eMemory今日宣布,其NeoMTP多次可编程嵌入式非易失性存储器(NVM) IP已在格芯(GF) 130nm BCDLite®和BCD工艺技术平台上通过认证,适合消费类电源管理和符合AEC-Q100 1级汽车标准的应用。此外,基于格芯130nm BCDLite工艺技术的第二代NeoMTP (NeoMTP G2)现已完成面向AEC-Q100 1级汽车标准IC的表征功能,并将通过认证。目前正在开发基于格芯130nm BCD平台的NeoMTP G2,以实现符合最严格的AEC-Q100 0级汽车标准IC。
NeoMTP技术的核心功能使其成为面向不同系统应用设置系统参数的理想选择,NeoMTP是传统外部SPI闪存和EEPROM的理想替代产品。NeoMTP最多支持1,000次编程/擦写循环,无需额外的屏蔽或处理步骤,因此可提高制造良率,降低生产成本。
基于格芯130nm BCDLite和BCD平台的NeoMTP在125°C下支持10年以上的数据保存,可在高温(150°C)条件下运行,满足AEC-Q100 1级汽车标准生产要求。基于格芯130nm BCD平台的NeoMTP G2在150°C下支持10年以上的数据保存,可在高温(175°C)条件下运行,满足AEC-Q100 0级汽车标准生产要求。除汽车级IC外,NeoMTP还可支持其他多种应用,包括USB Type-C和无线充电器。
格芯生态系统合作伙伴关系副总裁Mark Ireland表示:「eMemory一直是格芯的亲密合作伙伴,共同致力于推动技术创新和先进SoC设计的变革。我们期待双方的持续合作能为共同的客户提供嵌入式多次可编程NVM在特性和功能上的优势。」
eMemory业务发展副总裁何明洲(Michael Ho)表示:「很高兴能与格芯合作,扩展基于130nm BCDLite和BCD平台的NeoMTP IP,我们期待能够帮助更多的芯片设计人员在消费类和汽车级IC市场中茁壮成长。」
eMemory已与格芯建立了长期业务关系,在不同的平台上提供了值得信赖的IP。两家公司都致力于开发高度可靠且经济高效的解决方案,以满足客户多种多样的需求。此外,eMemory正与格芯密切合作,基于130nm BCDLite和BCD平台开发第二代NeoMTP。其单元尺寸将比第一代产品缩小40%。预计G2 NeoMTP明年将在两个平台上通过认证。
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