度连接：实现四组12通道连接器在玻璃基板上的部署， shoreline密度达1.2ch/mm。玻璃基板的波导通过双光子直写加工，插入损耗为0.5-0.8dB。...◆ 结论 Furukawa研发的超小型可分离光连接器可实现玻璃基板上的多通道高密度连接，具备低插入损耗、高稳定性和耐久性，适用于CPO技术需求。
共封装光学（CPO）通过将光子集成电路（PIC）与电子集成电路（EIC）集成于同一封装基板，显著缩短电互连长度，成为应对上述挑战的关键技术方向。...一、异构集成技术方案 比利时imec研究团队在《Optica》发表的研究中，提出两种硅基光子芯片与聚合物光波导的异构集成技术，通过片上氮化硅（SiN）波导与封装级聚合物波导的绝热耦合，实现高密度光学...首先在硅光子芯片表面旋涂光敏聚合物芯层材料（EpoCore 5，折射率1.579），通过紫外光刻（曝光剂量200 mJ/cm²）与显影工艺，形成宽度4.0 μm、厚度5.7 μm的单模波导结构，波导间距优化至...倒装键合集成工艺 针对芯片倒装至封装基板的应用场景，首先在硼硅酸盐玻璃基板上预制聚合物波导，通过光刻形成芯层图案后，将芯片与预制波导的玻璃基板通过紫外固化胶（OrmoClearFX，折射率...四、产业化挑战与展望 当前技术面临的主要挑战包括： ① 倒装键合工艺稳定性 玻璃与硅芯片的热膨胀系数差异（87 ppm/K vs. 4 ppm/K）导致键合翘曲，垂直间距偏差0.3
与有机或陶瓷基板相比，它们通常硅内插件可提供更精细的互连几何结构(约 20 倍的密集线间距)，从而提供器件级互连层次，实现 10，000 多个芯片到芯片的连接。...利用微凸块创建 FPGA 芯片切片，实现堆叠硅集成 Xilinx SSI 技术的基础是公司专有的 ASMBL 架构，该架构是一种模块化结构，由 Xilinx FPGA 构建模块组成，以Tile的形式实现可配置逻辑块...最后，每个 SLR 都要经过额外的加工步骤，以制造将芯片连接到硅基板的微凸块。...TSV 与受控塌陷芯片连接 (C4) 焊接凸点相结合，使 Xilinx 能够利用倒装芯片组装技术将 FPGA/ASIC堆叠安装在高性能封装基板上。...粗间距TSV 为封装和 FPGA 之间的并行和串行 I/O、电源/接地、时钟、配置信号等提供连接。
，也有很多上了年纪的人拿起C语言的书籍一步步跟着网络上的教材进行学习，随着编程语言在国内的普及，编程语言的生态已经发生了很大的变化，特别是高级语言的普及化，倒是显得很多底层语言在编程领域的影响力在下降，...，因为未来社会与智能化的机器已经紧紧捆绑在一起了，想要更方便的操控机器掌握一定的编程基础的人可能就会产生新的行业，如果有可能掌握一门编程对于适应未来的社会是存在好处的。...回到编程语言的学习过程，编程语言学习最佳的方式掌握一定理论基础上有项目实战，如果两种条件都是具备的情况下可能几个月就能找到编程的感觉，而大部分自学编程的人更多是在网络上找到自己觉得重要的视频学习起来，并且通过...CSDN等途径进行知识性的拓展，在某种阶段也是小有收获的存在，但在大部分情况下还是处于迷茫的状态，这种属于典型的没有方向感的方式，要摆脱这种模式建议静下心来默默的梳理自己的思路，先从掌握基础的理论开始，...最好的学习编程的方式就是在掌握一定理论的基础上再去实践能够取得意想不到的效果。 ?
在硬币的另一面，封装没有享受同样水平的增长。 在台积电的 N7 节点上，AMD 的凸块间距从约 200 微米变为 130 微米，IO 仅增加了 2.35 倍。...解决办法是什么？ 先进封装！ 这就是我们要注意的地方，一些工具供应商将所有倒装芯片封装称为“先进封装”。SemiAnalysis 和大多数业内下游人士不会这么说。...以Apple 为例，他们将让台积电采用应用处理器芯片，并将其与 90 微米到 60 微米数量级的更密集凸块封装到重组或载体晶圆/面板上。与传统倒装芯片封装相比，凸点密度大约高出 8 倍。...最常见和最高容量的用例是具有 TSMC CoWoS（基板上晶圆上芯片）的 Nvidia 数据中心 GPU。台积电将有源芯片封装在只有互连和微凸点的晶圆上。然后使用传统方法将这叠芯片封装到基板上。...该技术从凸块过渡到硅通孔 (TSV)，并且具有更大的扩展空间。 其他应用方面，例如索尼制造的 CMOS 图像传感器，其间距已经达到 6.3 微米。
4、防焊油墨：并非全部的铜面都要吃锡上零件，因此非吃锡的区域，会印一层隔绝铜面吃锡的物质（通常为环氧树脂），避免非吃锡的线路间短路。根据不同的工艺，分为绿油、红油、蓝油。 ...多层PCB电路板的完整制作工艺流程； 1.内层；主要是为了制作PCB电路板的内层线路； 制作流程为：（1）裁板：将PCB基板裁剪成生产尺寸；（2）前处理：清洁PCB基板表面，去除表面污染物;（3...）压膜：将干膜贴在PCB基板表层，为后续的图像转移做准备；（4）曝光：使用曝光设备利用紫外光对覆膜基板进行曝光，从而将基板的图像转移至干膜上；（5）DE：将进行曝光以后的基板经过显影、蚀刻、去膜，进而完成内层板的制作....FQC；最终检测，完成所有工序后进行抽样全检； 14.包装、出库，完成交付；PCB电路板制作流程注意事项 1.设置电路板外形得是用keep-out layer层画线； 2.线与线的间距...，线与过孔的间距，覆铜间距，得达到制版厂的要求，一般10mil即可； 3.投板之前进行规则检查，关键查漏短路和开路这两项； 4.元器件布局时距离板边至少2mm的距离。
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