EUV级别正式官宣！日企刚发声，中企就发起冲击

EUV，已经成为突破高端芯片绕不开的话题。由于出口限制，EUV光刻机我们只能自己去突破。而要自主造出高端芯片，还有一项也要突破，那就是EUV级别的光刻胶。

一个是设备，一个是材料，两个都是高端芯片制造必不可少的关键，都被外企垄断，都需要自主突破。然而，光刻胶巨头近日指出我们做不出EUV，于是中企发起冲击。

日企光刻胶巨头发声

据外媒消息，日本一家光刻胶企业叫JSR，其CEO在接受采访时表示，我们很难掌握EUV极紫外光刻的复杂芯片制造技术。这意思主要是，我们很难造成EUV光刻机。

还表示，即使我们拿到了关于化学成分细节的论文，在纯度、精度和大规模量产方面也很难成功做出。这说的基本上就是光刻胶了，并且应该指的是先进的EUV光刻胶。

这位CEO算是行业内有一定地位的人士，但他的这些观点似乎还是有点太片面了。

要实现高端芯片制造，主要就是要解决芯片制造技术、设备和材料这三方面问题。

首先，要突破芯片制造技术。我们芯片制造技术最先进的就是中芯国际，因为有芯片大佬梁孟松的加入，仅用三年多时间就完成了28nm到7nm五个世代的技术研发。

目前，中芯已经量产了28nm、14nm、12 nm和N+1等工艺，7nm技术开发已经完成，5 nm和3 nm技术开展已展开，就差EUV光刻机到来，可见技术不是问题。

光刻机的差距有多少

其次，要突破EUV光刻机。可能有人会说，我们国产光刻机最高制程才90nm，而EUV光刻机已经7nm以下了，差得有点远。其实，这是大家不太了解光刻机的分类。

光刻机按光源可分为极紫外EUV、深紫外DUV、紫外UV三类。EUV为高端，波长13.5 nm，可实现7-3 nm制程。DUV为中端，又分三小类，分别是ArFi、ArF、KrF。

UV主要有i-line和g-line两种，波长为365nm和436 nm，这已国产不再多说。

重点了解下DUV，就知道我们距EUV差距有多少了。按发展顺序介绍吧，KrF波长248nm，可实现180-130 nm制程。ArF波长193nm，可实现130-65 nm制程。

这两项上海微电子已经可以国产，那现在正在攻坚的应该就是ArFi浸入光刻机了。近日，有外媒表示年底前将会突破。这样说来，DUV中最高端的我们也要突破了。

那么接下来必然就是EUV光刻机，EUV相关技术早就在研发，突破应该不远了！

中企官宣EUV光刻胶

再者，要突破EUV光刻胶。光刻机之所以重要，就是因为光刻环节在芯片制造过程中耗时最长，约占40-50%，成本也最大，而光刻胶是光刻机工艺中最重要的耗材。

光刻胶按应用领域分LCD 光刻胶、PCB 光刻胶和IC 光刻胶三种，前两种相对低端，国产已没有问题，不再多做介绍。重点就是第三种，芯片制造用的半导体光刻胶。

IC光刻胶相对于光刻机的波长，可分为g 线、i 线、 KrF、ArF、EUV 光刻胶等。

由于国外半导体发展较早，光刻胶也获得优先发展，如今全球光刻胶行业基本被日美企业垄断，上边发声的JSR和TOK、美企杜邦、信越化学、富士电子为前五大厂商。

这五家占据全球87%的市场份额，尤其是KrF、ArF、EUV 高端光刻胶份额更高。

但随着我们芯片代工的发展，国产光刻胶也在迅速前进，g 线、i 线、KrF早已突破，并已出货给中芯国际等。南大光电的ArF光刻胶已通过客户验证，并少量出货。

重点是上海新阳近日正式官宣，已经开始EUV光刻胶的技术研发。有专家表示，技术不是问题，重点是积累经验、产业配套、客户验证，相信我们也一定能实现突破。

基于以上情况，网友才指出日企CEO太低估我们的创造力了，成功只是时间问题！