长电集成申请半导体中晶圆图谱扫描方法及系统专利，减少扫描时间

国家知识产权局信息显示，长电集成电路（绍兴）有限公司申请一项名为“一种半导体中晶圆图谱扫描方法及系统”的专利，公开号CN 120613281 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体中晶圆图谱扫描方法及系统，包括如下步骤：读取晶圆当前层前所有层经合并后的AOI图谱，其中，AOI图谱中标 记有所有Die的信息，所述信息包括缺陷标记fail；基于AOI图谱中缺陷标记fail的Die确定在当前层中的所在位置；扫描晶圆当前层的所有Die，将当前层中所有Die进行信息的标记后输出当前层AOI图谱，其中，在晶圆当前层扫描中不扫描缺陷标记fail的Die的所在位置；将当前层AOI图谱合并至AOI图谱中。采用本申请的扫描方法，在当前层扫描时跳过缺陷标记fail的Die的所在位置，可以减少缺陷总数量，从而减少扫描时间，减少复判工作量，从而特别适合研发阶段良率较低的项目。

天眼查资料显示，长电集成电路（绍兴）有限公司，成立于2019年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电集成电路（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可9个。

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来源：市场资讯