近日,日本 NTT 集团旗下设备技术实验室研发了磷化锢(InP)化合物半导体制造的 6G 超高速芯片,并在300GHz 频段进行了高速无线传输实验,当采用 16QAM 调制时可达到 6G 的峰值速率 100Gbps。
由于 100Gbps无线传输速率仅由一个载波实现,未来将拓展到多个载波,以及使用 MIMO 和 OAM 等空间复用技术。通过这种组合,可以预期超高速集成电路将支持超过 400Gpbs 的大容量无线传输,将是5G技术的40倍。
该技术预期将开启通信和非通信领域未使用的太赫兹频段的使用,例如成像和传感。NTT表示,希望能带来使用超高速集成电路的新服务和产业,并进一步推进技术发展。
高符号率和多层调制技术吸引了业界的关注,因为它们可以增加无线通信系统的容量。超高速芯片是技术的驱动力,尤其是在太赫兹无线通信系统中的高符号率和多层调制中。
整体来看,6G研发赛道上竞争早就开始。除NTT的IOWN外,韩国LG在今年1月宣布设立6G实验室,三星在首尔的研究基地也展开了6G的研究,诺基亚,爱立信和SK电讯在今年6月宣布建立战略合作伙伴关系,共同研究6G。
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