紧跟长鑫步伐，兆易创新LPDDR发力

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

明年实现自研LPDDR4X系列产品的量产，并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。

11月24日，兆易创新在2025年第三季度业绩说明会上表示，企业明年将实现自研 LPDDR4X 系列产品的量产，并着手规划 LPDDR5 小容量产品的研发，同时兆易创新存储业务目前并无 DDR5 产品的相关规划。

今年第三季度，兆易创新收入同比增长31.4%至26.8亿元，环比增长19.6%；单季度归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元，环比增长49%。得益于存储产品涨价的拉动，第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%。其中，利基DRAM产品今年一季度末价格回暖，下半年利基型DRAM收入有明显增长，有望超越MCU业务成为兆易创新第二大产品线。

兆易创新董事会秘书董灵燕在业绩说明会上表示，今年DRAM产品亮眼的业绩背后，除了受益于行业周期改善以外，更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护。在产品料号方面，公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额，进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年我们将实现自研LPDDR4系列产品的量产，并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。而在客户关系方面，在本轮供应紧张周期中，公司不单纯追求短期毛利率的提升，也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系，包括：TV客户、工业类（如电力）客户、AI相关应用（如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用）等。

而在DDR5方面，兆易创新副董事长、总经理何卫表示，公司存储业务目前并无DDR5产品的相关规划。值得一提的是，就在11月23日，长鑫存储正式发布其最新DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb。何卫还透露，多年来，兆易创新共对长鑫科技累计总投资金额23亿。

针对近期存储涨价的行情，何卫表示，“利基型DRAM市场呈现明显的供不应求现象，主要源于在AI基建的背景下，主流应用（数据中心服务器、手机、PC等）对主流DRAM产品产生大量需求，海外大厂纷纷将经营重心转向HBM、DDR5等主流产品，从而挤占了利基型DRAM的产能。结合近期的供需环境考虑，我们初步预计涨价趋势在未来的两个季度有望得以延续，并在明年后续几个季度维持相对较高的价格水平。”展望明年，何卫透露，公司将结合实际经营需求与DRAM核心供应商积极协商，争取得到产能上的支持。

今年第三季度，兆易创新Flash业务同样受益于存储周期的改善，NOR Flash处于温和涨价周期中，SLC NAND产品开始涨价。何卫表示，“NOR Flash的增长主要来源于代码量的提升，端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。目前NOR Flash也处于涨价周期中，源于产能端的紧缺，公司近期宣布温和涨价，预计这一趋势将在明年得以延续。”

当前部分海外大厂正在将经营重心从2D NAND向3D NAND迁移，从而带来2D NAND相对明显的短缺。在此背景下，兆易创新的SLC NAND产品开始涨价。

在定制化存储解决方案，兆易创新表示目前进展顺利，进入年末，陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看，兆易创新坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用，在AI大发展的时代，定制化存储的市场空间潜力非常大。

目前兆易创新定制化存储业务的下游客户覆盖广泛的端侧客户，包括国内的手机厂商。

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