随着华为等一些企业被美国断供芯片,现在我们再一次意识到了芯片独立自主的重要性,而目前制约我国芯片独立自主的有一个核心环节就是芯片制造。
虽然目前我国也有一些企业能够制造一些中低端的芯片,但涉及到高端芯片上面,我国仍然严重依赖进口,特别是14纳米以上的芯片,更是几乎处于进口的状态,虽然中芯国际已经上线了14纳米的芯片,但其产量目前也并不是很大。
而我国之所以没法制造一些高端芯片,有一个核心的环节就是光刻机工艺不达标,目前全球最顶尖的光刻机是荷兰的asml,他们垄断了全球绝大部分的高端光刻机市场,对这些顶尖光刻机,即便我国愿意花很大的价钱买过来,他们也未必愿意卖。
比如中芯国际早在2018年的时候就花了1亿多美元购买了asml一台EUV光刻机,按照原来的计划,asml应该在2019年末交货的,但是至今2020年已经过了一大半,asml仍然没有向中芯国际供应这台光刻机。
看到这种情况,很多网友都觉得挺憋屈的,大家也希望我国早日能够摆脱对国外光刻机的依赖。
那假如我们集全国之力去搞光刻机研发,在短期之内能不能造出7纳米的光刻机呢?
在这我们只能说理想很丰满,但现实很骨感,想要在短期之内想研发出7纳米光刻机并实现量产,可能性太小。
因为光刻机它不像生产衣服一样,只要你把它设计出来,然后再购置一些布料,再加上一些生产设备,就可以生产出来了,光刻机是地球上最难造的一个设备之一,一台高端的光刻机有几万个零部件,这里面每一个零部件都是行业内的顶尖水平,而且很多零部件都是需要经过反反复复的打磨,才符合高端光刻机的需求。
比如之前美国有一名工程师就曾经表示过,为了打造光刻机上的一个零部件,他反反复复打磨了近10年时间。
由此可见,光刻机的制造难度是非常大了,而且时间是非常漫长的,特别是对于我国来说,目前很多西方国家都对我国限制出口一些核心零部件,如果完全靠我们去研发光刻机上所有的核心零部件,这个难度太大,就比如光刻机上的光源、镜头就是制约我国发展光刻机的关键环节之一。
也正因为光刻机的研发难度非常大,即便我国最先进的光刻机制造业,上海微电子也已经长期停留在90纳米没有取得突破。
上海微电子是在2002年的时候就已经成立了,并在2007年成功研发出了90纳米光刻机,但是从90纳米光刻机研发出来,一直到现在我国真正实现量产的也就90纳米光刻机。
不过前段时间上海微电子已经宣布成功研发出28纳米光刻机,并预计将在2021年到2022年之间量产。
从90纳米光刻技术到28纳米光刻技术,我国用了13年甚至更长的时间,而从28纳米到14纳米,再从14纳米到7纳米,每晋升一个台阶,难度都会成倍的增加。
因为光刻机的精度越高,它对关键核心零部件的要求越高比,比如对镜头的要求,对光源的要求都会大大提升。
所以对于我来说,想要在2020年研发出7纳米光刻机完全不可能。
不过现在我国已经推出了芯片产业扶持计划,我相信在产业政策的支持之下,在企业的努力之下,我国的光刻机以及其他芯片技术会取得突飞猛进的发展。
比如目前我国在光刻技术上面,最近两年时间已经取得了很大的突破,比如2020年7月中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所就成功研发出了一种新型5纳米超高精度激光光刻加工方法。
虽然这种光刻方法目前还处于实验室阶段,但经过技术上的改进以及科研人员的突破,我相信未来有可能会真正的应用到芯片的加工当中,到时候说不定我国在芯片制造方面还有可能实现弯道超车。
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