使用14纳米FinFET工艺，三星公开新一代MRAM存储器件研究成果

集微网消息，据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域最新研究进展。

会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。

这一样品数据写入仅消耗每比特25pJ，读取时有功功率要求为14mW，以每秒54Mbyte的数据速率写入的有功功率要求为27mW，与该公司上一代28nm节点的MRAM相比，读取时间加快了2.6倍。

该研究的目标之一是证明嵌入式MRAM作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用程序，例如边缘AI。

第68届 IEDM 的主题是“晶体管问世 75 周年和应对全球挑战的下一个变革性器件”。会议将于2022年12月3日至7日在美国举行。