从封测到芯片成品制造，长电科技引领行业协同设计理念创新

集微网消息，在中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2021）上，长电科技做了题为《“芯片-封装-系统”协同设计及其价值体现》的演讲。

5G、物联网、汽车电子和高性能计算等应用不断要求芯片制造工艺演进，以手机为代表的消费类电子产品的不断高度集成化、多功能化和轻量化，使得电子产品结构日趋紧凑，功能日趋强大，相应的电路设计更加复杂，能耗管理更加严峻，这些在要求芯片制造工艺不断演进的同时，对封装技术也提出了全新的要求和挑战，传统的半导体封装则很难满足快速发展的技术要求。后摩尔时代，业内在进一步探索半导体集成电路的发展方向，使得先进封装技术的重要性迅速提升起来。

在全球半导体市场规模不断突破历史记录的同时，成本也在快速攀升。“在晶体管层面，业内不断投资先进制程，提高芯片内晶体管数量来获得更好的性能/成本。然而在系统层面，业内通过不断增加功能模块的系统集成来获得更好的性价比。”长电科技表示，“这也是为什么先进制程主要是智能手机的需求，成本高，主要是为了降低功耗、减小尺寸。但是这部分需求仅占到了市场需求的三分之一左右，这使得更大规模的市场寻求以更低成本的解决方案来实现更优化的性能。这就使得异构集成的先进封装越来越受重视。”

长电科技指出，异构集成需要真正的协同设计合作。“事实证明，用单独封装和互连的较小功能构建大型系统可能更具经济效益。大型功能的可用性，结合功能设计和构建，应该允许大型系统的制造商快速且经济地设计和构建相当多的设备。”长电科技引述戈登摩尔的观点表示。HIR公布的半导体技术路线图也比以往更侧重于解决问题的系统级集成和先进封装技术。

随后，长电科技具体介绍了多尺度协同设计（Multi-Scale Co-Design）和多物理场协同设计（Multi-Physics Co-Design）。

从后摩尔时代的发展方向来看，封测技术的发展必将为产业发展带来前所未有的机遇，产业链全方位协同创新将是推动我国集成电路封测业进一步发展的重要途径之一。在技术融合和经济需求的驱动下，芯片封装系统从独立走向协同设计。以往芯片生产流程从制造、封装到系统使各个环节形成了一种边界或鸿沟。随着异构集成时代的到来，这种产业模式受到了冲击，协同设计与集成开发被寄以重望，协同设计与集成开发已成为先进SiP/Chiplet设计的主流趋势。 协同设计是基于产品研发的一种设计和封装的创新模式。现今由于芯片功能、电源管理等变得愈来愈复杂，封装的结构也愈发复杂。传统的IC-封装-PCB依次的设计顺序已经不适用于今天的产品。 IC-封装-PCB之间的综合协同设计已成为必然。

另一方面，随着异构集成功能模块日前复杂，一个封装系统可能要同时面临光、电、热、应力等多物理场耦合挑战，业内越来越多的需要多物理场协同设计应对这些挑战。

长电科技表示，在单颗芯片和封装系统日趋复杂趋势下，为了确保半导体封装满足性能要求，长电科技的设计和特性分析团队在芯片的开发过程中，通过协同设计与前后端客户紧密合作，推动协同设计。封装的“联合设计”营造了良好的开发环境，为实现最佳性能提供助力，也可在微系统集成服务商业模式上提供更多可能。

最后长电科技总结指出，芯片-封装-系统设计创新驱动了多尺度和多场协同设计分析，在此趋势下，协同设计及优化对于市场上有竞争力的产品变得越来越重要。SiP系统级封装、先进封装及Chiplet为代表的新技术需要系统技术协同以获得最优解。“今年长电科技提出从‘封测’到‘芯片成品制造’的概念升级，带动行业重新定义封装测试的产业链价值。同时，长电科技深化与产业链上下游、高校、研发机构的合作，推动集成电路产业生态的多方协同发展。无论是单芯片器件，还是复杂的系统级封装，长电科技的封装设计都能够满足客户的需求，灵活的业务模型推动了整个生态系统的发展。”

实际上，在近日长电科技发布的全新标识中就体现了这一理念。新标识中的英文字母C/E/T分别代表连接（Connection）、发展（Evolution）、科技（Technology）紧密连接成一个整体，象征着芯片成品制造的高度集成和高度互联趋势，而长电科技也将紧密连接客户及产业链，协同发展、科技创新、共赢未来。英文标识中“C”字中部及“E”字下方的方形设计，中文标识中“科”字上的两个渐变色方形代表着芯片成品，也诠释着长电科技围绕集成电路芯片成品制造和技术服务的专注和行业担当。

据悉，随着所在行业和技术的不断发展，新标识的启用和企业品牌形象的焕新，标志着长电科技将以全新面貌迈向未来发展新的里程碑。长电科技将紧紧把握契机，不断地实现自身的发展和跨越。（校对/落日）