浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，能够有效提高存储密度

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号 CN 120614830 A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上具有成对的第一栅极结构；在所述基底上形成电子俘获层，所述电子俘获层覆盖所述第一栅极结构的侧壁和顶部；至少去除成对的第一栅极结构之间的部分电子俘获层，露出所述基底的表面；在被暴露且位于成对的第一栅极结构之间的基底内形成第一源漏掺杂区；在所述第一源漏掺杂区的上方形成第二栅极结构，所述第二栅极结构至少覆盖所述电子俘获层的侧壁和表面；在所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的基底内，形成第二源漏掺杂区。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯