对华科技战加码，禁止光刻机出口中国，结果很扎心

最近美国政府正在向荷兰和日本施压，要求光刻机制造商阿斯麦ASML和尼康停止向中国大陆出售技术较成熟的深紫外光DUV光刻设备。美国对华科技战又要加码了！

美国对华科技战又要加码了！据彭博社消息，最近美国政府正在向荷兰和日本施压，要求光刻机制造商阿斯麦ASML和尼康停止向中国大陆出售技术较成熟的深紫外光DUV光刻设备。这是在美国禁止向中国出口最先进的极紫外光EUV光刻机之后，进一步将制裁措施延伸到不那么先进的设备上的新动作。DUV浸没式光刻机系统所用于的芯片制程技术比使用EUV光刻机先进技术落后一代以上，但仍然是制造汽车、手机、电脑乃至机器人所需的成熟制程芯片最常用的设备。由于荷兰阿斯麦垄断了全球高端光刻市场，浸没式DUV光刻机全球市场占有率达93%，EUV全球市占率达100%。这则消息拖累阿斯麦的美国存托凭证（ADR）价格一度重挫超8%，为近一年来最大的盘中跌幅。

众所周知，美国对华科技战的一个重点就是对华封锁半导体供应链上的产品、技术、制造设备和材料等，让中国的一些科技企业无芯可用。但是由于中国是世界上最大的电子产品生产国，国内芯片销量占全球的四成左右，而最终产品的客户中，西方市场的份额又非常巨大，因此美国没有办法全面封杀对中国的半导体芯片出口，因为这是杀敌一百自损一千的行为。而中国大陆的厂家也逐渐成熟，依靠国产和进口的设备生产出大量的芯片，市场占有率正稳步提升。根据美国半导体行业协会SEMI的数据，尽管无法引进先进工艺设备，中国大陆依然连续两年成为全球最大的晶圆制造设备市场，累计花费高达483亿美元。这恐怕就是这次美国政府将制裁措施再次加码的主要原因。

这里先科普一下DUV和EUV光刻机的基础知识：DUV光刻机分为两种：浸没式和干式。

干式DUV光刻机理论单次曝光最高可以加工到65纳米的工艺，经过多次曝光等技术，还能再缩小一两个工艺节点。目前世界上能制造干式DUV光刻机的公司有阿斯麦、尼康、佳能和上海微电子。但并不是所有厂家的所有型号干式DUV光刻机都能再缩小一两个工艺节点，这和光刻机本身的性能、价格和产品定位有关。

浸没式DUV光刻机理论单次曝光最高可以加工到28纳米的工艺，经过多次曝光等技术，最高可以加工7纳米的工艺节点。同样，也并不是所有厂家的所有型号的浸没式DUV光刻机都能加工到7纳米的工艺节点，这也取决于光刻机本身的性能和整条生产线上的其他设备和材料。目前世界上能制造浸没式DUV光刻机的公司只有阿斯麦和尼康，佳能公司已经放弃，我国正在研发，而且据说不止上海微电子一个团队。浸没式DUV光刻机就是美国政府这次想要禁运的重点。但是阿斯麦和尼康公司的浸没式DUV光刻机并没有采用什么美国的技术和零部件，美国想要禁运可以说是毫无理由，只能依靠霸权对日本和荷兰施加政治压力。目前荷兰政府并未同意对中国禁运，日本政府还没有表态。

目前最先进的光刻机是EUV光刻机，能够加工从7纳米往下的所有工艺节点，目前只有阿斯麦公司能造，同样，也并不是所有型号的EUV光刻机都能加工所有节点，生产效率也有区别，这类光刻机也分档次和性能划分的。由于阿斯麦的EUV光刻机中最关键的激光器采用了收购自美国一家公司的产品，这就是美国要求对中国禁运的理由。在可预见的未来，美国都不太可能同意放宽EUV光刻机对中国的销售。我们必须依靠自己的力量来解决这个问题。

不过，目前市场所需80%以上的半导体芯片都不需要7纳米或者更先进的工艺，都不需要使用最先进的EUV光刻机，因此我国采购阿斯麦和尼康的浸没式DUV光刻机足够满足我们大部分的需求。而我国自己研制的浸没式DUV光刻机已经离成功不远，美国在此刻提出禁运，实属不明智。我们的应对措施是，一方面加快国产光刻机的研制进度，另一方面在外交上争取荷兰和日本不向美国让步。没有什么能够阻挡我们前进的步伐。