碳化硅激光切割工艺流程有哪些步骤？

近两年，每当讨论半导体材料时，另一个话题“碳化硅”几乎同时出现。碳化硅热度可以说是一路狂飙，无疑成为了半导体领域的新宠。碳化硅是第三代半导体材料，与传统硅基材料相比，碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越的物理性能，适合制作高温、高频率、高功率、高电压的大功率器件，能更好地适配电子通信、新能源等行业应用。显而易见，碳化硅取代硅基是大势所趋。

国玉科技碳化硅晶圆切割划片设备

碳化硅切割，也称划片，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，即通过切割技术将做好芯片的整片碳化硅晶圆进行分割，从而形成独立的单颗晶片，为后续工序做准备。

碳化硅切割流程大致分为三步：

第一步是绷片

绷片是切割前的固定过程，在碳化硅晶圆的背面贴上一层蓝色薄膜，固定在金属框架上，有助于防止晶圆切割后散落。

第二步是切割

有两种切割方式：半切和全切。半切是切割4/5晶圆厚度，不会切透晶圆，然后用机械方式使其自动裂口形成独立晶片。这种方式成本低，不需要贴蓝膜，一般是给挑粒装盒的客户用的。全切即将晶圆切透，切割前贴一层蓝膜。这种方式一般用于选择晶片留蓝膜上出货的客户。在切割过程中，需要用去离子水洗掉切割时产生的硅渣，释放静电。将二氧化碳气体溶解在离子水中，降低水的电阻，从而有助于释放静电。

第三步是紫外线照射

用紫外线照射切割完的蓝膜，降低蓝膜的粘度，方使后续进行拣选和包装。

那么，看到这里有些读者会疑惑，如何选择一台好的碳化硅切割机呢？从客户的角度分析，还是选择大品牌的质量比较可靠，比如国玉科技、大族激光和华工激光等。其中国玉科技历经数二十年开拓进取，稳步发展，现己成为国内工业激光自动化行业的领先企业，具有较强的半导体工艺研发实力，其碳化硅切割工艺技术领先行业内大部分的品牌，主要在于国玉科技能实现碳化硅高质量、高效率的切割加工，具有切割速度快，切割效果好，产品良率高等优势。

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