武芯烧录器支持SAMSUNG K9F1G08Q0M-XXB0系列芯片编程烧录

K9F1G08Q0M-XXB0系列作为SAMSUNG 的一款1G位的NAND闪存，它提供128Mx8 位或 64Mx16 位规格，无论是需要大容量字节存储的应用场景，还是对数据位宽有特定要求的设备，都能找到与之匹配的规格。同时，芯片还具备额外 32M 位备用容量，在面对数据增长或突发需求时，能够从容应对，确保存储的稳定性和可靠性。

图片来源SAMSUNG官网

高效的读写与擦除性能

在数据处理速度上，程序操作可在典型300µs 内完成，每页为 2112 字节（X8 设备）或 1056 字（X16 设备），在存储大量数据时，能够快速完成写入操作。擦除操作同样高效，可在典型 2ms 内完成，每块为 128K 字节（X8 设备）或 64K 字（X16 设备），为数据的更新和管理提供了便捷。而数据页中的数据可按每字节 50ns 的周期时间读出，确保了数据读取的快速性，满足了各类设备对数据快速访问的需求，无论是在日常的文件读取，还是在高速运行的系统数据调用中，都能迅速响应。

智能的片上写入控制器

片上写入控制器可自动执行所有编程和擦除功能。它不仅能在必要时进行脉冲重复，确保写入和擦除的准确性，还能对数据进行内部验证和裕量检测，全方位保障数据的完整性和可靠性。这种智能化的控制方式，减少了外部干预的复杂性，提高了芯片的自主运行能力，让数据的存储和管理更加高效和稳定。

出色的可靠性与应用适配

即使是写入密集型系统，K9F1GXXX0M 也能凭借 100K 次编程 / 擦除周期的扩展可靠性，配合 ECC（纠错码）和实时映射算法，展现出强大的适应性。ECC 能够及时检测和纠正数据传输和存储过程中出现的错误，实时映射算法则优化了数据存储的布局，进一步提高了存储系统的稳定性和可靠性。这种出色的可靠性，使 K9F1GXXX0M 成为大容量非易失性存储应用的理想解决方案，广泛适用于固态文件存储及其他需要非易失性的便携式应用，如移动硬盘、固态硬盘以及各类手持设备的存储模块等。

主要特性

1.8V 设备1.70V~1.95V 、3.3V 设备2.7V~3.6V

存储单元阵列-X8 设备（K9F1G08X0M）

（128M 4,096K）bit x 8bit -X16 设备（K9F1G16X0M）

（64M 2,048K）bit x 16bit

程序时间:300微秒（典型）

块清除时间：2毫秒（典型）

TSOP1 WSOP1命令/地址/数据复用I/O端口

电源切换时程序/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术

续航时间：10万程序/擦除周期

数据保留：10年

命令寄存器操作

高性能程序缓存程序操作

开机自动读取操作

智能复制操作

自动程序与擦除

版权保护的唯一ID

封装：

K9F1GXXX0M-YCB0/YIB0 48引脚TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）

K9F1G08U0M-VCB0/VIB0 48引脚WSOP I（12X17X0.7mm）

K9F1GXXX0M-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）无铅封装K9F1G08U0M-FCB0/FIB0 48 引脚 WSOP I（12X17X0.7mm） 无铅封装

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F1G08Q0M-XXB0系列K9F1G08Q0M-PIB0、K9F1G08U0M-YIB0、K9F1G08Q0M-PCB0、K9F1G08U0M-YCB0、K9F1G08U0M-PIB0芯片的裸片离线烧录与在板（isp）烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。