从2018年末荷兰ASML光刻机公司工厂的一场火灾开始,中芯国际的光刻机进口之路开始波折起伏,其花费近8.2亿购买的一台EUV深紫外光刻机,是否会延迟交付我们不得而知。
无独有偶,国内另一家在晶圆代工方面有深入研究的华虹集团也在近日举办的供应商大会上披露,公司在14nm上取得了重大进展,而更先进技术节点的先导工艺研发也正在加快部署。
正因如此,通过聚焦这两个名字最具中国乡土特色的科技园区,无疑可以管窥到北京市推动高质量发展的努力和成就,听到中国从“有没有”转向“好不好”、从快增长转向高质量发展的澎湃之声。
武汉光电国家技术研究中心甘棕松团队采用二束激光在自主研发的光刻胶上突破了光束衍射极限,采用远场光学的办法,成功刻出9nm线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新,这个技术突破让我国打破了三维纳米制造的国外技术垄断。
2纳米芯片的制造生产以及将于2024年投入,而此次2纳米关键技术的攻克破冰,称得上是意义重大。如果ASML公司的EUV光刻机能成功交付,相信中国的芯片研发制造定能走得更远。
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