突破5nm光刻技术瓶颈，中科院再次传来好消息，中国芯未来可期

近年来，中国经济发展的同时，一直都比较注重在各个领域的科学研究，通过我国众多科学家的不懈努力，我国也在很多领域都取得了不小的成就，但与此同时，我国的科技发展也经常遭到其他国家的技术封锁，一些比较前沿的科技我们一直难以攻克，比如一枚小小的芯片，我国的华为企业此前就曾多次遭到美国的芯片制裁，给华为造成了巨大的损失。

最近，中科院再次传来好消息，我国的光刻技术有了新的突破，有了先进的光刻技术，未来中国人通过光刻机就可以研发自己的芯片，从此在芯片领域将不再受制于人。

5nm光刻技术获重大突破

不得不说，2020年是一个神奇的年份，我国先是成功研制出了28nm的光刻机，后来经过多次试验又突破了10nm和7nm的光刻技术，而在最近，世界上最顶尖的5nm光刻技术也被我国科学家成功突破。

虽然只是取得了初步的进展，还有待进一步完善，但这一消息传出来之后让国人看到了国产芯片的未来，当然，这一消息也传到了国外，很多国家特别是西方国家对中国取得的光刻技术突破表示非常惊讶。

我们都知道，在此之前，我国国产的光刻机还停留在90nm的技术工艺上，与全球最先进的产自荷兰ASML公司的5nm光刻机技术相差甚远，中芯国际此前曾试图购买荷兰的EUV光刻机，但荷兰方面开出的价格却高达1.36亿欧元，比去年整整高出3000万欧元，不得不让中芯国际有些猝不及防。

后来由于美国的阻挠，我国最终未能成功购买荷兰的光刻机，为了不再受到其他国家的技术封锁，我国科研人员在重压之下刻苦钻研，这才有了属于自己的光刻机。

碳基芯片制备技术也被攻破

而就在不久前，我国的科研人员成功攻破了碳基半导体材料的制备技术瓶颈，碳基半导体制备技术一旦走向成熟，所生产出的碳基芯片将可以更好地替代目前市面上通用的硅基芯片，有望成为新一代的智能芯片载体。

当时世界上并没有哪一个国家进行碳基芯片的研究，为了攻克这一技术，北京大学的研究团队整整花费了十年之久，十年的技术积累也可以让国产的碳基芯片在国际市场上拥有更多的无法取代的优势。近

现如今5nm的光刻技术也取得突破，一旦技术成熟，将可以直接运用于最新制备的碳基芯片中，届时碳基芯片将有望把集成电路推进到3nm节点以下。

虽然在国产芯片领域，我国已经在光刻机和芯片制备材料方面取得了重大突破，但我们仍有很长的一段路要走，依托我国科学家的研发水平和国家的支持力度，一定会取得实现技术反超，这只是一个时间问题，对此大家看呢？欢迎大家在评论区留言