力晶积成申请半导体制造用光掩模及光掩模图案形成方法专利，消除旁瓣形成的可能

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体制造用光掩模以及光掩模图案形成方法”的专利，公开号CN 120610433 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体制造用光掩模以及光掩模图案形成方法，半导体制造用光掩模包括多个第一区块与多个第二区块。第一区块的线宽(width) 与间隔(space)落在一设定范围以外，第二区块在一方向上的线宽与间隔组合落在所述设定范围内。在每个第二区块内包含至少一切割线，其中切割线经过每个第二区块的中心点，以消除旁瓣(side lobe)形成的可能。