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摘要:本文研究白光干涉仪在微流控芯片刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,分析其工作原理及针对微流控结构的技术适配性,通过实际案例验证其测量精度,为微流控芯片的制造...
摘要:本文研究白光干涉仪在碳膜沉积与刻蚀后的 3D 轮廓测量中的应用,解析其工作原理与技术特点,通过实际案例验证其对碳膜表面复杂形貌的精准测量能力,为碳膜相关器...
摘要:本文聚焦白光干涉仪在晶圆玻璃刻蚀后的 3D 轮廓测量应用,阐述其工作原理与技术特点,结合实际案例说明其在获取刻蚀后晶圆玻璃表面精准 3D 轮廓数据上的作用...
摘要: 本文阐述了白光干涉仪在晶圆化学蚀刻后 3D 轮廓测量中的应用。介绍了白光干涉仪的工作原理与技术优势,通过实际案例分析其在获取蚀刻后晶圆表面精确 3D 轮...
晶圆湿法刻蚀工艺通过化学溶液对材料进行各向同性或选择性腐蚀,广泛应用于硅衬底减薄、氧化层开窗、浅沟槽隔离等工艺,其刻蚀深度均匀性、表面平整度、侧向腐蚀量等参数直...
晶圆干法刻蚀工艺通过等离子体或反应离子对材料进行 anisotropic(各向异性)腐蚀,形成高精度三维结构(如栅极沟槽、通孔、FinFET 鳍片等),其刻蚀深...
芯片刻蚀工艺通过干法或湿法腐蚀将光刻图形转移至晶圆表层材料(如硅、氧化物、金属等),形成沟槽、通孔、鳍片等三维结构,其深度、线宽、侧壁倾角等参数直接决定器件的电...
纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography, NIL)作为低成本、高分辨率的纳米制造技术,通过模板物理压印将纳米级图形转移至聚合物或金属薄膜,...
EUV(极紫外)光刻技术凭借 13.5nm 的短波长,成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺,其光刻后形成的三维图形(如鳍片、栅极、接触孔等)尺寸通常在...
浸没式光刻(Immersion Lithography)通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体(如超纯水,n≈1.44),突破传统干法光刻的分辨率极限,广泛应...
步进扫描光刻(Step-and-Scan Lithography)作为先进集成电路制造的主流技术,通过分步移动与扫描曝光结合的方式,实现大尺寸晶圆上纳米级图形的...
步进重复光刻(Stepper Lithography)作为集成电路制造的核心技术,通过分步重复曝光将掩模图形转移至晶圆不同区域,形成阵列化纳米级三维结构(如芯片...
光学投影光刻(Projection Lithography)作为大规模集成电路制造的核心技术,通过投影透镜将掩模图形缩小转移至光刻胶层,形成纳米至微米级三维结构...
接触式光刻(Contact Lithography)作为低成本、高分辨率的微纳加工技术,广泛应用于 MEMS、光学元件等领域,其光刻后形成的三维图形(如微透镜、...
EBL(电子束光刻)技术凭借纳米级加工精度,广泛应用于 IC 芯片原型、纳米光电器件等领域,其光刻后形成的三维图形(如纳米线、光栅、孔阵列等)尺寸通常在 10n...
IC 芯片光刻后形成的三维图形(如栅极、互联线、接触孔等)是半导体制造的关键中间产物,其线宽、高度、侧壁倾角等参数直接决定器件的电学性能与良率。这些图形通常为纳...
晶圆表面粗糙度是半导体制造中的关键质量指标,直接影响薄膜沉积均匀性、光刻对准精度及器件电学性能。无论是硅衬底的原始表面,还是经过抛光、蚀刻、沉积等工艺处理后的表...
晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构(如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等),其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的...
晶圆蚀刻图形是半导体制造中通过干法或湿法蚀刻形成的微米至纳米级三维结构(如沟槽、通孔、鳍片等),其深度、线宽、侧壁倾角等参数直接影响器件的电学性能与可靠性。传统...
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)的核心图形结构(如栅极、源漏电极、像素电极等)是微米级甚至亚微米级的金属或半导体薄膜图案,其线宽、高度、台阶差等三维轮廓参...
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