华为受美国制裁,将面临芯片断供一事,暴露了我国芯片制造行业的落后,各界对于国产芯片的关注度也骤然提升。前段时间,中科院一篇研究员研发出新型5nm超高精度激光光刻加工方法的新闻更是引发了热议,一时之间,国产芯片有望超车、替代光刻机的夸大言论四起。
不久后,中科院便将5nm新闻删除,原因不详。上述技术虽然令人瞩目,但还停留在实验室阶段,想要替代光刻机还有很长的路要走。这不禁让人发问,落后的国产光刻机,何时能追上国际?其实,早在20世纪70年代时,我国便开始光刻机的研制,并确定了光刻机设备与工艺的重要性。
不过我国基础产业十分薄弱,在1977年,首台GK-3型接触式光刻机才问世,与彼时领先的1:1投影光刻机与分步投影光刻机有着不小的差距。1985年,中国首台分步投影式光刻机问世,缩小了与美国之前的差距。但ASML的迅速崛起却又骤然拉大了国产光刻机与国际之前的差距。
ASML更是实现了对尼康、佳能这两大光刻机巨头的赶超。面对如此大的距离、强大的技术壁垒,我国光刻机想要实现赶超难上加难。彼时,国家政策扶植力度减小、“造不如买,买不如租”思想大肆兴起,加之1996年《瓦森纳协定》对我国实行了技术封锁,因此,长期以来我国光刻机发展几乎陷入停滞。
好在,我国并没有放弃光刻机的研制。身为中国光刻机第一巨头的上海微电子,在百般困难之下,于2007年推出首台90nm工艺投影光刻机。
但是阻碍也随之而来,西方对上海微电子进行禁运,这台大部分关键元器件来自国外的光刻机,也因此无法量产。
而且,我国对于光刻机的研究力量分散,难以将力量集结起来。并且,我国薄弱的基础研发与产业积累都使得光刻机的研发困难重重。照目前进度来看,国产光刻机与ASML之前有着至少几十年的巨大差距。而且,我国被卡脖子的不止光刻机,在芯片材料、制造等诸多领域都有明显落后。
而且,资本炒作现象使得我国芯片行业出现了虚假繁荣。不过,随着国家对集成电路行业的关注,以及众多脚踏实地企业成果的亮相,国产芯并不是没有突围的希望。
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