美光科技今天宣布,它正在向选定的智能手机制造商和芯片平台合作伙伴运送其1β(1-beta)DRAM技术的认证样品,并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现批量生产准备。该公司正在其低功耗双倍数据速率5X(LPDDR5X)移动内存上推出其下一代工艺技术,提供每秒8.5千兆位(Gb)的最高速度等级。该节点在性能、位密度和电源效率方面提供了显著的进步,这将带来广泛的市场优势。除移动设备外,1β 还提供低延迟、低功耗、高性能DRAM,这对于支持从智能车辆到数据中心的高响应应用、实时服务、个性化和体验情境化至关重要。
作为世界上最先进的DRAM工艺节点,1β代表了公司市场领导地位的进步,2021年1α(1-alpha)的出货量巩固了这一地位。该节点的能效提高了约 15%,位密度提高了 35% 以上1每芯片容量为 16Gb。
美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“我们的 1-beta DRAM 的推出标志着内存创新的又一次飞跃,这得益于我们专有的多图案光刻技术与领先的工艺技术和先进材料能力相结合。在提供世界上最先进的DRAM技术时,每个内存晶圆的位数比以往任何时候都多,该节点为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。”
这一里程碑紧随美光于 7 月推出全球首款 232 层NAND 之后,再一次推动前所未有的存储性能和面密度。凭借这些新的突破,美光继续在内存和存储创新方面为市场设定步伐。这两者都得益于公司在尖端研发(R&D)和制造工艺技术方面的深厚根基。
通过LPDDR5X的采样,移动生态系统将率先从1β DRAM的显著收益中获益,这将解锁下一代移动创新和先进的智能手机体验,同时消耗更少的功率。凭借 1β 的速度和密度,高带宽用例在下载、启动和同时使用数据有着高需求的 5G 和人工智能 (AI) 应用程序时将具有响应性和流畅性。此外,基于 1β 的 LPDDR5X 不仅能快速、清晰地增强智能手机摄像头启动、夜间模式和人像模式,还能实现无抖动、高分辨率 8K 视频录制和直观的手机内视频编辑。
1β 工艺技术的每比特功耗低,为智能手机提供了市场上最节能的内存技术。这使得智能手机制造商能够设计出具有更高效电池寿命的设备——这对于消费者在使用耗能、数据密集型应用程序的同时延长电池电量至关重要。
通过在这个基于1β的LPDDR5X上实施新的JEDEC增强型动态电压和频率缩放扩展核心(eDVFSC)技术,还可以实现节能。以高达每秒 3200 兆比特的双倍频率层添加 eDVFSC2提供改进的节能控制,以便根据独特的最终用户模式更有效地使用电源。
美光通过复杂的光刻和纳米制造挑战物理定律
美光领先业界的1β节点可在更小的尺寸内实现更高的内存容量,从而降低单位数据成本。DRAM的扩展性很大程度上取决于每平方毫米半导体晶圆面积上集成更多更快内存的能力,这就需要缩小电路面积,从而在指甲大小的芯片上容纳数十亿个内存单元。几十年来,随着工艺节点的不断进步,半导体行业每年或每两年都会缩小器件尺寸。但随着芯片变得越来越小,在晶圆上定义电路图案需要挑战物理定律。
为了克服这些技术挑战,半导体行业开始使用具备极紫外光刻技术的新设备。但是,该技术仍处于发展初期。为规避技术风险,美光采用了其成熟的尖端纳米制造和光刻技术。公司凭借专有的先进多重曝光技术和浸润式光刻技术,以最高精度在微小尺寸上形成图案。缩小器件尺寸从而提供更大容量,还将使智能手机和物联网设备等外形尺寸较小的设备能够在紧凑的空间里集成更大的内存。
为了在1β和1α上实现竞争优势,美光在过去几年中还积极推进其卓越的制造、工程能力和开创性研发。这种加速的创新首先使美光的1α节点在竞争中领先一年,从而在公司历史上首次确立了美光在DRAM和NAND领域的领导地位。3年多以来,美光进一步投资数十亿美元,将其晶圆厂转变为领先的、高度自动化的、可持续的和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资,该工厂将在1β上批量生产DRAM。
1β节点为无处不在的互联和可持续世界奠定坚实基础
随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等耗能用例的兴起,节能技术对企业的需求越来越迫切,尤其是那些希望实现严格的可持续发展目标并降低运营费用的企业。研究人员发现,训练一个人工智能模型可以排放五倍于美国汽车(包括其制造)的全生命周期碳排放量。此外,预计到2030年,信息和通信技术将消耗全球20%的电力。
美光的 1β DRAM 节点为互联世界中的进步提供了多功能基础,这个世界需要快速、无处不在、节能的内存来推动数字化、优化和自动化。在 1β 上制造的高密度、低功耗存储器可在数据密集型的智能设备、系统和应用程序之间实现更节能的数据流,以及从边缘到云的更多智能。在接下来的一年里,该公司将开始在嵌入式、数据中心、客户端、消费、工业和汽车领域(包括图形内存、高带宽内存等)上推出1β产品组合的其余产品。
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