三星定于今年6月前全力转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发

据 Business Korea 报道，三星近期设立了一个新的目标，希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工艺节点的第六代 1c DRAM 芯片的开发。消息称，该公司已要求自家研发人员停下或跳过基于 12nm 工艺节点的 1b DRAM 芯片的开发，以期扩大并维持较竞争对手（包括 SK 海力士和美光科技）的技术领先优势。

资料图（来自：Samsung 官网）

当然，这不是我们首次看到三星作出类似的决定，此前这家韩国电子科技巨头曾放弃 28nm DRAM、并全面转向 25nm DRAM 的生产。

不过业内专家指出，11nm DRAM 的生产并非易事。因其需要先进的技术作为支撑，而当前三星在 1a DRAM（10 纳米级别的第 4 代内存产品）的量产上落后于两大竞争对手。

在巨大的压力之下，报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标。