总投资25亿元的氮化镓产业化项目落户浙江嘉兴

11月7日，氮化镓（GaN）射频及功率器件产业化项目正式签约落户浙江嘉兴科技城，

据悉，该项目总投资25亿元，占地110亩，将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地，将打造成为具有世界影响力的中国第三代半导体芯片产业示范标杆。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收7000万元以上。

据嘉兴科技城报道，该项目的引进是嘉兴科技城深入实施全面融入长三角一体化发展首位战略的成果之一，将进一步推动南湖区集成电路新一代半导体产业的高质量发展，加速区块链产业创新成长。

据了解，GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性，能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。

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