打破美国技术壁垒，国产“氮化镓芯片”崛起，跻身全球前三

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芯片的种类繁多，根据不同的领域所需求的芯片也是不一样的。就拿手机快充技术而言，为什么有的手机厂商能实现120W的超级快充，其实这背后离不开氮化镓芯片的支持。

作为第三代半导体材料，氮化镓的应用前景广泛，在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。而国产企业实现“氮化镓芯片”崛起，跻身全球第三，并打破了美国技术垄断。国产企业是如何做到的呢？国产氮化镓芯片崛起有何意义？

国产“氮化镓芯片”崛起

半导体行业的发展十分迅速，从低端到高端的转变，带动了一系列产业的经济发展。为了实现更好的产业未来，国内外都在寻求更先进，更有效的半导体材料。

目前正处于第三代半导体材料时代，已经从第一代的硅，第二代的砷化镓发展到现在的碳化硅，氧化锌以及氮化镓。

就拿氮化镓来说，目前国内非常普遍的快速充电器几乎都用上了氮化镓，为手机提供很大的充电效率。体验过120W超级快充的人都知道，一部四五千毫安时的手机电池，在极速充电的情况下十到二十分钟内就能充满电量。

未来还会有更多的手机厂商使用氮化镓来制造充电器，这为氮化镓芯片创造更大的市场空间。

但其实首先运用氮化镓功率芯片的企业并不是中国厂商，而是一家来自美国的纳微半导体公司。这家公司掌握全球领先的氮化镓功率芯片制造技术，于2014年成立，尽管发展时间不长，可是却成为了氮化镓市场行业的一大黑马。

截至今年10月份，纳微半导体已经出货了超3000万颗自主研发的GaNFast 氮化镓功率芯片，在该款芯片的加持下，可以为充电器带来安全，稳定和极速的充电体验，并降低了功耗问题避免充电器过度发热。

随着纳微半导体的市场影响力进一步加强，只要给其足够多的时间，恐怕中国手机厂商都需要向其采购氮化镓功率芯片，市场份额也会被对方掌握。

但是国产企业英诺赛科打破美国技术垄断，实现了国产氮化镓芯片的崛起。目前英诺赛科的氮化镓功率芯片出货量跻身世界前三，而且英诺赛科在苏州还拥有一座第三代半导体生产基地，可实现8英寸硅基氮化镓晶圆的大规模量产。

产能满载的情况下每月可生产6.5万片晶圆。这座半导体生产基地集合了研发、设计、制造于一体，为英诺赛科提供很大的市场竞争优势。

根据公开资料显示，英诺赛科成立于2015年，是全球领先的氮化镓功率器件生产制造商，掌握这项领域设计和制造等众多生产优势，并实现产业链的自主可控。

英诺赛科没有就此止步，还在继续向前迈进。在2021（秋季）USB PD&Type-C 亚洲展上，英诺赛科向外界展开了最新的研究成果，公布65W到240W氮化镓功率芯片的解决方案。

以最高240W解决方案为例，其功率密度达到了41W/in3，效率突破96.5%。240W充电功率是什么概念，要知道目前市面上最高功率的充电器也仅仅只有120W，这足足提升了一倍充电效率。

氮化镓芯片崛起有何意义呢？

得益于优质，高效的技术和生产效率，英诺赛科受到了很多国产厂商青睐。市场上主流的厂商几乎都和英诺赛科进行合作，产品覆盖广泛，在消费电源市场更是出货了4000万颗氮化镓功率芯片。

在英诺赛科的推动下，国产氮化镓产业迎来高速发展，手机充电功率不断提高。充电时间也从原来的一个小时，半个小时到现在的十多分钟。

如果英诺赛科240W氮化镓功率芯片实现大规模量产并投入商用的话，未来的手机充电时间可能可以压缩到十分钟以下。

那么国产氮化镓芯片的崛起有何意义呢？仅仅只是加快手机充电速度吗？其实不然。

在第一代半导体材料时代，以硅为主的硅基芯片改变了世界，时至今日依然会通过硅材料来生产芯片。

但行业的发展已经不局限于一种半导体材料，为了满足更多的行业发展需求，氮化镓这类宽禁带材料将带动功率电子时代的发展。在对功率有庞大需求的市场领域，传统的硅已经无法得到满足，所以探索新的功率材料成为向未来迈进的一个方向。

带来的意义就是改变产业链模式，并让中国在新的功率电子时代成为核心玩家。英诺赛科是全球氮化镓功率芯片巨头，仅仅比纳微半导体晚成立一年，却已经取得这般地位，相信未来还会取得更大的技术突破。

总结

国产企业生产出来的产品正在影响全世界，也在改变国内市场行业的发展脉络。不仅实现自主可控，而且还增强了在世界市场的话语权。英诺赛科跻身全球前三，这只是开始，希望将来的某一天，能获得更高的成就。

对英诺赛科你有什么看法呢？

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