好消息！中科院突然宣布，芯片设计突破2nm，量产却受制于光刻机

中科院突然宣布

随着特朗普和美国政府对华为公司的制裁全面升级，国内的科技发展也到了危急时刻，我们只有不断地突破自己，突破国外的技术封锁才能掌握一定的主动权，并且在科技之争中取得领先！

目前美国对华为的限制主要在于芯片方面，华为的全球芯片供应链遭到了全面的封锁，也就是说华为日后可能无法再从国外进口芯片了，这也意味着未来国内想要进口芯片更是难上加难。

所以对于华为和国内科技来说，现在最重要的就是大力发展芯片技术，只有具备了不落后于美国的技术，才能在即将到来的危机中生存下去，否则的话将会面临毁灭性的灾难！

其实在芯片设计方面，我们国内并不落后于国外。目前华为已经能够设计出高端的7nm甚至是5nm芯片了，在这上面早就追上了那些老牌芯片巨头，而华为海思最近更是名列全球半导体公司前十强。

这些都意味着国内在设计芯片方面取得了巨大的突破，改变了当初远远落后的局面。不仅如此，我们还能不借助国外技术独立自主地设计出芯片，这也是我们取得的进步！可以说，我们国内在设计芯片方面不但没有落后，甚至还有所领先！

近日，中科院的研究人员表示已经突破了设计2nm芯片的瓶颈，成功地掌握了设计2nm芯片的技术，只要机器到位，就能实现量产。

这个消息对于国内严峻的情况而言是一件好事，因为在设计芯片上取得的进步也是在半导体研究上取得的进步，并且这一次我们设计芯片的水平可是站到了世界第一的位置。

很多人都表示很看好这些研究人员，希望他们继续努力；但是也有很多人对这个消息并不看好，他们认为就算掌握了2nm芯片的设计技术又能怎么样，没有相应的高端光刻机的支持，也造不出来芯片。

光刻机的限制

诚然，这部分人说出了目前国内芯片技术面临的最大难题，那就是缺少高端光刻机的支持。光刻机是生产芯片时必备的机器，没有光刻机就无法生产出芯片，甚至是高端芯片需要更高端光刻机的支持。

也就是说我们现在要想生产出来2nm芯片即必须需要2nm精度的高端光刻机的支持，而世界上能达到这种精度的光刻机还没造出来。目前光刻机技术最先进的是荷兰的ASML公司，但是最高精度也才5nm。

所以说即使我们国内突破了2nm芯片设计技术，但是由于光刻机技术的落后，根本就无法生产出来2nm芯片，更别说量产和投入使用了。国内对光刻机的研究已经是进展很快了，目前已经突破了14nm技术，可惜距离2nm还是遥遥无期！

但是我们也不能因此气馁，首先掌握2nm芯片设计技术对于国内肯定是一个好消息，而且这也不是谁都能掌握的；其次，虽然现在的光刻机无法造出2nm芯片，但是只要我们慢慢发展，总有一天可以完成技术突破的。

总结

总的来说，中科院宣布突破2nm芯片设计技术的消息对于华为和国内都是一个好消息，这证明了我们国内在半导体技术上并不弱于人，同时也能能促进国内光刻机的研发，为国内芯片事业带来了积极影响！

对于国内芯片设计技术突破2nm，你们怎么看呢？你们觉得未来我们国家的光刻机能达到2nm技术吗？