CASA重磅发布《第三代半导体产业发展报告（2019）》

2020年2月，联盟正式发布了《第三代半导体产业发展报告（2019）》（以下简称“报告”）。报告仍从政策、技术、产业、市场等方面对2019年国内外第三代半导体产业的发展进行论述。在宏观政策利好、资本市场青睐，及全行业的共同努力下，2019年，第三代半导体行业基本从技术研发逐步转入工业级规模化生产阶段。国际上相关产品技术指标和可靠性日趋稳定，市场接受度逐渐提高，细分应用领域渗透加速，资本热度持续高涨，企业扩产热潮持续，产业基本跨过“技术导入期”，进入实质发展阶段。

根据统计，2019年，我国第三代半导体整体产值超过7600亿元。其中，光电子（主要为半导体照明）为7548亿元，电力电子和微波射频产值约为60亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模近24亿元，同比增长超过80%；GaN微波射频产值规模近38亿元，同比增长近75%。

电力电子应用方面，汽车电气化成为全球趋势，电动汽车的功率半导体价值大幅提升。国际上超过20家汽车厂商在车载充电机中使用SiC SBD或SiC MOSFET。国内汽车厂商也开始推出搭载SiC功率器件的电动车，但目前仍以国外产品为主。2019年, GaN快充电源加快市场渗透，国内外有超过30家厂商，先后推出超过50款GaN快充产品。

射频器件应用方面，2019年，作为5G商用元年，GaN射频功率放大器受到广泛关注。截至2019年底，我国完成13万个宏基站建设，而2020年宏基站需求量将达到近50万站，未来五年，5G基础设施加速将带来巨大的射频器件市场需求。

我国第三代半导体行业正以前所未有的速度蓬勃发展。然而，也要正视，我国在第三代半导体材料指标、器件性能与稳定性、规模化生产能力、用户接受度等方面与国际先进水平仍存在一定差距，光伏逆变、新能源汽车、充电桩等领域自给率严重不足。第三代半导体产业的发展仍需各方加强协作，共同努力，早日实现“自主可控”。

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