SK海力士开发出业界第一款HBM3 DRAM内存，将搭载高性能数据中心

智通财经APP获悉，半导体供应商SK海力士宣布成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。

据了解，SK海力士去年7月在业界首次实现批量生产HBM2E DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3。SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。为实现24GB的业界最大的容量，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。