开关电路在单片机电路设计中经常用到，一般有两个作用，一是电平的转换，二是增加单片机IO口的驱动能力。虽然这个电路很简单，也很常用，但是我发现还是有些人电路结构错误或者参数不会设置。
三极管不仅可以对模拟信号放大，也可作为控制开关使用，作为开关使用的三极管处于截止与饱和状态，其基本电路如下图所示：
1 mos管和三极管是构成芯片的基础元件，分立mos，三极管在我们平常的电路中也是用的最多的。 mos是电压控制型元件，而三极管是电流控制型元件。分别在mos的GS和三极管的IB给到一定的电压和电流，在mos的DS和三极管的CE就会有相应的电压变化。根据这个变化可以做成放大电路和开关电路，开关电路即放大电路的状态达到饱和状态。 今天分享MOS的两个开关电路 2.电平转换电路
最近分析一个电路，里面涉及到的主要是三极管做开关使用。又忘了低电平导通还是高电平导通了（不怕笑话，水平真的很凹）。
很多工程师在上学时被老师讲的三极管的各种电路接法，和小信号模型分析给绕晕了。而且大学的课本大多数都是在讲三极管的放大特性。其实在实际的电路设计中，三极管的很多应用场景只是利用三级管的开关特性，我们往往是运用三极管来实现开关电路，做一些电平转换的功能。
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电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带软开启功能。
上面两种是我们比较希望出现的，但是后面两种情况也是会有发生的时候，我们目前先不讨论这两种情况，到后面遇到的时候我们再来讲解，大家先知道有这两种情况就好。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
如图所示：当Vin=0时，三极管b-e之间没有正向偏置，而截止，相当于断开状态，此时Vce=Vcc，c极电流Ic=0；
无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，3脚为源极，2、4脚为漏极。有些封装2脚伸出可焊接，有些封装2脚悬空。
继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。MOS管是场效应管的一种。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。 MOS管分耗尽型和增强型的，区别在于耗尽型是常闭，加电压时截止，而增强型是常开，加电压时导通。 日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在高端驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强型NMOS管最为常见的重要原因，尤其在开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。（不用耗尽型是因为当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效；不易被控制，使得其应用极少。） MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止。 场效应管栅极G、漏级D、源级S对应三极管基极B，集电极C，发射极E；
CPU中的逻辑开关电路，原理上不是电流来控制的，而是(不准确的说是)电压来控制的，准确的说叫电场来控制的，只要电场在，零电流也能保持打开或关闭，这种晶体管开关叫MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，特别的，在CPU中，只需要电场的有和无(对应门极——控制极)即可对应0和1，在漏-源极的表现就是断和通，或者反之。
1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
今天和同事讨论起了公司用到的一个MOS管开关电路，针对其中的几个关键点做了比较系统的分析总结。
G极(gate)—栅极，不用说比较好认； 封装上左下角为G极； S极(source)—源极，P沟和N沟均交汇处； 封装上右下角为S极； D极(drain)—漏极，P沟和N沟单引线；
现在我们的DIY教程也差不多了，接下来我们就用软件设计电路图了，设计好后就发出去打样去，打样板最终会送出去给感兴趣的朋友，想要的朋友关注我们微信公众号：单片机技术宅 最终赠送的方案会在公众号上公布，也欢迎大家多提意见，要怎么送，多多给我提意见，毕竟打样的不多，数量有限，想要的就赶快吧。
它是一种通过光介质传输电信号的装置。照明器（红外LED）和光感受器（光敏半导体管）通常封装在同一封装中当输入端通电时，发光二极管发光，光电晶体管在接收到光后产生光电流，光从输出端流出，从而实现“电-光-电”转换。典型的应用电路如图1所示。
三极管有三个工作状态：截止、放大、饱和，放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放，现在不讨论。
负载开关电路日常应用比较广泛，主要用来控制后级负载的电源开关。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三极管实现。本文主要讨论分立器件的实现的细节。
三极管 三极管S8050-D： 直插的字体面向自己从左到右依次是发射极E，基极B，集电极C
本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。
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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
电平转换电路在电路设计中会经常用到，市面上也有专用的电平转换芯片，专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快，多使用在速度较高的通讯接口，一般对速度要求不高的控制电路，则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路。
在硬件上，要用OC门（三极管，集电极开路）或OD门（NMOS，漏极开路）来实现。另外，为了防止灌电流过大，在输出端要加1个上拉电阻。
理解NPN和PNP两种类型的三极管原理及电流方向就会明白为什么PNP三极管的集电极和发射极反着接当开关使用。
https://blog.csdn.net/qq_41844618/article/details/104347445
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电磁继电器（electromagnetic relay）是一种电子控制器件，它具有控制系统（输入回路）和被控制系统（输出回路），通常应用于自动控制电路中，它是用较小的电流、较低的电压去控制较大电流、较高的电压的一种开关控制方式，在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。
我们把晶体管比作两个二极管时候，是指基极-射极二极管和基极-集电极二极管。 NPN型二极管与PNP型二极管
2.知道管脚我们也就知道NPN和PNP了，箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。那箭头朝外的自然就是 NPN 了！
请看图，假设三极管基极电流为1MA，三极管直流放大倍数为50，那么在三极管集电极就
继电器线圈需要流过较大的电流 （约50mA）才能使继电器吸合，一般的集成电路不能提供这样的大电流，因此，必须要进行扩流，即设计驱动电路。
数字电源控制核心对输入输出参数进行采集后，利用控制算法进行分析从而产生PWM控制信号，PWM信号将经过驱动电路的进行功率放大和隔离，随后接入功率开关器件从而完成电源的输出控制。本篇将主要针对电源的驱动电路进行讲解。
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。
但作为一个怀着浓烈好奇心的门外汉，还是想一窥其中精彩，虽然并无任何捷径可走，但仍然有一些路标可以指引方向，至少不会绕太多弯路，浪费掉宝贵时间
上一篇推文中我们已经说了，驱动继电器的时候，通常我们会采用三极管来配合单片机IO口。至于为什么不直接用单片机IO口驱动，非得加个三极管，在上一篇推文中我们已经做过计算了。至于为什么采用三极管，更大的原因是因为三极管属于流控型器件，也就是说三极管的这个电子开关的闭合与断开是通过电流开控制的，并且所需要的电流非常小。三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。
这里的5V，12V指的是继电器的工作电压，也就是1脚和3脚两端的电压，具体看电压器的规格，如果你是DC5V，那你1脚和3脚之间的电压必须是5V，2脚是输入，5脚是常闭端，也就是平时2脚跟5脚连接在一起，当13脚电流达到50mA之后，触点就打到了4脚，也就是说2脚跟4脚连在了一起。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
放大电路是一种应用极为广泛的电子电路，其实质是能量的控制与转换，在电视、广播、通信、测量仪表以及其他各种电子设备中具有广泛的应用，能够将微弱的电信号（电压、电流、功率）进行放大，以满足人们的实际需求。近来，购买相关的元器件，对本科模拟电路相关的知识点进行回顾，加深相关内容的理解，主要包含两部分内容：1、仪表放大器AD620简介；2、固定偏置共射放大电路放大电路基本原理，具体内容如下：
在数字电路的领域，常常把电压简化为电平，来描述逻辑状态。比如TTL电平信号规定，+5V等价于逻辑“1”，也称为高电平，0V等价于逻辑“0”，也就是低电平。数字电路里，只有0和1两个状态。其实从0V到+5V，有无数个电压，为了便于处理数字电路，我们可以把无数个状态按照电压范围，简化为2个电平，因为我们只需要2个电平就能描述0和1这两种状态。 假设有两个电路板需要通信，但是两个电路板的电平标准不一样：对于数字“1”，一个板子认为5V左右的电压表示“1”;另一个板子认为3.3V左右的电压表示“1”。即两个板子对于高电平的定义不一样，不能直接通信，这中间就需要一个翻译。 翻译工作可以由一个三极管电路来完成。由于只有0和1两种情况，此时我们称三极管工作在开关状态。 当三极管的发射结导通以后，集电极与发射极之间会有电子流动，形成通路。饱和时集电极与发射极之间的电压Vce最低只有几十毫伏，可以忽略不计。所以，我们可以把输入的电平连接到三极管的基极。对于NPN型的三极管，把电源正极连接集电极，电源地连接发射极。然后从集电极引出输出电平。如果发射结导通，输出电平等于Vce,约等于0；如果发射结截止，输出电平等于电源电压。为了保证即便集电极与发射极导通，电源也不会被短路，应该在集电极串联一个电阻；同时，如果基极电流过大，可能在发射结导通的时候烧坏三极管，所以基极应该有串联电阻，因此可得原理图：
三极管是电流放大器件，决定三极管是否饱和取决于Ib和Ic的相对大小，通常来讲Ic/Ib > hfe 时， 三极管饱和。因此导出以下结论：
我们平时所说的三极管全称是双极性晶体管（bipolar junction transistor），具有两个PN结，PNP型三极管电路符号如下所示，通常有B：基极base；C：集电极collector；E：发射极emitter三个引脚，怎么判断晶体管是NPN还是PNP呢？符号中的箭头都是从P指向N的，下面左图中，箭头从中间的P指向N，所有是NPN；而右图中，是从P指向中间的N，所有是PNP。
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