浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，有利于保障半导体结构的工作效率

国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 120614822 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括存储单元区，存储单元区沿第一方向延伸；分栅结构，位于存储单元区的基底上，分栅结构包括控制栅结构、以及沿第一方向分别位于控制栅结构两侧的浮栅结构，浮栅结构与控制栅结构的接触面为多级台阶状的形貌；擦除栅结构，覆盖于分栅结构顶部。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目257次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可7个。

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来源：市场资讯